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公开(公告)号：CN105514069B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201510671542.6
申请日：2015-10-13
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H01L23/48
Abstract: 本发明涉及带功率半导体模块、直流电压汇流排和电容器器件的装置，其还包括连接器件，功率半导体模块具有面式构造的带接触部段的直流电压联接导体，其至少在各自接触部段处和附近的区域中在其各自的法向量方向上彼此紧密相邻；电容器器件具有面式构造的带接触部段的电容器联接导体；直流电压汇流排具有带接触部段的子导轨；连接器件具有带压头的轭和配属的支座，直流电压联接导体的各自接触部段和电容器器件或直流电压汇流排的按电路要求配属的接触部段在法线方向上面式上下叠置地在压头与支座之间夹紧并因此彼此力锁合地导电连接，电容器器件或直流电压汇流排至少在各自接触部段处和附近的区域中在其各自的法向量方向上彼此紧密相邻。
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公开(公告)号：CN109390291A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810861582.0
申请日：2018-08-01
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Abstract: 提出了一种功率半导体模块，其形成为具有基板，壳体和由所述壳体包围的开关装置布置在所述基板上，其中所述开关装置具有基底和连接装置，所述连接装置具有第一和第二主区域，其中功率半导体组件布置在所述基底的导体迹线上，并且具有压力装置，所述压力装置形成为能够在基底的法线方向上移动；所述压力装置具有压力体和压力引入体，其中压力元件以从压力体突出的方式布置，其中压力元件压在连接装置的第二主区域的部分上，所述部分被布置在功率半导体组件的沿着基底的法线方向的投影区域内；以及其中压力引入体借助于接合在所述基板的相对轴承中的至少两个紧固装置支撑在基板上，并且其中所述相对的轴承和所述基底的几何中心点布置在一条直线上。
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公开(公告)号：CN105375741B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201510494671.2
申请日：2015-08-12
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种开关柜，该开关柜具有柜架、第一和第二电流转换装置以及电连接夹紧装置，其中，第一电流转换装置具有第一直流电压正电位联接元件和第一直流电压负电位联接元件，其中，第二电流转换装置具有第二直流电压正电位联接元件和第二直流电压负电位联接元件，其中，连接夹紧装置具有导电的第一夹紧元件、布置成与第一夹紧元件电绝缘的导电的第二夹紧元件以及压力产生装置，该压力产生装置被构造成用于产生将第二夹紧元件朝着第一夹紧元件的方向挤压的压力，其中，第一夹紧元件经由不导电的绝缘体与柜架电绝缘地与柜架机械地连接。本发明还涉及一种带电流转换装置的开关柜，在该开关柜中，可以快速且简单地更换电流转换装置。
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公开(公告)号：CN104980046B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201510166604.8
申请日：2015-04-09
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Inventor： M·埃贝尔
Abstract: 提出一种功率转换器布置，其包括：具有第一腔室和第二腔室的壳体，第二腔室通过分隔体与第一腔室分隔开；功率半导体模块和电容器装置，电容器装置通过连接装置导电地连接到功率半导体模块。在该情况下，功率半导体模块、连接装置和电容器装置的连接元件布置在第一腔室内，其中电容器装置通过第一和第二腔室之间的分隔体延伸到第二腔室内以冷却电容器装置；其中分隔体具有第一切除部，电容器装置延伸通过第一切除部；其中平坦的弹性密封体布置于分隔体的表面上，弹性密封体围绕第一切除部沿周向延伸，且弹性密封体延伸到第一切除部的区域内并在该处以密封的方式围绕电容器装置；及其中按压体将密封体按压抵靠分隔体并以密封的方式终止于该处。
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公开(公告)号：CN109256372A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810768541.7
申请日：2018-07-13
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L25/16 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开具有DC和AC电压端子元件的功率电子子模块及其组件，其包括具有基板和布置在其上的印刷导体的开关装置。子模块包含DC电压印刷导体，DC电压端子件以导电方式连接DC导体；AC电压印刷导体，AC电压端子件以导电方式连接AC导体。子模块还包括以框架布置包围开关装置的绝缘模制件。DC电压端子件由第一接触区段接合模制件的第一支撑体，且AC电压端子件由第二接触区段接合模制件的第二支撑体。为此，第一夹持装置构造成以电绝缘方式突出通过第一支撑体中的第一凹部且在DC电压端子件和相关DC电压连接件间形成导电夹持连接，第二夹持装置构造成以电绝缘方式突出通过第二支撑体中的第二凹部并在AC电压端子件和相关AC电压连接件间形成导电夹持连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108206213A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711347764.8
申请日：2017-12-15
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H01L29/745 , H01L21/332
CPC classification number: H01L29/74 , H01L29/0638 , H01L29/0661 , H01L29/745 , H01L29/66363
Abstract: 本发明涉及一种晶闸管和用于制造晶闸管的方法。该晶闸管具有半导体本体，半导体本体具有第一导体类型的第一半导体区，半导体本体具有第二导体类型且与第一半导体区的内侧接触并延伸到半导体本体边缘的第二半导体区，半导体本体具有在第二半导体区上布置的第一导体类型的第三半导体区和在第三半导体区中布置的第二导体类型的第四半导体区，半导体本体具有第二导体类型且被布置在半导体本体的边缘区中的第二半导体区上的第五半导体区，第五半导体区的第一外表面构成第二半导体本体主侧的区，第五半导体区与半导体本体边缘平行布置，半导体本体包含第一凹槽，其源自第二半导体本体主侧的第一表面，平行于半导体本体边缘伸展并延伸到第二半导体区。
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公开(公告)号：CN107644858A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710600889.0
申请日：2017-07-21
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L21/60 , H01L23/367 , H01L23/433 , H01L25/07
CPC classification number: H01L24/72 , H01L23/36 , H01L23/4093 , H01L23/42 , H01L23/49811 , H01L23/4985 , H01L24/50 , H01L24/73 , H01L24/90 , H01L25/072 , H01L2224/18
Abstract: 本发明涉及功率电子开关装置、其布置结构及制造开关装置的方法。该开关装置包括基底以及功率半导体组件，包括连接装置和压力装置，基底具有彼此电绝缘的导体轨道，并且功率半导体组件被布置在导体轨道中的一个上，连接装置被构造为包括导电膜和电绝缘膜的膜复合物，并且从而形成第一和第二主表面，开关装置通过连接装置在内部以符合电路的方式连接，并且功率半导体组件的第一主表面的接触区域以强制锁定且导电的方式与基底的所指配的导体轨道的第一接触区域连接，压力装置具有压力体以及压力元件，压力元件压在膜复合物的第二主表面的第一区段上，并且所述第一区段被布置在功率半导体组件的区域之内，以在沿着功率半导体组件的法线方向上突出。
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公开(公告)号：CN107644818A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710599548.6
申请日：2017-07-21
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H01L21/603 , H01L23/40 , H01L23/48 , H01L25/07
CPC classification number: H01H1/20 , H01H9/52 , H01L23/4093 , H01L23/42 , H01L23/49811 , H01L23/4985 , H01L24/72 , H01L24/90 , H01L25/072 , H01L2224/18
Abstract: 本发明涉及功率电子开关装置、其布置结构及制造开关装置的方法。该开关装置包括基底、连接装置和压力装置，其中，基底具有彼此电绝缘的导体轨道，并且功率半导体组件以其第一主表面布置在导体轨道中的一个上并且与其导电地连接，其中，连接装置构造为包括导电膜和电绝缘膜的膜复合物并且由此形成第一和第二主表面，其中，开关装置借助连接装置在内部以符合电路的方式连接，并且在此情形下，功率半导体组件的第二主表面的接触区域以强制锁定且导电的方式连接到连接装置的第一主表面的第一接触区域，为此，压力装置具有压力体以及在功率半导体组件的方向上突出的压力元件。
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公开(公告)号：CN104078428B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201410119568.5
申请日：2014-03-27
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
CPC classification number: H05K5/069 , H01L21/50 , H01L23/04 , H01L23/293 , H01L23/296 , H01L2924/0002 , H05K7/02 , H05K13/00 , Y10T29/41 , H01L2924/00
Abstract: 一种功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法，其具有第一壳体件和形成结构单元的直流电压负载连接设备，第一壳体件具有凹隙，直流电压负载连接设备具有第一和第二直流电压负载连接元件，第一直流电压负载连接元件具有布置在凹隙中的第一穿通区段，第二直流电压负载连接元件具有布置在凹隙中的第二穿通区段，在第一与第二穿通区段之间构造有间隙，第一和第二穿通区段利用弹性体来包裹，弹性体填充间隙，弹性体与第一和第二穿通区段材料锁合地连接，使得第一和第二穿通区段相对于第一壳体件密封。直流电压负载连接元件可靠地并且具有很高的温度变化耐受性地相对于功率半导体模块的壳体密封，直流电压负载连接元件之间的间距能够很小地实施。
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公开(公告)号：CN103545195B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201310291734.5
申请日：2013-07-11
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H01L21/301 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0006 , B23K26/359 , B23K26/361 , B23K26/389 , B23K26/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , B28D5/0011
Abstract: 本发明涉及一种基底和断裂准备至少一个功率半导体构件的基底的方法，该方法具有以下方法步骤：a）提供基底（1），其中，基底（1）具有不导电的绝缘材料体（2），b）在绝缘材料体（2）上沿着基底（1）的期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）进行材料剥除，其中，材料剥除以如下方式执行，即，在至少两个期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）相会的角区域（14）中执行相对于在期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）的其余区域（17）中所执行的材料剥除更高度的材料剥除。本发明能够实现在断裂用于至少一个功率半导体构件的基底（1）时减少在绝缘材料体（2）上的不期望的裂缝。
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