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公开(公告)号：CN116435347A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310003738.2
申请日：2023-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L23/538
Abstract: 公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：有源区，在第一方向上延伸；器件隔离层，在有源区的侧表面上并且限定有源区；栅极结构，在有源区上与有源区相交，并且在第二方向上延伸；源/漏区，在有源区凹陷在其中的区域中，在栅极结构的两侧上；第一保护层，在器件隔离层与栅极结构之间；以及掩埋互连线，在源/漏区下方，并且通过掩埋互连线的上表面连接到源/漏区中的一个。
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公开(公告)号：CN107807462B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN201710799993.7
申请日：2017-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供相位调制有源设备和驱动相位调制有源设备的方法。相位调制有源设备包括独立调制入射光相位的通道。该方法包括：选择要用于通道的第一相位值和第二相位值，通过以其中布置通道的顺序将所选择的第一相位值或所选择的第二相位值准周期性地分配给所述通道的每一个，来设置二进制相位分布；和基于设置的二进制相位分布来驱动相位调制有源设备。
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公开(公告)号：CN112530861A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010915052.7
申请日：2020-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/48 , H01L27/02
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成有源区；在所述衬底上形成与所述有源区相交的栅极结构；去除所述栅极结构的上部并形成栅极覆层；形成电连接到所述有源区的一部分的初步接触插塞，所述初步接触插塞包括第一部分和第二部分；形成包括第一图案层和第二图案层的掩模图案层，所述第一图案层覆盖所述栅极覆层的上表面，所述第二图案层从所述第一图案层延伸以覆盖所述初步接触插塞的所述第二部分；以及使用所述掩模图案层作为蚀刻掩模，通过使所述初步接触插塞的被所述掩模图案层暴露的所述第一部分从所述初步接触插塞的上表面凹陷到预定深度，来形成接触插塞。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111162386A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201910405504.4
申请日：2019-05-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01Q23/00 , G01S7/481 , G01S17/08 , G01S17/931 , G02F1/29
Abstract: 提供了一种波束扫描装置，包括：多个天线谐振器，在行方向和列方向上二维地设置；多个行电压线，被配置为在行方向上分别提供多个驱动电压；多个列电压线，被配置为在列方向上分别提供多个驱动电压；以及驱动电压转换电路，被配置为基于从多个行电压线中的每一个行电压线提供的行方向上的驱动电压以及从多个列电压线中的每一个列电压线提供的列方向上的驱动电压，控制被施加到多个天线谐振器中的每一个天线谐振器的驱动电压。
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公开(公告)号：CN109801971A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811345083.2
申请日：2018-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/336
Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：基板，包括第一有源图案，第一有源图案从基板的顶表面垂直地突出；第一源极/漏极图案，填充形成在第一有源图案的上部分中的第一凹陷；第一金属硅化物层，在第一源极/漏极图案上，第一金属硅化物层包括位于第一源极/漏极图案的第一表面上的第一部分和第二部分；以及第一接触，与第一金属硅化物层的第二部分接触。第一部分的厚度可以不同于第二部分的厚度。
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公开(公告)号：CN108072985A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711135417.9
申请日：2017-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/015
CPC classification number: G02F1/292 , G01S7/4817 , G02F2202/20 , G02F2202/30 , G02F1/015 , G02F2001/0152
Abstract: 本发明提供一种二维(2D)光调制器件以及包括该2D光调制器件的激光雷达装置。该2D光调制器件可以包括多个相位调制元件和电路板。该多个相位调制元件可以包括具有纳米结构的超表面。该电路板可以包括配置为独立地控制分别传输到所述多个相位调制元件的电信号的多个像素电路单元。该多个像素电路单元的每个可以包括晶体管和电容器。
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公开(公告)号：CN107807462A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201710799993.7
申请日：2017-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/19 , G02B26/06 , G02F1/0018 , G02F1/0316 , G02F1/292 , G02F2203/10 , G02F2203/50 , G02F1/01 , G01S17/02
Abstract: 提供相位调制有源设备和驱动相位调制有源设备的方法。相位调制有源设备包括独立调制入射光相位的通道。该方法包括：选择要用于通道的第一相位值和第二相位值，通过以其中布置通道的顺序将所选择的第一相位值或所选择的第二相位值准周期性地分配给所述通道的每一个，来设置二进制相位分布；和基于设置的二进制相位分布来驱动相位调制有源设备。
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公开(公告)号：CN101377618B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200810130342.X
申请日：2008-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种双面压印光刻系统，该双面压印光刻系统包括：介质支撑单元，支撑介质，其中，所述介质的两个表面涂覆有紫外(UV)硬化树脂；第一模具支撑单元和第二模具支撑单元，分别支撑第一模具和第二模具，并分别设置在介质支撑单元之上和之下；竖直运动装置，使介质支撑单元、第一模具支撑单元和第二模具支撑单元中的至少一个竖直地运动；第一UV照射装置，安装在第一模具支撑单元之上，以照射UV光线；第二UV照射装置，安装在第二模具支撑单元之下，以照射UV光线。
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