半导体装置以及电力变换装置

    公开(公告)号:CN111293087A

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:CN201911214209.7

    申请日:2019-12-02

    Abstract: 目的在于提供可兼顾轻量化和所需强度的确保的半导体装置。还涉及电力变换装置。半导体装置(202)具有:绝缘基板,具有绝缘层(5)、上部导体部(3)和下部导体部(6);半导体芯片(1、2);壳体,围绕绝缘基板及半导体芯片;以及封装材料,将壳体的内部进行封装。上部导体部的厚度形成得比下部导体部的厚度厚,上部导体部具有:电路图案,在电路图案配置半导体芯片;以及外周图案,在电路图案的外周侧隔开间隔而设置,上部导体部的外周图案、绝缘层的外周部及下部导体部的外周部固定于在壳体的周壁部(10a)的内周部形成的凹部(10b),形成从壳体的周壁部的外周部向外侧凸出的凸缘部(10c),在凸缘部形成能够安装散热鳍片的安装孔(10d)。

    半导体装置
    34.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107546180B

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201710490908.9

    申请日:2017-06-23

    Abstract: 目的是提供可防止由于将外部电极焊接于半导体芯片而产生的问题并减小电流路径的电阻的半导体装置。具备:固定于基板的多个半导体芯片;形成有贯通孔的绝缘板;第1下部导体,其是1个导体,具有形成在该绝缘板下表面的与该多个半导体芯片的任意者电连接的下部主体、俯视观察时延伸至该绝缘板外的下部凸出部;第2下部导体,其形成在该绝缘板下表面,与该多个半导体芯片的任意者电连接;上部导体,其是1个导体,具有在该绝缘板上表面形成的上部主体、俯视观察时延伸至该绝缘板外的上部凸出部;连接部,其设置于该贯通孔,连接该上部主体和该第2下部导体;以及树脂,其覆盖该半导体芯片和该绝缘板,该下部凸出部和该上部凸出部延伸至该树脂之外。

    半导体装置以及电力变换装置

    公开(公告)号:CN109860124A

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201811409878.5

    申请日:2018-11-23

    Abstract: 本发明的目的在于,提供能够将从没有添加阻燃剂的树脂产生的气体的影响减小的半导体装置以及具有该半导体装置的电力变换装置。本发明涉及的半导体装置具备:半导体元件(6),其设置于绝缘基板(1)之上;壳体(7),其设置于绝缘基板(1)的外缘,具有与半导体元件(6)相对的开口部;封装树脂(10),其在壳体(7)内对半导体元件(6)进行封装;以及盖(11),其阻塞壳体(7)的开口部,封装树脂(10)不含阻燃剂,盖(11)含有阻燃剂,在封装树脂(10)和盖(11)之间设置间隙。

    半导体装置及电力转换装置

    公开(公告)号:CN110880488B

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN201910815062.0

    申请日:2019-08-30

    Abstract: 本发明涉及半导体装置及电力转换装置,目的在于得到能够容易地制造的半导体装置及电力转换装置。该半导体装置具备:多个半导体芯片;中继基板,其设置于多个半导体芯片之上;第1外部电极;以及第2外部电极,中继基板具备:绝缘板,其形成有贯穿孔;下部导体,其设置于绝缘板的下表面,具有与多个半导体芯片的任意者连接的第1下部导体及第2下部导体;上部导体,其设置于绝缘板的上表面;连接部,其设置于贯穿孔,连接第2下部导体和上部导体;以及凸出部,其为第1下部导体及上部导体中的一者的一部分,从绝缘板向外侧凸出,凸出部与第1外部电极连接,第1下部导体及上部导体中的另一者与第2外部电极连接,俯视观察时容纳于绝缘板的内侧。

    半导体装置的制造方法
    39.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108140583B

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN201580083670.7

    申请日:2015-10-06

    Abstract: 目的在于提供能够削减部件个数,并且抑制成本的技术。准备具备半导体元件(13)、多个电极端子(32)和将多个电极端子(32)连接的堤坝杆(33)的构造体,向端子孔(42c)配置构造体的包含多个电极端子(32)的一部分和堤坝杆(33)在内的部分(36)。然后,在端子孔(42c)内,通过可动夹具(71)对构造体的部分(36)进行夹持,并且,将可动夹具(71)的至少一部分嵌合于端子孔(42c),然后向一对模具的内部空间注入树脂(73)。

    半导体装置
    40.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111446230A

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN202010027903.4

    申请日:2020-01-10

    Abstract: 提供用于在半导体装置中以较短时间发挥熔断器功能的技术。半导体装置具有:绝缘基板(2)的上表面处的第2接合材料(6c);半导体元件(1)的上表面处的第3接合材料(6b);通孔(100),其从第1电路图案(3b)起经由芯材(3c)而到达至第2电路图案(3a);通孔的内壁处的导电性膜(4);以及隔热材料(5),其在通孔的内部,在俯视观察时被导电性膜包围,导电性膜使第1电路图案与第2电路图案导通。

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