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公开(公告)号：CN111258842B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201910846662.3
申请日：2019-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/30
Abstract: 公开存储器模块和存储器系统。一种存储器系统包括：存储器装置，其中具有多个易失性存储器模块；以及存储器控制器，电结合到所述多个易失性存储器模块。存储器控制器被配置为：响应于由所述多个易失性存储器模块中的第一易失性存储器模块生成报警信号，校正所述多个易失性存储器模块中的第一易失性存储器模块中的错误，并且在生成报警信号时并发地进行刷新所述多个易失性存储器模块中的第二易失性存储器模块的至少一部分的操作。
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公开(公告)号：CN118069414A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202310819615.6
申请日：2023-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供用于存储器装置的错误恢复操作的方法和存储器系统。所述方法包括：在存储器系统上电时执行存储器装置的训练操作；通过基于训练操作的结果使用多个操作频率中的选择的操作频率来操作存储器装置，将操作系统启动至正常模式；响应于操作系统对存储器装置的选择的操作频率的改变而检测所述多个操作频率之中的错误频率，错误频率是导致存储器装置中的至少一个错误的操作频率；以及将关于检测到的错误频率的信息存储在第一寄存器中，第一寄存器被包括在与存储器装置相关联的存储器控制器中。
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公开(公告)号：CN110349611B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201910266363.2
申请日：2019-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/409 , G11C11/4078
Abstract: 提供一种半导体存储器模块和存储器系统。所述存储器系统包括：第一半导体存储器模块和处理器。处理器被配置为以页为单位访问第一半导体存储器模块，还被配置为：通过调整与对应于访问目标的虚拟地址相关联的页的数量并分配第一半导体存储器模块中的与调整的页的数量对应的页，来对与所述虚拟地址相关联的特定页中的页故障的发生进行响应。
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公开(公告)号：CN116991753A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310484622.5
申请日：2023-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储装置、用于存储装置的操作方法和存储控制器。所述存储装置包括：存储单元阵列；和命令/地址译码器，包括缓冲存储器、被配置为对命令/地址信息进行译码的第一译码逻辑电路和被配置为对地址表进行译码的第二译码逻辑电路。命令/地址译码器被配置为：通过第一译码逻辑电路对从存储控制器接收的第一命令进行译码以获得表同步命令，通过第二译码逻辑电路对自接收到第一命令起预定义时延之后从存储控制器接收到的数据进行译码以获得地址表，将地址表存储在缓冲存储器中，通过第一译码逻辑电路对从存储控制器接收的第二命令进行译码，以获得基于表的命令和与地址表相关联的索引信息，和对与索引信息相对应的地址执行基于表的命令。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110347611B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201910193535.8
申请日：2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种存储器系统和存储器系统的操作方法。所述存储器系统包括：处理器，包括多个核和存储器控制器；第一半导体存储器模块，与存储器控制器通信。所述多个核响应于在存储器控制器从第一半导体存储器模块读取第一数据时检测到第一错误，接收用于执行第一异常处理的调用。所述多个核的第一主核执行第一异常处理，并且所述多个核的剩余核返回至先前执行的剩余操作。
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公开(公告)号：CN115966243A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211241025.1
申请日：2022-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种存储器模块、存储器系统和存储器控制器的操作方法。所述存储器系统包括存储器模块和存储器控制器，存储器模块包括第一存储器装置至第四存储器装置和第一纠错码(ECC)装置，存储器控制器通过8条数据线与第一存储器装置至第四存储器装置中的每个存储器装置交换第一用户数据，并通过4条数据线与第一ECC装置交换第一ECC数据。存储器控制器包括ECC引擎，ECC引擎基于第一ECC数据纠正第一用户数据的32位随机错误。
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公开(公告)号：CN108874306B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201810329996.9
申请日：2018-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种配置为支持数据缓冲器的内部数据(DQ)终结的存储器系统。该存储器系统包括：作为外部设备访问的目标存储器模块的第一存储器模块；以及作为不被外部设备访问的非目标存储器模块的第二存储器模块。第二存储器模块在内部操作模式期间在内部数据路径上执行内部DQ终结，在内部操作模式下通过使用内部存储器芯片之间的内部数据路径执行数据通信。由于内部DQ终结而减少或禁止在内部数据路径上的信号反射，由此改善信号完整性。
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公开(公告)号：CN113760598A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110609330.0
申请日：2021-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器模块及操作方法。所述存储器模块包括：存储器装置，被配置为：从主机接收第一刷新命令，并且在刷新时间期间响应于第一刷新命令而执行刷新操作；以及计算单元，被配置为：检测从主机提供给存储器装置的第一刷新命令，并且在刷新时间期间将第一错误图案写入存储器装置的第一地址处。
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公开(公告)号：CN110349611A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910266363.2
申请日：2019-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/409 , G11C11/4078
Abstract: 提供一种半导体存储器模块和存储器系统。所述存储器系统包括：第一半导体存储器模块和处理器。处理器被配置为以页为单位访问第一半导体存储器模块，还被配置为：通过调整与对应于访问目标的虚拟地址相关联的页的数量并分配第一半导体存储器模块中的与调整的页的数量对应的页，来对与所述虚拟地址相关联的特定页中的页故障的发生进行响应。
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