一种采用脊形波导的马赫曾德光调制器晶片结构及其制备工艺

    公开(公告)号:CN105974614A

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:CN201610518099.3

    申请日:2016-06-30

    发明人: 华平壤 陈朝夕

    IPC分类号: G02F1/035

    CPC分类号: G02F1/035 G02F2202/20

    摘要: 本发明公开了一种基于镁掺杂近化学计量比铌酸锂单晶薄膜和单晶氧化钽脊形波导的光调制器制作方式,所选用的基底材料是铌酸锂晶体,该晶片的复合结构自下向上包括铌酸锂衬底,二氧化硅下包层,镁掺杂近化学计量比铌酸锂单晶薄膜,单晶氧化钽脊形波导结构,二氧化硅上包层,行波电极。本发明能够大大降低了在光传输过程中的损耗,在铌酸锂薄膜层镁掺杂的浓度达到抗光折变阈值,能够对短波长如红光、绿光或蓝紫色光进行调制,采用二氧化硅作为上下包层,在实现低功耗驱动的同时降低了调制器的尺寸,提高了器件的稳定性,具有制作工艺简便,器件尺寸小,弯曲半径小,稳定性好等优点。

    铌酸锂外调制器的精确控制方法

    公开(公告)号:CN105334644A

    公开(公告)日:2016-02-17

    申请号:CN201510828144.0

    申请日:2015-11-25

    IPC分类号: G02F1/03

    CPC分类号: G02F1/0327 G02F2202/20

    摘要: 本发明公开了一种铌酸锂外调制器的精确控制方法,具体步骤如下:步骤一:偏置控制器中的微控制器检测出扰动基频信号传输函数、谐波信号传输函数;步骤二:微控制器记录基频信号与谐波信号的极值,并通过计算二次谐波抑制比的变化曲线得到Q值;步骤三:根据步骤二中得出的Q值来作为偏置电压控制参考变量。本发明的铌酸锂外调制器的精确控制方法的响应速度和控制精度更高、控制稳定性更好。

    高次谐波生成元件的制造方法

    公开(公告)号:CN101533201B

    公开(公告)日:2013-08-07

    申请号:CN200910128913.0

    申请日:2009-03-13

    发明人: 吉野隆史

    IPC分类号: G02F1/377 G02F1/035 G02B6/122

    摘要: 本发明提供一种高次谐波生成元件的制造方法。在通过有机树脂粘结剂将波长转换层夹在上下基板之间的结构的高次谐波生成元件中,防止元件的端面中的反射防止膜的剥落或裂纹,并且防止元件的端面附近的粘接层的燃烧破坏。制作以下的芯片12,该芯片具有:支撑基板(2)、具有设置了周期极化反转结构的光波导的波长转换层(5)、有机树脂制成的基底粘接层(3)、设置在波长转换层(5)的上表面一侧的上侧基板(11)、以及粘接波长转换层(5)和上侧基板(11)的有机树脂制成的上侧粘接层(10)。对该芯片(12)进行热处理。然后,在光波导的入射侧端面以及出射侧端面上分别形成防止反射膜。

    光调制器
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102062957A

    公开(公告)日:2011-05-18

    申请号:CN201010562409.4

    申请日:2006-11-13

    IPC分类号: G02F1/03 G02F1/035

    CPC分类号: G02F1/0327 G02F2202/20

    摘要: 本发明的目的在于,提供一种抑制在连接基板或终端基板内发生的微波辐射模式进入光调制器的信号电极等且抑制调制特性劣化的光调制器,该光调制器包括:具备具有电光效果的基板、形成在该基板上的光波导、和用于调制该光波导内通过的光的调制电极(包含信号电极2)的光调制元件(1);以及配置在该基板的外部、用于将驱动该光调制元件的微波信号供给该光调制元件的连接基板(4),其特征在于,该连接基板(20)上形成有信号输入端部(22)和信号输出端部(23),抑制被输入到该信号输入端部(22)的微波信号的辐射模式(24)与该信号输出端部(23)再结合的再结合抑制装置被设置在该连接基板。