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公开(公告)号:CN116991753A
公开(公告)日:2023-11-03
申请号:CN202310484622.5
申请日:2023-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储装置、用于存储装置的操作方法和存储控制器。所述存储装置包括:存储单元阵列;和命令/地址译码器,包括缓冲存储器、被配置为对命令/地址信息进行译码的第一译码逻辑电路和被配置为对地址表进行译码的第二译码逻辑电路。命令/地址译码器被配置为:通过第一译码逻辑电路对从存储控制器接收的第一命令进行译码以获得表同步命令,通过第二译码逻辑电路对自接收到第一命令起预定义时延之后从存储控制器接收到的数据进行译码以获得地址表,将地址表存储在缓冲存储器中,通过第一译码逻辑电路对从存储控制器接收的第二命令进行译码,以获得基于表的命令和与地址表相关联的索引信息,和对与索引信息相对应的地址执行基于表的命令。
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公开(公告)号:CN119229918A
公开(公告)日:2024-12-31
申请号:CN202410807805.0
申请日:2024-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/4063
Abstract: 根据实施例的存储器装置包括存储器单元阵列、寄存器和刷新控制器,所述存储器单元阵列包括放置在多个行中的多个存储器单元,所述寄存器被配置为存储对应于多个行的行地址和多个行的访问计数,所述刷新控制器被配置为基于存储的行地址和接收到刷新命令确定刷新地址,以及基于刷新地址与先前对目标行执行的刷新相关联并且对应于目标行的行的访问计数达到阈值而改变目标行的刷新周期。
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