公开(公告)号：CN102104072B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201010227417.3

申请日：2010-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚昱 ,  金善日 ,  金昌桢 ,  朴宰彻

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/44

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种晶体管、制造晶体管的方法及包括晶体管的电子装置。晶体管可包括栅极绝缘体，其中，用等离子体处理栅极绝缘体的至少一个表面。栅极绝缘体的表面可以是接触沟道层的界面。可使用含氟(F)气体对所述界面进行等离子体处理，因而，所述界面可包含氟(F)。用等离子体处理的界面可抑制晶体管由于光而产生的特性改变。

公开(公告)号：CN101681925A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880021283.0

申请日：2008-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌桢 ,  金尚昱 ,  金善日

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/78609

Abstract: 本发明提供了一种氧化物半导体和包括该氧化物半导体的薄膜晶体管(TFT)。氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Ta原子和Y原子中的至少一种原子。薄膜晶体管(TFT)包括含有这样的氧化物半导体的沟道，所述氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Ta原子和Y原子中的至少一种原子。

公开(公告)号：CN119335807A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410236119.2

申请日：2024-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴兴锡 ,  姜勋 ,  金尚昱 ,  金相勋 ,  吴受珍 ,  吴真锡

IPC: G03F1/36 ,  G03F1/70

Abstract: 提供了掩模制造方法。所述掩模制造方法包括：通过对光学邻近校正(OPC)目标设计布局实施第一OPC来获得第一光学邻近校正后的(OPCed)设计布局；基于所述第一OPCed设计布局对所述OPC目标设计布局执行反向剖分以生成第一段；执行反向校正以将所述第一OPCed设计布局的第一偏差分配给所述OPC目标设计布局的所述第一段；基于所述第一段的段分组确定全芯片代表性偏差；将所述全芯片代表性偏差应用于整个芯片区域；基于已经应用于所述整个芯片区域的所述全芯片代表性偏差来准备掩模数据；以及基于所述掩模数据使掩模衬底曝光。

公开(公告)号：CN119225111A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202410290458.9

申请日：2024-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹宇镛 ,  姜勋 ,  金尚昱 ,  金禹成 ,  吴兴锡 ,  李熙俊 ,  郑芝银

IPC: G03F1/36 ,  G03F7/20

Abstract: 公开了光学邻近校正方法和使用其的半导体制作方法。所述半导体制作方法包括：对布局的设计图案执行光学邻近校正以生成校正后的布局；以及通过使用用所述校正后的布局制造的光掩模来在衬底上形成光刻胶图案。执行所述光学邻近校正包括：在所述设计图案的轮廓上生成形状点；产生所述形状点的散列值；选择代表第一形状点的第一独特形状点；确定所述第一独特形状点的第一校正偏置；以及通过将所述第一校正偏置共同应用于所述第一形状点来创建校正图案。产生所述散列值包括：生成目标形状点周围的查询范围；以及基于所述查询范围内的几何分析，产生所述散列值。

公开(公告)号：CN119208376A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202410833609.0

申请日：2024-06-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 杨智恩 ,  金尚昱 ,  车映官

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H10B10/00 ,  H10B41/35 ,  H10B43/35

Abstract: 一种半导体器件包括：氧化物半导体层；第一电极和第二电极，彼此间隔开地布置并分别与氧化物半导体层相邻；金属氧化物层，布置在第一电极和第二电极中的至少一个和氧化物半导体层之间；以及金属氮化物层，布置在金属氧化物层和氧化物半导体层之间。

公开(公告)号：CN118084044A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202311552533.6

申请日：2023-11-21

Applicant: 三星电子株式会社 ,  汉阳大学校产学协力团

Inventor： 李光熙 ,  朴镇成 ,  金尚昱 ,  金慧美 ,  柳盛还

IPC: C01G15/00 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  C23C16/455 ,  C23C16/06

Abstract: 提供结晶InZnO氧化物半导体、其形成方法、和包括结晶InZnO氧化物半导体的半导体器件。结晶InZnO氧化物半导体包括包含In和Zn的氧化物，其中在电感耦合等离子体质谱法(ICP‑MS)分析中，In和Zn中的In的含量为约30原子％或更大且约75原子％或更小，并且在X射线衍射(XRD)分析中，所述结晶InZnO氧化物半导体具有在约32.3度和约33.3度之间的2θ处的显示结晶度的峰。

公开(公告)号：CN116504843A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310100911.0

申请日：2023-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚昱 ,  卞卿溵 ,  申建旭 ,  郑文一 ,  金恩太 ,  杨智恩 ,  李光熙

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H10K59/121

Abstract: 一种晶体管包括氧化物半导体层、在氧化物半导体层上彼此间隔开设置的源电极和漏电极、与氧化物半导体层间隔开的栅电极、设置在氧化物半导体层和栅电极之间的栅极绝缘层以及设置在栅电极和栅极绝缘层之间并掺杂有金属的石墨烯层。

公开(公告)号：CN112563323A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202010673033.8

申请日：2020-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李润姓 ,  金尚昱 ,  赵常玹 ,  许镇盛 ,  李香淑

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01G7/06 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56

Abstract: 公开了铁电薄膜结构、形成其的方法和系统及包括其的电子器件。该铁电薄膜结构包括至少一个第一原子层和至少一个第二原子层。第一原子层包括基于氧化物的第一电介质材料，第二原子层包括第一电介质材料和具有比第一电介质材料的带隙大的带隙的掺杂剂两者。

公开(公告)号：CN110880181A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910492972.X

申请日：2019-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚昱

IPC: G06T7/11

Abstract: 在用于半导体器件中的版图图案的分割方法中，将设计版图划分为多个区块。基于目标版图图案和相邻版图图案的顶点，设置用于目标区块中的目标版图图案和相邻区块中的相邻版图图案的多个第一分割点。设置用于至少一个例外版图图案的至少一个第二分割点。所述至少一个例外版图图案是其中未设置第一分割点并且延伸穿过一个区块的边界的版图图案。基于第一分割点和第二分割点设置用于目标版图图案和相邻版图图案的多个第三分割点。基于第一分割点、第二分割点和第三分割点将目标版图图案划分为多个目标区段。

公开(公告)号：CN102130177B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201010569845.4

申请日：2010-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善日 ,  朴宰彻 ,  金尚昱 ,  朴永洙 ,  金昌桢

IPC: H01L29/786 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明提供了一种晶体管、制造该晶体管的方法及包括该晶体管的电子装置。所述晶体管包括：沟道层；源极和漏极，分别接触沟道层的相对的两端；栅极，与沟道层对应；栅极绝缘层，位于沟道层和栅极之间；第一钝化层和第二钝化层，顺序地设置在栅极绝缘层上。第一钝化层覆盖源极、漏极、栅极、栅极绝缘层和沟道层。第二钝化层包含氟(F)。