公开(公告)号：CN118280984A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202311796168.3

申请日：2023-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 都擎逸 ,  郑镇雨 ,  宋周永 ,  李美珍 ,  全灿熙

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/74

Abstract: 一种器件，包括：第一可控硅整流器，包括连接到第一节点的第一阳极、连接到焊盘的第一阴极、以及第一栅极；第二可控硅整流器，包括连接到焊盘的第二阳极、连接到第二节点的第二阴极、以及第二栅极；以及后置二极管，从第二节点正向连接到第一栅极。

公开(公告)号：CN118522726A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410187184.0

申请日：2024-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权赫勳 ,  全灿熙 ,  都擎逸 ,  李美珍

IPC: H01L27/02

Abstract: 提供了一种用于使用双极结型晶体管的静电放电保护的装置，所述装置包括：第一阱，具有第一导电类型；第一栅电极，在第一阱上；第一区域和第二区域，在第一阱上均具有第二导电类型，并且第一栅电极设置在第一区域与第二区域之间；第三区域，在第一阱上具有第二导电类型；以及第四区域，在第一阱上具有第一导电类型。第一栅电极和第一区域电连接到第一节点，并且第三区域电连接到第二节点。

公开(公告)号：CN118282183A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202311835444.2

申请日：2023-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 都擎逸 ,  郑镇雨 ,  宋周永 ,  李美珍 ,  全灿熙

IPC: H02M1/32 ,  H01L27/02 ,  H02M7/155

Abstract: 一种电子设备包括连接在第一节点和第二节点之间的第一钳位电路，其中，第一钳位电路包括：对称双极晶体管，包括控制端子、第一电流端子和第二电流端子，其中，第一电流端子和第二电流端子相对于控制端子彼此对称；第一双极晶体管，电连接到对称双极晶体管和第一节点；以及第二双极晶体管，电连接到对称双极晶体管和第二节点。

公开(公告)号：CN118522725A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202311360546.3

申请日：2023-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 都擎逸 ,  郑镇雨 ,  宋周永 ,  李美珍 ,  全灿熙

IPC: H01L27/02

Abstract: 提供了用于使用可控硅整流器进行静电放电保护的装置。所述装置包括可控硅整流器，可控硅整流器包括阳极和阴极；至少一个第一晶体管，连接在可控硅整流器的阳极与栅极之间；以及第二晶体管，包括连接到阴极或阳极之中的一个的源极和连接到所述至少一个第一晶体管的体的漏极。

公开(公告)号：CN112928110A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202011036926.8

申请日：2020-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡震 ,  李美珍 ,  金楠琥 ,  全灿熙

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06

Abstract: 半导体器件包括：第一阱区，在衬底中并且彼此间隔开；连接掺杂区，在第一阱区之间；以及第一互连线，通过第一触点电连接到连接掺杂区。第一阱区和连接掺杂区包括具有第一导电类型的杂质，并且连接掺杂区中的杂质的浓度高于第一阱区中的杂质的浓度。第一阱区延伸到衬底中的深度大于连接掺杂区延伸到衬底中的深度。连接掺杂区的第一部分设置在第一阱区中，并且连接掺杂区的第二部分接触衬底。

公开(公告)号：CN115966243A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211241025.1

申请日：2022-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申院济 ,  金成峻 ,  金熙东 ,  裵敏秀 ,  徐一雄 ,  李美珍 ,  李昇周 ,  李贤淑 ,  崔仁寿 ,  韩基悳

IPC: G11C29/42 ,  G11C29/12 ,  G06F11/10

Abstract: 公开了一种存储器模块、存储器系统和存储器控制器的操作方法。所述存储器系统包括存储器模块和存储器控制器，存储器模块包括第一存储器装置至第四存储器装置和第一纠错码(ECC)装置，存储器控制器通过8条数据线与第一存储器装置至第四存储器装置中的每个存储器装置交换第一用户数据，并通过4条数据线与第一ECC装置交换第一ECC数据。存储器控制器包括ECC引擎，ECC引擎基于第一ECC数据纠正第一用户数据的32位随机错误。

公开(公告)号：CN114442918A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111260222.3

申请日：2021-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李美珍 ,  金东润 ,  金玟赫 ,  金成峻 ,  文盛业 ,  李钟荣

IPC: G06F3/06

Abstract: 公开了存储器模块及其操作方法。所述存储器模块包括：多个动态随机存取存储器(DRAM)；控制器，被配置为控制DRAM的操作；以及有源装置，被配置为：响应于检测到在所述多个DRAM中的至少一个中发生的错误，生成中断并存储与错误对应的错误信息。

公开(公告)号：CN113782527A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202110246328.1

申请日：2021-03-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡震 ,  李美珍 ,  全燦熙

IPC: H01L27/02

Abstract: 提供一种具有小尺寸、低导通电压和低导通电阻的静电放电(ESD)器件以及包括该ESD器件的ESD保护电路。ESD器件包括：阱，形成在衬底中，以具有第一导电类型；有源区域，被限定在衬底的上部；多个鳍，在第一方向上延伸，以具有从衬底突出的结构；第一导电杂质区域，使用第一导电杂质形成；第二导电杂质区域，使用第二导电杂质形成；以及鳍切割隔离区域，在第一方向上设置在第一导电杂质区域与第二导电杂质区域之间，以切割每一个鳍，其中，鳍切割隔离区域的底表面高于有源区域的底表面。