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公开(公告)号：CN102725438A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201180007205.7
申请日：2011-03-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/16 , C23C16/4412 , C23C16/45591 , C23C16/45593 , H01L21/28556
Abstract: 使用包括有机金属化合物的原料气体形成薄膜的成膜装置具备：内部能够真空排气的处理容器（22）；载置被处理体（W），并且设置有对被处理体（W）进行加热的加热器（34）的载置台（28）；在载置台（28）的上方与载置台（28）相对设置，向着载置台（28）上的被处理体（W）外周端更外侧的区域导入原料气体的气体导入机构（80）；包围载置台（28）的上方的处理空间（S），划分处理空间的内外，并且以其下端部接近载置台（28）的方式设置，在下端部与载置台（28）的周边部之间形成气体出口（92）的内部划分壁（90）；在内部划分壁（90）的下端部，向着载置台（28）的半径方向的内方延伸设置，在与载置台（28）的周边部之间形成与气体出口（92）连通的孔口部（98）的孔口形成部件（96）。
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公开(公告)号：CN101205605B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200610168334.5
申请日：2006-12-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/46 , C23C16/513 , C23C16/52 , C23C16/06 , C23C16/22
Abstract: 本发明公开了在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质以及系统：将衬底布置在处理系统的处理空间中，处理空间与处理系统的传递空间真空隔离；在处理空间中的第一位置或第二位置对衬底进行处理，同时保持与传递空间的真空隔离；在第一位置或第二位置在所述衬底上沉积材料。同样，该系统包括第一组件，第一组件设置有便于材料沉积的处理空间；第二组件，连接到第一组件并具有便于将衬底传递进出沉积系统的传递空间；衬底载台，连接到第二组件并设置为支撑衬底以及将衬底在传递空间中的第一位置到处理空间中的第二位置之间进行平移。该系统包括密封组件，密封组件设置为在衬底在处理空间中平移的过程中阻挡气体在处理空间与传递空间之间的流动。
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公开(公告)号：CN102112653A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980130137.6
申请日：2009-08-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4412 , B01D53/002 , B01D53/62 , B01D53/75 , B01D2257/706 , B01D2258/0216 , B01D2259/416 , C23C16/16 , Y02C20/30
Abstract: 本发明提供一种原料回收方法，该原料回收方法从由处理容器排出的排出气体中回收原料，在处理容器中，使用使相对于特定的制冷剂不分解而具有稳定的特性的有机金属化合物的原料气化而得到的原料气体，在被处理体的表面上形成金属膜的薄膜，其特征在于，该原料回收方法具有：凝固工序，通过使上述排出气体与上述制冷剂接触而进行冷却，使未反应的原料气体凝固，并再次析出上述原料；回收工序，其从上述制冷剂中分离并回收在上述凝固工序中再次析出的上述原料。
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公开(公告)号：CN101965636A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200980108032.0
申请日：2009-03-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/2855 , H01L21/76864 , H01L21/76873 , H01L23/53238 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种用于控制衬底上铜聚集和用于形成集成电路中凹入特征的无空隙块状金属铜填充的方法。在一个实施例中，该方法包括：提供具有图案的衬底，而该图案包括上表面和至少一个凹入特征，而该凹入特征至少包括侧壁表面和下表面；在该衬底图案上沉积屏蔽膜；并且在该屏蔽膜上沉积含金属润湿膜。该方法还包括通过物理气象沉积法在该含金属润湿膜上沉积金属铜，其中衬底温度足够高，由此在该含金属润湿膜上形成光滑金属铜种层。可在至少一个凹入特征中电镀无空隙块状金属铜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101646803A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200880009952.2
申请日：2008-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/4481 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种气体供给方法，其用于将原料气体供给至消耗区域，该原料气体通过对原料容器内的固体原料进行加热并使其气化而得到，该气体供给方法的特征在于，包括：工序(a)，使载气在与消耗区域连通的处理气体供给路内流通，同时测定该处理气体供给路内的气体压力；工序(b)，对上述原料容器内的固体原料进行加热，产生原料气体；工序(c)，将与上述工序(a)相同流量的载气供给至上述原料容器内，使上述原料气体与该载气一起在上述处理气体供给路内流通，同时测定该处理气体供给路内的气体压力；和工序(d)，根据在上述工序(a)中取得的压力测定值、在上述工序(c)中取得的压力测定值和载气流量，计算上述原料气体的流量。
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公开(公告)号：CN101542016A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000148.8
申请日：2008-02-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/16
CPC classification number: C23C16/16 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , C23C16/52 , H01J37/32449 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01L21/28562 , H01L21/76873
Abstract: 本发明涉及一种成膜方法，其通过向被处理基板的表面上供给羰基金属原料的气相分子，在所述被处理基板表面附近使其分解，而在所述被处理基板的表面上堆积金属膜，设置有在所述被处理基板表面堆积金属层时，使与所述被处理基板外周部分邻接的区域中的所述羰基金属原料优先分解的工序，使得在所述被处理基板外周部附近的气氛中CO浓度局部增大，抑制金属膜在所述外周部的堆积。
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公开(公告)号：CN100483637C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200480028497.2
申请日：2004-09-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国际商业机器公司
Inventor： 山崎英亮 , 松田司 , 五味淳 , 波多野达夫 , 立花光博 , 松泽兴明 , 河野有美子 , 格特·J·莱乌辛克 , 芬顿·R·麦克非利 , 桑德拉·G·马尔霍特拉 , 安德鲁·H·西蒙 , 约翰·J·尤尔坎斯
IPC: H01L21/285 , C23C16/16 , H01L21/768
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/045 , C23C16/16 , C23C16/4408 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877
Abstract: 本发明提供了一种利用间歇前驱气流工艺在衬底上形成金属层的方法。该方法包括使衬底暴露于还原气中，同时使衬底暴露于金属-羰基前驱气脉冲中。该工艺进行到在衬底上形成期望厚度的金属层。该金属层可以形成在衬底上，或者该金属层可以形成在金属成核层上。
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公开(公告)号：CN101084327A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200580043869.3
申请日：2005-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/285 , H01L21/3205
CPC classification number: C23C16/4404 , H01J37/32449 , H01L21/28562 , H01L21/76843
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，该成膜方法利用下述成膜装置，该成膜装置包括：处理容器，其内部具备保持被处理基板的保持台；和喷头部，向上述处理容器内供给用于成膜的处理气体，向该处理容器内施加用于激发等离子体的高频电力。该成膜方法的特征在于，包括：成膜工序，在上述被处理基板上形成含有金属的薄膜；和保护膜形成工序，在上述成膜工序之前，在上述喷头部形成含有其它金属的保护膜。
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公开(公告)号：CN101082125A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200610140313.2
申请日：2006-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/513 , C23C16/52 , C23C16/06
CPC classification number: C23C16/45517 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , H01J37/32082 , H01J37/32495 , H01J37/32522
Abstract: 本发明涉及一种用于在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质和系统，包括：将气相沉积系统的第一组件保持在第一温度；将气相沉积系统的第二组件保持在低于第一温度的降低的温度；将衬底布置在第一组件的处理空间中，所述处理空间与第二组件的转移空间真空隔离；以及将材料沉积在衬底上。因此，所述系统包括第一组件，其具有配置来便于材料沉积的处理空间；第二组件，其被耦合到第一组件，并且具有便于将衬底转入或者转出沉积系统的转移空间；衬底台，其连接到所述第二组件，并且配置来支撑衬底；以及密封部件，其被配置来将处理空间与转移空间隔离。第一组件被配置为保持在第一温度下，第二组件被配置为保持在低于第一温度的降低温度下。
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