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公开(公告)号：CN111090387B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201910952640.5
申请日：2019-10-09
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 提供了存储模块、操作其的方法以及操作控制其的主机的方法。所述存储模块包括动态随机存取存储器(DRAM)装置、非易失性存储器装置和高速缓冲存储器。操作所述存储模块的方法包括：响应于外部设备进入页面故障模式，将存储在所述非易失性存储器装置中的目标数据复制到所述高速缓冲存储器；从所述外部设备接收第一刷新命令；以及响应于所述第一刷新命令，在第一刷新参考时间内执行与所述DRAM装置相关联的第一刷新操作，并且将复制到所述高速缓冲存储器的所述目标数据移动到所述DRAM装置。
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公开(公告)号：CN111258842A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910846662.3
申请日：2019-09-09
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G06F11/30
摘要： 公开存储器模块和存储器系统。一种存储器系统包括：存储器装置，其中具有多个易失性存储器模块；以及存储器控制器，电结合到所述多个易失性存储器模块。存储器控制器被配置为：响应于由所述多个易失性存储器模块中的第一易失性存储器模块生成报警信号，校正所述多个易失性存储器模块中的第一易失性存储器模块中的错误，并且在生成报警信号时并发地进行刷新所述多个易失性存储器模块中的第二易失性存储器模块的至少一部分的操作。
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公开(公告)号：CN114863969A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202111204990.7
申请日：2021-10-15
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/4063
摘要： 提供一种跳过刷新操作的存储器件及其操作方法。所述存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括N个行；刷新控制器，所述刷新控制器被配置为基于刷新命令控制针对所述存储单元阵列的所述N个行的刷新操作；以及访问信息存储电路，所述访问信息存储电路包括多个寄存器，所述多个寄存器被配置为存储与所述N个行中的每一行对应的标志信息，其中，所述标志信息在具有第一值时指示已被访问的行，并且在具有第二值时指示未被访问的行。所述刷新控制器进一步被配置为：基于与所述第一行对应的所述标志信息，控制是否在针对所述第一行的刷新定时针对所述N个行中的第一行执行刷新操作。
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公开(公告)号：CN113744775A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110041714.7
申请日：2021-01-13
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了存储器装置和包括存储器装置的存储器模块。所述存储器装置包括与多个存储器存储体通信的外围电路。所述多个存储体中的每个包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；行解码器，通过多条字线与所述多个存储器单元连接；位线感测放大器，通过包括第一位线和第二位线的多条位线与所述多个存储器单元连接；和列解码器，被配置为将位线感测放大器与外围电路连接。存储器单元阵列包括：与第一位线连接的第一区段以及与第二位线连接的第二区段，并且第一区段和第二区段针对与行相关的错误彼此独立。
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公开(公告)号：CN111090387A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201910952640.5
申请日：2019-10-09
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 提供了存储模块、操作其的方法以及操作控制其的主机的方法。所述存储模块包括动态随机存取存储器(DRAM)装置、非易失性存储器装置和高速缓冲存储器。操作所述存储模块的方法包括：响应于外部设备进入页面故障模式，将存储在所述非易失性存储器装置中的目标数据复制到所述高速缓冲存储器；从所述外部设备接收第一刷新命令；以及响应于所述第一刷新命令，在第一刷新参考时间内执行与所述DRAM装置相关联的第一刷新操作，并且将复制到所述高速缓冲存储器的所述目标数据移动到所述DRAM装置。
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公开(公告)号：CN114721981A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202111545971.0
申请日：2021-12-16
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了一种包括具有改进的可靠性的存储器器件的半导体器件。所述半导体器件包括：至少一个数据引脚，被配置为传输数据信号；至少一个命令地址引脚，被配置为传输命令和地址；至少一个串行引脚，被配置为传输串行数据信号；以及处理电路，连接到所述至少一个数据引脚和所述至少一个串行引脚。所述处理电路被配置为通过至少一个数据引脚从外部接收数据信号，并且所述处理电路被配置为响应于所接收的数据信号而通过至少一个串行引脚输出串行数据信号。
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公开(公告)号：CN114721980A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202111079951.9
申请日：2021-09-15
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G06F13/16
摘要： 提供了一种加速器、包括加速器的计算系统以及加速器的操作方法。所述加速器包括：信号控制/监测电路，被配置为：基于监测从主机提供的信号，检测进入存储器装置的自刷新模式和退出自刷新模式；加速器逻辑，被配置为：生成第一命令/地址信号和第一条数据；以及选择器，被配置为：基于检测到进入自刷新模式而将第一命令/地址信号和第一条数据输出到存储器装置，并且基于检测到退出自刷新模式而将从主机提供的第二命令/地址信号和第二条数据输出到存储器装置。
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公开(公告)号：CN114678051A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202111454561.5
申请日：2021-12-01
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C11/408
摘要： 提供了一种包括具有改进的可靠性的存储器器件的电子设备。半导体器件包括：数据引脚，被配置为发送数据信号；命令/地址引脚，被配置为发送命令和地址；命令/地址接收器，连接到命令/地址引脚；以及计算单元，连接到命令/地址接收器，其中，命令/地址接收器通过命令/地址引脚从外部接收第一命令和第一地址并基于第一命令和第一地址生成第一指令，并且计算单元接收第一指令并基于第一指令执行计算。
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公开(公告)号：CN111258842B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201910846662.3
申请日：2019-09-09
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G06F11/30
摘要： 公开存储器模块和存储器系统。一种存储器系统包括：存储器装置，其中具有多个易失性存储器模块；以及存储器控制器，电结合到所述多个易失性存储器模块。存储器控制器被配置为：响应于由所述多个易失性存储器模块中的第一易失性存储器模块生成报警信号，校正所述多个易失性存储器模块中的第一易失性存储器模块中的错误，并且在生成报警信号时并发地进行刷新所述多个易失性存储器模块中的第二易失性存储器模块的至少一部分的操作。
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