公开(公告)号：CN111771260B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN201980014614.6

申请日：2019-02-15

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 石桥知淳

IPC: H01L21/304

Abstract: 提供清洗力较高的基板清洗装置和基板清洗方法。提供基板清洗装置，具备：基板旋转机构，该基板旋转机构使基板旋转；以及第一喷嘴和第二喷嘴，该第一喷嘴和第二喷嘴朝向旋转的所述基板的规定面喷射超声波清洗液，所述第一喷嘴与所述第二喷嘴保持于一个壳体。

公开(公告)号：CN118331523A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202311832645.7

申请日：2023-12-28

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 竹内滉生 ,  藤木雅之

IPC: G06F3/14

Abstract: 本发明提供半导体制造装置中的信息显示方法及计算机程序。在半导体制造装置中，能够确认对测定数据进行的计算处理的具体计算条件。半导体制造装置中的信息显示方法包括：获取与上述半导体制造装置中的基板的处理相关的一个或多个时间序列测定数据的步骤；通过对上述一个或多个时间序列测定数据进行统计处理而得到一个或多个统计值的步骤；基于上述一个或多个统计值中的一个选择，确定在用于得到上述选择出的一个统计值的统计处理中所使用的统计处理条件的步骤；以及显示上述确定出的统计处理条件的步骤。

公开(公告)号：CN112171503B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202010624838.3

申请日：2020-07-02

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 阿部敦史 ,  渡边和英 ,  高桥太郎

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/20 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B57/02

Abstract: 本发明提供一种涡电流传感器和研磨装置，该涡电流传感器比公知技术改善了在晶片的边缘区域检测膜厚精度。用于测定形成于基板的导电性膜的膜厚的涡电流传感器具有：作为磁性体的磁芯(136)，其具有：基部(120)，及分别在基部(120)的第一方向(122)的两端部(186)设于基部(120)的外脚(134)；励磁线圈，其配置于磁芯(136)，用于在导电性膜中形成涡电流；及检测线圈，其配置于磁芯(136)，用于检测形成于导电性膜中的涡电流。基部(120)在第一方向(122)的长度，大于基部(120)在与第一方向(122)实质地正交的第二方向(148)的长度。

公开(公告)号：CN109524327B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN201811094365.X

申请日：2018-09-19

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 末政秀一

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供磨合装置、磨合系统以及存储介质。磨合装置(100)具有：供给部(20)，该供给部供给清洗液；基板支承部(30)，该基板支承部保持虚设基板W1；以及清洗部件保持部(40)，该清洗部件保持部通过使清洗部件(200)一边旋转一边与所述虚设基板接触(W1)而对所述清洗部件(200)进行磨合处理。

公开(公告)号：CN118254109A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311818664.4

申请日：2023-12-27

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 椛泽雅志 ,  八木圭太 ,  盐川阳一 ,  佐佐木俊光 ,  江川康兵

IPC: B24B49/00 ,  B24B37/10 ,  B24B7/22 ,  B24B37/005

Abstract: 本发明提供一种能够更适当地计算出研磨部件的切削速率的基板研磨装置、基板处理装置、校正方法及存储介质。基板研磨装置具备：高度检测部，该高度检测部测定研磨部件的表面高度；以及切削速率计算部，该切削速率计算部基于表面高度来计算研磨部件的切削速率，在计算出的本次的切削速率在搜索范围外的情况下，切削速率计算部基于过去计算出的切削速率来校正本次的切削速率。

公开(公告)号：CN113279040B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202110189050.9

申请日：2021-02-19

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 阿部贵宏 ,  对马拓也 ,  平尾智则

IPC: C25D17/06 ,  C25D5/02 ,  C25D7/12 ,  C25D5/54 ,  C25D21/12

Abstract: 本发明提供能够适当地保持基板的基板保持装置。上述基板具有：被电镀部，暴露于电镀液；以及边缘部亦即上述被电镀部的外侧区域。上述基板保持装置具备：把持模块，用于通过与基板的上述边缘部接触来把持基板；吸引模块，用于吸引并保持基板的上述被电镀部；以及凸部，设置于基板中的与上述被电镀部对应的位置，比上述吸引模块向被上述基板保持装置保持的基板突出。

公开(公告)号：CN118251290A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202280076154.1

申请日：2022-10-21

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 中西正行

IPC: B24B37/10 ,  B24B9/00 ,  B24B21/00 ,  B24B49/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明关于一种处理晶圆等基板的基板处理装置，特别是关于进行基板的斜角部的研磨及基板平面部的CMP处理的基板处理方法及基板处理装置。基板处理方法是用研磨具研磨多个基板(W)的斜角部(B)，以使多个基板(W)的斜角部(B)的倾斜面(S)的倾斜角度(α)相同，对斜角部(B)被研磨后的多个基板(W)的平面部(P)进行CMP处理。

公开(公告)号：CN118247076A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311760632.3

申请日：2023-12-20

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 加贺谷俊介

IPC: G06Q50/04 ,  G06Q10/063 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供半导体制造装置的生产率的计算方法、半导体制造装置以及计算机程序。高精度地求得半导体制造装置的生产率。提供一种方法，是具备多个单元的半导体制造装置的生产率的计算方法，包括：获取与上述半导体制造装置中的基板的处理相关的处理参数的步骤；从存储装置获取关于上述多个单元的各单元的维护信息的步骤，其中，上述维护信息包括关于上述多个单元的上述各单元的、在直至上述半导体制造装置中的上述基板的处理完成为止的期间所预定的维护的时机及其所需的时间的信息；以及基于上述处理参数及上述维护信息来计算上述半导体制造装置的生产率的步骤。

公开(公告)号：CN118231288A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311737705.7

申请日：2023-12-18

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 出口和摩

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明为半导体制造装置的运转控制方法及半导体制造装置，在半导体制造装置中当故障发生时抑制生产能力的降低。一种半导体制造装置的运转控制方法，该半导体制造装置具备各自具有多个子模块的一个或多个处理模块，包括如下步骤：对所述多个子模块中的至少一个是否发生了故障进行判定；对在所述发生了故障的子模块所属的处理模块中是否存在未发生故障的至少一个子模块进行判定；取得使所述发生了故障的子模块停止而使所述一个或多个处理模块工作时的生产能力；对所述生产能力是否大于规定的阈值进行判定；以及在所述生产能力大于所述规定的阈值的情况下通过使所述发生了故障的子模块停止来继续进行所述一个或多个处理模块的工作。

公开(公告)号：CN114109799B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202111448722.X

申请日：2018-03-13

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 舞鴫惠治 ,  杉浦哲郎 ,  臼井克明 ,  畠山雅规 ,  本间知佳子 ,  大须贺透 ,  岩崎弘一 ,  林介元

IPC: F04B51/00 ,  F04C28/28 ,  F04D27/00 ,  G06F17/18 ,  G05B19/418

Abstract: 一种信息处理装置及信息处理方法，信息处理装置具有比较部，该比较部参照存储部，对从运转中的真空泵的状态量数据检测出的异常数据的倾向与存储于所述存储部的基准数据进行比较，并输出比较结果，所述存储部存储有使用已故障的真空泵的状态量数据中检测出的异常数据的倾向而决定的用于判定到达故障的可能性的基准数据。