公开(公告)号：CN107026081A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201610873459.1

申请日：2016-09-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木原嘉英 ,  久松亨 ,  本田昌伸 ,  大石智之

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种用于在被处理体上的图案形成中实现高精度的最小线宽的控制和稳定的最小线宽的再现性等的对被处理体进行处理的方法。该方法包括：形成工序，反复执行序列而在处理容器内形成氧化硅膜，该序列包括：第1工序，将第1气体向等离子体处理装置的处理容器内供给；第2工序，对处理容器内的空间进行吹扫；第3工序，在处理容器内生成含有氧气的第2气体的等离子体；第4工序，对处理容器内的空间进行吹扫；准备工序，其在将被处理体收容于处理容器内之前进行；处理工序，对收容到处理容器内的被处理体进行蚀刻处理，准备工序在处理工序之前进行，形成工序在准备工序中执行，且在处理工序中执行，在第1工序中不生成第1气体的等离子体。

公开(公告)号：CN105489483A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201510634852.0

申请日：2015-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木原嘉英 ,  久松亨 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明涉及处理具有掩模的被处理体的方法。[课题]为了调节掩模的开口宽度，不使用专用的成膜装置而在低温下形成氧化硅膜。[解决手段]一个实施方式的方法中重复进行下述排序以形成氧化硅膜，所述排序包括如下工序：(a)第一工序：在容纳有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内，生成包含卤化硅气体的第一气体的等离子体，形成反应前体；(b)第二工序：对处理容器内的空间进行吹扫；(c)第三工序：在处理容器内生成包含氧气的第二气体的等离子体，形成氧化硅膜；以及(d)第四工序：对处理容器内的空间进行吹扫。

公开(公告)号：CN118613901A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202380019266.8

申请日：2023-03-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 蔡宇浩 ,  张度 ,  王明美 ,  大类贵俊 ,  高桥基 ,  横井雅彦 ,  田中康基 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/311

Abstract: 一种处理衬底的方法包括对介电层上的掩模进行图案化以及在该介电层中蚀刻开口。该介电层布置在该衬底上。该蚀刻包括使蚀刻剂、极性或含H气体和卤化磷气体流动。该方法可以进一步包括通过用导电材料填充这些开口来形成触点。

公开(公告)号：CN111326395B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN201911265106.3

申请日：2019-12-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木原嘉英 ,  久松亨 ,  谷口谦介 ,  畑崎芳成

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括：第1步骤，其在形成于基片上的有疏密的图案上形成第1膜；和对第1膜进行溅射或蚀刻的第2步骤。本发明能够实现形成于基片上的图案的精密的尺寸控制。

公开(公告)号：CN118435328A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202280084991.9

申请日：2022-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 向山广记 ,  户村幕树 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/3065

Abstract: 一种蚀刻方法，包括：工序(a)，提供具备有机膜和有机膜上的掩模的基板；工序(b)，通过利用从包含含氧气体的第一处理气体生成的第一等离子体对有机膜进行蚀刻，来在有机膜形成凹部；以及工序(c)，在工序(b)之后，使凹部暴露在从包含含钨气体的第二处理气体生成的第二等离子体中。

公开(公告)号：CN111640663B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202010107586.7

申请日：2020-02-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 新关智彦 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供基片处理方法和基片处理装置。本发明提供一种处理基片的基片处理方法，其中，该基片包括：由过渡金属形成的具有开口部的掩模；和形成于上述掩模之下的含硅的被蚀刻膜，该基片处理方法包括用混合气体生成的等离子体通过上述掩模的开口部蚀刻上述被蚀刻膜的步骤，其中上述混合气体是在含卤素气体中添加具有羰基键的气体而得到的混合气体。

公开(公告)号：CN117457488A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310881491.4

申请日：2023-07-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 向山广记 ,  户村幕树 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01L21/308 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够将附着于基板的沉积物去除。在一个例示性的实施方式中，蚀刻方法包括：工序(a)，提供具备基底膜和掩模的基板，所述掩模设置于基底膜上且具有开口；工序(b)，使用等离子体对基底膜进行蚀刻；以及工序(c)，在13.3Pa以上的压力下向基板供给氟化氢。

公开(公告)号：CN116805579A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310255900.X

申请日：2023-03-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 向山广记 ,  户村幕树 ,  木原嘉英 ,  高桥笃史 ,  大类贵俊

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统，抑制蚀刻的形状异常。在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法包括：工序(a)，提供具有含硅膜以及含硅膜上的掩模的基板；以及工序(b)，对含硅膜进行蚀刻，其中，工序(b)包括：工序(b‑1)，使用从包含氟化氢气体和含钨气体的第一处理气体生成的等离子体对含硅膜进行蚀刻；以及工序(b‑2)，使用从包含氟化氢气体的第二处理气体生成的等离子体对含硅膜进行蚀刻，第二处理气体不包含含钨气体、或者以比第一处理气体中的含钨气体的流量比小的流量比包含含钨气体。

公开(公告)号：CN115312383A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210470922.3

申请日：2022-04-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大类贵俊 ,  须田隆太郎 ,  木原嘉英 ,  户村幕树 ,  熊谷圭惠

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开提供一种基板处理方法和基板处理装置，控制在等离子体蚀刻中形成的开口的形状。本公开所涉及的基板处理方法包括以下工序：准备具有含硅电介质膜的基板到基板支承器上；以及由包含含氢和氟的气体的处理气体生成等离子体，来蚀刻所述含硅电介质膜，所述蚀刻的工序包括以下工序：向腔室内供给所述处理气体；向所述基板支承器或所述上部电极供给用于生成所述等离子体的第一高频信号的电力供给工序；以及向上部电极施加第一电偏压。

公开(公告)号：CN113169066A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980076470.7

申请日：2019-07-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久松亨 ,  胜沼隆幸 ,  石川慎也 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

Abstract: 本发明的基片处理方法包括：提供具有掩模的基片的步骤；在掩模上形成膜的步骤；在膜的表层形成反应层的步骤；和对反应层供给能量来去除反应层的步骤。