公开(公告)号：CN114503284A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202080069872.7

申请日：2020-10-02

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 今藤修

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47

摘要： 一种半导体元件，其至少包含层叠结构体，所述层叠结构体通过在由氧化物半导体膜构成的半导体层上层叠第一金属层、第二金属层和第三金属层而成，第一金属层、第二金属层和第三金属层分别由互不相同的一种或两种以上的金属构成，第一金属层和第三金属层之间配置有第二金属层，第二金属层包含Pt或/和Pd，第一金属层与所述半导体层欧姆接触。

公开(公告)号：CN114342044A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080062714.9

申请日：2020-07-08

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 菅野亮平

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/40

摘要： 通过雾化至少包含铝的第一原料溶液而生成第一雾化液滴，进而雾化至少包含镓和掺杂剂的第二原料溶液人生成第二雾化液滴，接着，使用第一载气将第一雾化液滴运送到制膜室内，使用第二载气将第二雾化液滴运送到制膜室内后，第一雾化液滴和第二雾化液滴在制膜室内混合，使混合的雾化液滴在基体表面附近发生热反应，从而在所述基体上形成以至少包含铝和镓的金属氧化物作为主成分且具有刚玉结构的氧化物膜，所述氧化物膜的主面为m面。

公开(公告)号：CN113891859A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202080039782.3

申请日：2020-03-30

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 松田时宜 ,  佐佐木贵博 ,  人罗俊实 ,  高桥勲

IPC分类号： C01G45/00 ,  H01C7/04 ,  C23C16/40

摘要： 作为实施方式之一，本发明涉及一种晶体，包含金属氧化物，所述金属氧化物包含Ga和Mn并具有刚玉结构。

公开(公告)号：CN112424946A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980046475.5

申请日：2019-07-11

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 杉本雅裕 ,  高桥勋 ,  四户孝

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

摘要： 本发明提供了一种半导体装置，其特征在于，至少具有反型沟道区域，所述反型沟道区域具有包含结晶的氧化物半导体膜，所述结晶至少含有氧化镓。

公开(公告)号：CN112368429A

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201980043090.3

申请日：2019-06-21

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 高桥勋 ,  四户孝

IPC分类号： C30B29/16 ,  C23C16/02 ,  C23C16/455 ,  C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368

摘要： 本发明提供一种即使在刚玉结构中也能够在工业上有利地形成减少了由于小面生长引起的位移等的缺陷的外延膜的成膜方法。在具有刚玉结构的晶体基板的晶体生长面上，直接或经由其他层形成外延膜时，使用在晶体生长面上形成有至少包括凹部或凸部的凹凸部的晶体基板，通过将含有金属的原料溶液雾化，使液滴飘浮，将得到的雾化液滴用载气运送到所述晶体基板附近，接着，在设为供给限速的条件下，使所述雾化液滴产生热反应来形成外延膜。

公开(公告)号：CN110952077A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201911347903.6

申请日：2015-08-28

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 织田真也 ,  人罗俊实

IPC分类号： C23C16/448 ,  C23C16/18

摘要： 提供一种能够有利于工业上形成密合性优良的金属膜的金属膜形成方法以及通过其方法形成的金属膜。一种在基体上形成金属膜的金属膜形成方法，包括在氧化剂、胺化合物或者质子酸的有机溶剂中,使金属溶解或分散形成原料溶液，将原料溶液雾化产生雾的雾化工序，将载气提供给所述雾的载气供给工序,通过所述载气将所述雾提供给所述基体的供给工序和使所述雾热反应，在所述基体表面的一部分或者全部层积金属膜的金属膜形成工序。

公开(公告)号：CN110870079A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201880045648.7

申请日：2018-07-06

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 杉本雅裕 ,  高桥勲 ,  神原仁志 ,  四戸孝 ,  人罗俊实

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

摘要： 本发明提供一种特别对功率器件有用的半导体特性优异的半导体装置。一种半导体装置，至少具备半导体区域和设置在该半导体区域上的势垒电极，在所述半导体区域与所述势垒电极之间设置有势垒高度调整区域，与所述半导体区域与所述势垒电极的界面中的势垒高度相比，所述势垒高度调整区域与所述势垒电极之间的势垒高度更大，在所述半导体区域表面嵌入有多个所述势垒高度调整区域。

公开(公告)号：CN110828551A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911118243.4

申请日：2015-07-21

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 人罗俊实 ,  织田真也 ,  高塚章夫

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

摘要： 本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。

公开(公告)号：CN110828536A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911117985.5

申请日：2015-07-21

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 人罗俊实 ,  织田真也 ,  高塚章夫

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L21/02 ,  H01L29/739 ,  H01L29/772 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L21/331 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329 ,  H01L33/44 ,  C23C16/448 ,  C23C16/40

摘要： 本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。

公开(公告)号：CN110684960A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201911118021.2

申请日：2015-07-21

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 人罗俊实 ,  织田真也 ,  高塚章夫

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  H01L21/02 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L21/331 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/772 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/44

摘要： 本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。