公开(公告)号：CN116013824A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211287021.7

申请日：2022-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  黄俊式 ,  金东均 ,  金东湖 ,  金铉埈 ,  朴俊勇 ,  洪硕佑

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00

Abstract: 提供了一种微半导体芯片转移基板，该微半导体芯片转移基板包括基础基板、提供在基础基板上沿彼此平行的方向延伸并彼此间隔开的导轨、以及在导轨之间提供在基础基板中并配置为容纳微半导体芯片的多个凹槽。

公开(公告)号：CN115939014A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211195921.9

申请日：2022-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东均 ,  金铉埈 ,  洪硕佑 ,  黄京旭 ,  黄俊式

IPC: H01L21/683 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00

Abstract: 提供了半导体器件转移结构、显示装置和制造该显示装置的方法。该半导体器件转移结构包括：基板；对准层，提供在基板上并包括陷阱，该陷阱被配置为安置半导体器件；以及转移层，提供在对准层上并包括凹槽。

公开(公告)号：CN115249756A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202210219293.7

申请日：2022-03-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄俊式 ,  黄京旭 ,  金东湖 ,  金铉埈 ,  朴俊勇 ,  洪硕佑

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15

Abstract: 提供了多次使用转移模具和制造显示装置的方法。该多次使用转移模具包括转移基板和提供在转移基板中的多个凹槽，其中每个凹槽包括用于容纳转移微发光器件的转移区域和用于容纳预备微发光器件的预备区域，其中预备区域连接到转移区域。

公开(公告)号：CN115000271A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210121506.2

申请日：2022-02-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉埈 ,  洪硕佑 ,  黄京旭 ,  黄俊式 ,  金东湖 ,  朴俊勇

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L25/075 ,  H01L21/683

Abstract: 提供了一种包括发光元件的显示转移结构和发光元件转移方法。该显示转移结构包括包含多个阱的基板、以及设置在所述多个阱中的多个发光元件，其中所述多个发光元件具有旋转不对称的平面形状，以及其中所述多个阱分别具有与所述多个发光元件中的每个的平面形状不同的平面形状。

公开(公告)号：CN113921421A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202110776512.7

申请日：2021-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  黄俊式

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L33/48 ,  H01L27/15

Abstract: 提供用于微型半导体芯片的湿式对准方法和显示器转移结构。用于微型半导体芯片的湿式对准方法包括：将液体供应到包括多个凹槽的转移基板；将微型半导体芯片供应到转移基板上；通过使用能够吸收液体的吸收体扫描转移基板。根据湿式对准方法，微型半导体芯片可以被转移到大面积上。

公开(公告)号：CN107123723B

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN201710102671.2

申请日：2017-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金定燮 ,  金容一 ,  李东建 ,  黄京旭 ,  李振燮 ,  权慜梗

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60

Abstract: 一种发光器件封装件包括：设置为在水平方向上彼此间隔开的多个发光结构；位于所述多个发光结构上的中间层；以及位于中间层上的波长转换层，所述波长转换层与所述多个发光结构中的各自单独的发光结构垂直地重叠。中间层可包括多个层，所述多个层分别与不同的折射率相关联。中间层可包括多组孔，每组孔可包括分离的多个孔，并且每个波长转换层可与中间层上的单独一组孔垂直地重叠。

公开(公告)号：CN106486587B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201610729750.1

申请日：2016-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： H·柳 ,  金容一 ,  车南煹 ,  林完泰 ,  黄京旭 ,  沈成铉 ,  卢慧锡

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种发光二极管，其包括发光结构、发光结构上的光学波长转换层和光学波长转换层上的光学滤波器层。发光结构包括第一导电类型的半导体层、第一导电类型的半导体层上的有源层和有源层上的第二导电类型的半导体层，并且发射具有第一峰值波长的第一光。光学波长转换层吸收从发光结构发射的第一光，并且发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光。光学滤波器层反射从发光结构发射的第一光，并且透射从光学波长转换层发射的第二光。

公开(公告)号：CN107123723A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710102671.2

申请日：2017-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金定燮 ,  金容一 ,  李东建 ,  黄京旭 ,  李振燮 ,  权慜梗

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60

Abstract: 一种发光器件封装件包括：设置为在水平方向上彼此间隔开的多个发光结构；位于所述多个发光结构上的中间层；以及位于中间层上的波长转换层，所述波长转换层与所述多个发光结构中的各自单独的发光结构垂直地重叠。中间层可包括多个层，所述多个层分别与不同的折射率相关联。中间层可包括多组孔，每组孔可包括分离的多个孔，并且每个波长转换层可与中间层上的单独一组孔垂直地重叠。

公开(公告)号：CN106486587A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610729750.1

申请日：2016-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： H·柳 ,  金容一 ,  车南煹 ,  林完泰 ,  黄京旭 ,  沈成铉 ,  卢慧锡

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L27/156 ,  H01L33/58

Abstract: 本发明提供了一种发光二极管，其包括发光结构、发光结构上的光学波长转换层和光学波长转换层上的光学滤波器层。发光结构包括第一导电类型的半导体层、第一导电类型的半导体层上的有源层和有源层上的第二导电类型的半导体层，并且发射具有第一峰值波长的第一光。光学波长转换层吸收从发光结构发射的第一光，并且发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光。光学滤波器层反射从发光结构发射的第一光，并且透射从光学波长转换层发射的第二光。

公开(公告)号：CN103325904A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310080154.1

申请日：2013-03-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  朴成恩 ,  郑薰在

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/10

Abstract: 本发明公开了一种包括氮化物基半导体全方向反射器的发光装置。该发光装置包括氮化物基反射器和置于所述氮化物基反射器上的发光单元。所述氮化物基反射器包括交替层叠的未掺杂氮化物半导体层和重度掺杂氮化物半导体层。在所述重度掺杂氮化物半导体层的边缘处对其进行蚀刻，以在相邻的未掺杂氮化物半导体层之间形成空气层。