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公开(公告)号：CN105247658A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480031048.7
申请日：2014-05-02
Applicant: 三垦电气株式会社 , 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0251 , H01L29/1075 , H01L29/157 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/36 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787
Abstract: 本发明是一种半导体基板，其特征在于，其具有：硅系基板；缓冲层，该缓冲层设于前述硅系基板上，且由含有硼的氮化物系半导体所构成；及，有源层，该有源层被形成于前述缓冲层上；并且，前述缓冲层的硼浓度，从前述硅系基板侧朝向前述有源层侧逐渐减少。由此，本发明提供一种半导体基板，其在缓冲层中含有足够得到位错抑制效果的硼，并且硼不会扩散到有源层。
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公开(公告)号：CN109979838B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201810058084.2
申请日：2018-01-22
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及检测半导体器件的裂纹的方法。该半导体器件包括裂纹传感器，该裂纹传感器具有SBD结构；该SBD结构至少配置在半导体本体的第一面上，并且配置为检测该半导体本体的第一面上的裂纹。因此，该裂纹传感器能够检测该半导体器件的表面上的裂纹，精度高且结构简单。
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公开(公告)号：CN110707064B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201810818358.3
申请日：2018-07-24
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括：单极性部件，该单极性部件至少包括第一外延层和第一基板；以及旁路部件，该旁路部件至少包括第二外延层和第二基板，且该单极性部件和该旁路部件并联；其中，该单极性部件的厚度与该旁路部件的厚度之差小于或等于预定值。
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公开(公告)号：CN109309118B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201710670126.3
申请日：2017-08-08
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：配置在上区域与下区域之间的中间区域；该中间区域内的第一导电类型的掺杂浓度低于漂移层内的该第一导电类型的掺杂浓度。因此，在施加后向偏压时，可延伸消耗层并且将该消耗层与该下区域连接；且可减小该上区域的电场。
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公开(公告)号：CN107004579B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201580064038.8
申请日：2015-11-06
Applicant: 三垦电气株式会社 , 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/20 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种外延晶片，其特征在于，具有：硅系基板；第一缓冲层，配置于硅系基板上，具有第一多层结构缓冲区域与第一插入层，前述第一多层结构缓冲区域由AlxGa1‑xN层与AlyGa1‑yN层交互配置而成，前述第一插入层由比AlyGa1‑yN层更厚的AlzGa1‑zN层构成，x>y、x>z，前述第一缓冲层由第一多层结构缓冲区域与第一插入层交互配置而成；第二缓冲层，配置于第一缓冲层上，具有第二多层结构缓冲区域与第二插入层，前述第二多层结构缓冲区域由AlαGa1‑αN层与AlβGa1‑βN层交互配置而成，前述第二插入层由比AlβGa1‑βN层更厚的AlγGa1‑γN层构成，α>β、α>γ，前述第二缓冲层由第二多层结构缓冲区域与第二插入层交互配置而成；以及，通道层，配置于第二缓冲层上，比第二插入层更厚，并且，第二缓冲层的平均铝组成比第一缓冲层的平均铝组成更高。由此，提供一种外延晶片，能够降低晶片的翘曲并抑制发生内部龟裂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106165072B
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201580018718.6
申请日：2015-03-05
Applicant: 三垦电气株式会社 , 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/338 , H01L21/205 , H01L29/207 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明是一种半导体基板，其具有：基板；所述基板上的缓冲层；高电阻层，其由所述缓冲层上的氮化物系半导体所构成且包含过渡金属和碳；以及，通道层，其由所述高电阻层上的氮化物系半导体所构成；所述半导体基板的特征在于，所述高电阻层具有减少层，所述减少层邻接于所述通道层，并且所述过渡金属浓度是自所述缓冲层侧朝向所述通道层侧减少；并且，碳浓度朝向所述通道层减少的减少率，比所述过渡金属浓度朝向所述通道层减少的减少率更大。由此，提供一种半导体基板，其能够一面降低通道层内的碳浓度和过渡金属浓度，一面谋求高电阻层的通道层侧区域的高电阻化。
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公开(公告)号：CN110707064A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201810818358.3
申请日：2018-07-24
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括：单极性部件，该单极性部件至少包括第一外延层和第一基板；以及旁路部件，该旁路部件至少包括第二外延层和第二基板，且该单极性部件和该旁路部件并联；其中，该单极性部件的厚度与该旁路部件的厚度之差小于或等于预定值。
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公开(公告)号：CN110071033A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201810151850.X
申请日：2018-02-14
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/302 , H01L23/12
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体晶片以及形成半导体的方法。该半导体晶片包括：第一半导体元件，该第一半导体元件具有第一器件；第二半导体元件，该第二半导体元件具有第二器件；绝缘层，该绝缘层侧向延伸到该第一半导体元件和该第二半导体元件；以及研磨层，该研磨层配置在该半导体晶片的背面上或临近于该半导体晶片的背面。因此，在制薄过程中(例如背面研磨)将研磨层暴露时，可以减少或避免碎屑或裂纹。
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公开(公告)号：CN105264644B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201480031035.X
申请日：2014-05-02
Applicant: 三垦电气株式会社 , 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC classification number: H01L21/02658 , C30B23/025 , C30B25/18 , C30B25/186 , C30B29/06 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/0254 , H01L21/0259 , H01L21/02595 , H01L21/02598 , H01L21/2251 , H01L21/2258 , H01L29/36 , H01L29/66462 , H01L29/7786
Abstract: 本发明是一种硅系基板，其用以在表面形成氮化物系化合物半导体层，其特征在于，其具有：第一部分，该第一部分具有第一杂质浓度且位于所述硅系基板的表面侧；及，第二部分，该第二部分具有比前述第一杂质浓度高的第二杂质浓度，且位于所述硅系基板的比前述第一部分更内侧处；并且，前述第一杂质浓度是1×1014原子/cm3以上且未满1×1019原子/cm3。由此，提供一种硅系基板，其可改善基板的翘曲，并良好地维持形成于上层的氮化物系化合物半导体层的结晶性。
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公开(公告)号：CN105247665B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201480031054.2
申请日：2014-05-02
Applicant: 三垦电气株式会社 , 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/338 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787
Abstract: 本发明是一种半导体装置，其特征在于，其具有：硅系基板；第一缓冲层，该第一缓冲层设置于前述硅系基板上，由含有Al成份的第一层与Al含量比前述第一层少的第二层交互积层而成；第二缓冲层，该第二缓冲层设置于前述第一缓冲层上，由含有Al成份的第三层与Al含量比前述第三层少的第四层交互积层而成；及，第三缓冲层，该第三缓冲层设置于前述第二缓冲层上，由含有Al成份的第五层与Al含量比前述第五层少的第六层交互积层而成；并且，整体来说，前述第二缓冲层的Al含量，比前述第一缓冲层和前述第三缓冲层多。由此，提供一种半导体装置，其可减低施加在缓冲层上的应力，并抑制漏电流、改善有源层顶面的平坦性。
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