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公开(公告)号：CN111668212A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010135495.4
申请日：2020-03-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/07 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 得到具有良好的电气特性，并且抑制了制造成本的半导体装置。半导体装置(10)具有半导体衬底(40)，半导体衬底(40)被分类为IGBT区域(11)、二极管区域(12)、及MOSFET区域(13)。在半导体衬底(40)设置n-型漂移层(50)。漂移层(50)在IGBT区域(11)、二极管区域(12)及MOSFET区域(13)之间共用。就半导体衬底(40)而言，通过在IGBT区域(11)和MOSFET区域(13)之间必然配置二极管区域(12)，从而使IGBT区域(11)与MOSFET区域(13)彼此分离而不相邻。
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公开(公告)号：CN105633077B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201510812427.6
申请日：2015-11-20
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 曾根田真也
IPC: H01L27/06 , H01L29/417
CPC classification number: H01L27/0635 , H01L27/0727 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/417 , H01L29/7397
Abstract: 本发明的目的在于提供一种反向导通型半导体装置，其能够使阻挡金属层与高浓度阳极层之间的接触面积固定。本发明所涉及的反向导通型半导体装置的特征在于，具有：阳极层(40)及高浓度阳极层(42)，它们形成在二极管(14)的上表面侧；以及钨插塞(54)，其经由阻挡金属层(52)而与阳极层(40)及高浓度阳极层(42)相接触，该高浓度阳极层的宽度大于该阻挡金属层与该高浓度阳极层之间的接触宽度。
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公开(公告)号：CN112563321B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202010987022.7
申请日：2020-09-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/861 , H01L27/06 , H01L29/739 , H01L21/28 , H01L21/8249
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。目的在于提供一种能够改善恢复损耗以及恢复耐量这两者的技术。半导体装置具有：第2导电型的基极层，其配置于IGBT区域的半导体基板的表面侧；以及第2导电型的阳极层，其配置于二极管区域的半导体基板的表面侧。阳极层包含：第1部分，其具有下端，该下端位于与基极层的下端相同的位置或者与基极层的下端相比位于上方；以及第2部分，其在俯视观察时与第1部分相邻，下端与第1部分的下端相比位于上方。
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公开(公告)号：CN118198114A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311679162.8
申请日：2023-12-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
Abstract: 提供即使是在背面侧具有栅极电极的结构也能够实现量产化的半导体装置。具有：用于通断的第1控制电极及第2控制电极，它们分别设置于半导体衬底的第1主面及第2主面；第1控制电极焊盘，其与第1控制电极电连接；第1贯通孔，其将半导体衬底沿厚度方向贯通，在内部具有将第1主面与第2主面之间电连接的导电体；以及第2控制电极焊盘，其设置于第1主面之上，经由第1贯通孔与第2控制电极电连接。
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公开(公告)号：CN117790549A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311230441.6
申请日：2023-09-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的控制方法。提供容易控制的半导体装置。具有第1开关器件和第2开关器件，该第1开关器件和第2开关器件串联连接于第1电位和比第1电位低的第2电位之间，第1开关器件及第2开关器件均具有晶体管区域、与晶体管区域反并联电连接的二极管区域，晶体管区域包含由第1栅极信号控制的第1栅极，二极管区域包含由二极管栅极信号控制的二极管栅极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117525125A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310941298.5
申请日：2023-07-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/32 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/10
Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够对二极管区域及IGBT区域的至少任一者的正向特性及通断损耗进行调整的技术。半导体装置具有：半导体区域，其在主面侧设置有半导体层；以及第1缺陷，其设置于半导体层，沿包含厚度方向的成分的方向从主面侧延伸。半导体区域包含二极管区域和IGBT区域的至少任意1者，该二极管区域设置有阴极层作为半导体层，该IGBT区域设置有集电极层作为半导体层。
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公开(公告)号：CN117276224A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310709562.2
申请日：2023-06-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 即使在需要变更传递模塑型功率模块的形状的情况下，也通过使功率模块的电极端子与电极分离，将分离后的电极端子高精度地后安装于电极，从而使模块的电极位置的变更变得容易。半导体装置具有：半导体芯片；模塑树脂(2)，将半导体芯片包在内部；电极(3)，与半导体芯片电连接，在设置于模塑树脂(2)的开口部(5)露出；以及电极端子(4)，具有将电极(3)覆盖且与电极电接触的接触部(9)、以将接触部(9)包围的方式形成且设置于开口部(5)的侧面(13)与接触部(9)之间的多个凸起(7、8)，该电极端子具有存在接触部(9)的接触端部(11)和与接触端部(11)不同的端部即开放端部(12)。还涉及半导体装置组及电力变换装置。
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公开(公告)号：CN115132833A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210276732.8
申请日：2022-03-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法，目的在于提供能够降低导通损耗的技术。半导体装置具有包含漂移层的半导体衬底和在半导体衬底设置的基极层、接触层及源极层。栅极部隔着第1栅极绝缘膜而设置于与接触层、源极层、基极层及漂移层接触的第1沟槽内。在栅极部设置有底部比侧部更远离基极层的凹部。第1绝缘部设置于第1沟槽内的栅极部的凹部内。
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公开(公告)号：CN115084255A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210238651.9
申请日：2022-03-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
Abstract: 得到容易实现台面的微细化、闩锁耐量高的半导体装置。有源沟槽(8)从半导体衬底(1)的上表面起将发射极层(6)及基极层(5)贯通。哑沟槽(9)夹着有源沟槽而从半导体衬底(1)的上表面起将接触层(7)及基极层贯通。栅极沟槽电极(10)隔着栅极绝缘膜(11)形成于有源沟槽的内部。哑栅极沟槽电极(12)隔着栅极绝缘膜形成于哑沟槽的内部。填埋绝缘膜(13)在有源沟槽的内部形成于栅极沟槽电极之上，并且在哑沟槽的内部形成于哑栅极沟槽电极之上。填埋绝缘膜的上端比半导体衬底的上表面低。发射极电极(14)在半导体衬底的上表面及有源沟槽的内壁处与发射极层接触，在半导体衬底的上表面及哑沟槽的内壁处与接触层接触。
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公开(公告)号：CN115084254A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210237812.2
申请日：2022-03-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。针对在栅极沟槽电极的下方具有填埋电极的构造的半导体装置，减小栅极泄漏的滞后。半导体装置(100)具有形成于与发射极层(13)、基极层(15)及载流子积蓄层(2)接触而到达漂移层(1)的沟槽内的有源沟槽栅极(11)。有源沟槽栅极(11)具有：栅极沟槽绝缘膜(11b)，其形成于沟槽的内壁；以及栅极沟槽电极(11a)及填埋电极(11c)，它们在沟槽内形成于栅极沟槽绝缘膜(11b)之上，彼此绝缘，该填埋电极(11c)配置于栅极沟槽电极(11a)的下方。填埋电极(11c)的磷浓度比栅极沟槽电极(11a)的磷浓度低。
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