公开(公告)号：CN107123717B

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201710107360.5

申请日：2017-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车南煹 ,  沈成铉 ,  林完泰 ,  卢慧锡 ,  H·柳

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56 ,  H01L33/00

Abstract: 提供了一种制造发光器件封装件的方法。该方法包括：制备包括一个或多个光阻挡区和一个或多个波长转换区的薄膜条；制备发光器件，每个发光器件包括一个或多个发光区；将薄膜条键合至发光器件，以将一个或多个波长转换区放置在发光器件中的每一个的一个或多个发光区上；以及将薄膜条和发光器件切割成分离的器件单元。

公开(公告)号：CN106206862B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201610357748.6

申请日：2016-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车南煹 ,  林完泰 ,  金容一 ,  卢慧锡 ,  申珢珠 ,  沈成铉 ,  H·柳

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

CPC classification number: H01L33/58 ,  F21K9/237 ,  F21K9/275 ,  F21S8/026 ,  F21V23/005 ,  F21Y2103/10 ,  F21Y2115/10 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/44 ,  H01L33/505 ,  H01L2224/11

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：发光结构，其包括分别提供发光结构的彼此面对的第一表面和第二表面的第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层以及介于第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间的有源层，第一导电类型的半导体层的一个区朝着第二表面敞开，并且第一表面具有布置于其上的凹凸部分；第一电极和第二电极，它们分别布置在第一导电类型的半导体层的所述一个区和第二导电类型的半导体层的一个区中；透明支承衬底，其布置在第一表面上；以及透明粘合剂层，其布置在发光结构的第一表面与透明支承衬底之间。

公开(公告)号：CN109728135A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811214372.9

申请日：2013-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁钟隣 ,  金泰亨 ,  宋光珉 ,  李承桓 ,  林完泰 ,  韩世俊 ,  洪玄权 ,  皇甫秀珉

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/36 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

Abstract: 本发明涉及半导体发光元件和发光装置，所述半导体发光元件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。第一电极结构包括与所述第一导电类型半导体层连接的导电通路。第二电极结构与第二导电类型半导体层连接。具有开口区域的绝缘部件在覆盖第一电极结构和第二电极结构的同时以该开口区域暴露出第一电极结构和第二电极结构的一部分。第一焊盘电极和第二焊盘电极分别形成在通过开口区域暴露出来的第一电极结构和第二电极结构的部分上并且分别与第一电极结构和第二电极结构连接。

公开(公告)号：CN108242483A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711445437.6

申请日：2017-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东建 ,  金容一 ,  朴永洙 ,  李振燮 ,  林完泰

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/10 ,  H01L33/40 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/50 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/46

Abstract: 本发明提供了一种发光器件封装件，其包括发光结构，所述发光结构包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，第一发光单元至第三发光单元中的每一个包括在第一方向上发射第一波长的光的有源层，并且第一发光单元至第三发光单元中的每一个在与第一方向正交的第二方向上彼此分离，第一调光部分包括在第一发光单元的第一凹部中的第一波长转换层，第一波长转换层将第一波长的光转换成第二波长的光，以及第二调光部分包括在第二发光单元的第二凹部中的第二波长转换层，第二波长转换层将第一波长的光转换为第三波长的光。

公开(公告)号：CN107393937A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710284843.2

申请日：2017-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容一 ,  林完泰 ,  崔荣进 ,  沈成铉

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/50

Abstract: 一种发光器件封装包括：单元阵列，包括多个半导体发光单元，并且具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，所述多个半导体发光单元中的每一个具有依次堆叠的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层。所述发光器件封装还可以包括：多个波长转换单元，设置在单元阵列的第一表面上，以分别对应于所述多个半导体发光单元，每个波长转换单元被配置为将由所述多个半导体发光单元中的相应半导体发光单元发射的一定波长的光转换为不同波长的光；分隔结构，设置在所述多个波长转换单元之间的空间中；以及多个开关单元，在所述分隔结构内与所述多个波长转换单元间隔开，并且电连接到所述多个半导体发光单元。

公开(公告)号：CN106206862A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610357748.6

申请日：2016-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车南煹 ,  林完泰 ,  金容一 ,  卢慧锡 ,  申珢珠 ,  沈成铉 ,  H·柳

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

CPC classification number: H01L33/58 ,  F21K9/237 ,  F21K9/275 ,  F21S8/026 ,  F21V23/005 ,  F21Y2103/10 ,  F21Y2115/10 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/44 ,  H01L33/505 ,  H01L2224/11 ,  H01L33/007 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：发光结构，其包括分别提供发光结构的彼此面对的第一表面和第二表面的第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层以及介于第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间的有源层，第一导电类型的半导体层的一个区朝着第二表面敞开，并且第一表面具有布置于其上的凹凸部分；第一电极和第二电极，它们分别布置在第一导电类型的半导体层的所述一个区和第二导电类型的半导体层的一个区中；透明支承衬底，其布置在第一表面上；以及透明粘合剂层，其布置在发光结构的第一表面与透明支承衬底之间。