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公开(公告)号：CN108832797A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810232211.6
申请日：2018-03-21
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H02M1/00
Abstract: 一种具有DC电压连接元件的电力电子装置，其设计为具有功率转换器模块、第一和第二DC电压端子元件以及以导电方式按正确极性连接到导体迹线的第一和第二DC电压连接元件，其中类似于第一和第二DC电压连接元件，第一和第二DC电压端子元件在各情况下始终以在它们之间布置有绝缘部件的状态形成堆叠，第一DC电压端子元件具有由此被包围在第一主平面中的第一凹部，第二DC电压连接元件具有由此被包围在第三主平面中且与第一凹部对齐的第二凹部，第二DC电压端子元件和第一DC电压连接元件布置在位于第一和第三主平面之间的第二主平面中，并且在凹部的区域中沿横向彼此间隔开。在该装置中，夹紧设备以电绝缘方式延伸穿过第一和第二凹部，由此在第一DC电压端子元件和第一DC电压连接元件之间及在第二DC电压端子元件和第二DC电压连接元件之间形成导电夹紧连接。
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公开(公告)号：CN110416102B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN201910316531.4
申请日：2019-04-19
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H01L21/603
Abstract: 本发明涉及功率半导体部件与基底经烧结彼此连接的压力烧结方法，具有以下接连步骤：a)提供烧结部件布置，具有：工件载体，具有凹部；基底，搁置在工件载体的主表面上，功率半导体部件布置在基底上，其中待烧结的烧结材料布置在功率半导体部件和基底之间，其中第一部件和基底的第一区域布置成沿绝缘层的第一主侧的法线方向处在工件载体上方，与工件载体的第一凹部齐平，第二部件和基底的第二区域布置成沿绝缘层的第一主侧的法线方向处在工件载体上方，与工件载体的第二凹部齐平，b)对部件加压并对烧结材料施用温度处理，基底的第一区域的一部分被压入到第一凹部中，基底的第二区域的一部分被压入到第二凹部中，且烧结材料被转变成烧结金属。
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公开(公告)号：CN115881671A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211192534.X
申请日：2022-09-28
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/498 , H01L25/07 , H01R4/02 , H01G4/228
Abstract: 本发明涉及具有直流电压连接装置的功率半导体模块，具有基板、功率半导体器件以及直流电压连接装置，该连接装置具有第一和第二扁平导体连接元件和至少一个第一金属层连接元件和至少一个第二金属层连接元件，第二导体连接元件布置成在第一导体连接元件的法线方向上与第一导体连接元件间隔开，第一导体连接元件借助于第一金属层连接元件导电连接到金属层，第二导体连接元件借助于第二金属层连接元件导电连接到金属层，第一导体连接元件具有扁平导体端部和扁平导体连接部，该连接部布置在第一金属层连接元件和端部之间，在连接部的从第一金属层到端部的路线中，端部的宽度大于连接部的最小宽度，端部的至少一个区域不与第二导体连接元件重叠。
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公开(公告)号：CN109256372A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810768541.7
申请日：2018-07-13
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L25/16 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开具有DC和AC电压端子元件的功率电子子模块及其组件，其包括具有基板和布置在其上的印刷导体的开关装置。子模块包含DC电压印刷导体，DC电压端子件以导电方式连接DC导体；AC电压印刷导体，AC电压端子件以导电方式连接AC导体。子模块还包括以框架布置包围开关装置的绝缘模制件。DC电压端子件由第一接触区段接合模制件的第一支撑体，且AC电压端子件由第二接触区段接合模制件的第二支撑体。为此，第一夹持装置构造成以电绝缘方式突出通过第一支撑体中的第一凹部且在DC电压端子件和相关DC电压连接件间形成导电夹持连接，第二夹持装置构造成以电绝缘方式突出通过第二支撑体中的第二凹部并在AC电压端子件和相关AC电压连接件间形成导电夹持连接。
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公开(公告)号：CN108832797B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201810232211.6
申请日：2018-03-21
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H02M1/00
Abstract: 一种具有DC电压连接元件的电力电子装置，其设计为具有功率转换器模块、第一和第二DC电压端子元件以及以导电方式按正确极性连接到导体迹线的第一和第二DC电压连接元件，其中类似于第一和第二DC电压连接元件，第一和第二DC电压端子元件在各情况下始终以在它们之间布置有绝缘部件的状态形成堆叠，第一DC电压端子元件具有由此被包围在第一主平面中的第一凹部，第二DC电压连接元件具有由此被包围在第三主平面中且与第一凹部对齐的第二凹部，第二DC电压端子元件和第一DC电压连接元件布置在位于第一和第三主平面之间的第二主平面中，并且在凹部的区域中沿横向彼此间隔开。在该装置中，夹紧设备以电绝缘方式延伸穿过第一和第二凹部，由此在第一DC电压端子元件和第一DC电压连接元件之间及在第二DC电压端子元件和第二DC电压连接元件之间形成导电夹紧连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115579332A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202210826365.4
申请日：2022-06-20
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H01L23/32 , H01L25/07 , H01L23/043 , H01L23/40 , H01L23/48
Abstract: 本发明涉及一种对功率半导体模块的功率半导体组件施加压力的按压设备，其以间接或直接的方式施加压力，所述按压设备具有：按压板；按压块元件，其由弹性材料形成，并具有按压块板和从该按压块板突出的按压块；以及接纳设备，其用于接纳按压块元件，所述接纳设备具有基座板，所述基座板设有凹进，其中所述凹进延伸穿过基座板，其中按压块板被布置在基座板上，并且按压块延伸穿过所述凹进并且在基座板的背对按压块板的主侧上突出超过基座板的该主侧，其中按压块板被布置在按压板与基座板之间。
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公开(公告)号：CN115117011A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210275939.3
申请日：2022-03-21
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/485 , H01L23/14 , H01R12/77
Abstract: 本发明涉及功率半导体模块和生产功率半导体模块的方法，该模块包括基板、功率半导体组件、壳体元件和DC电压连接装置，电压连接装置具有扁平引线连接装置和第二扁平引线连接元件，扁平引线连接装置具有第一扁平引线连接元件，其被扁平引线连接装置的塑料元件包封并与塑料元件材料结合，第一连接元件的连接部段从塑料元件突出，第二连接元件的连接部段布置在塑料元件上或者至少部分地被塑料元件围封，并且与塑料元件材料结合，使得塑料元件的一部段布置在第一连接元件与第二连接元件的连接部段之间，电压连接装置与壳体元件材料结合，第一连接元件的连接部段的至少一个部分和第二连接元件的连接部段的至少一个部分布置在壳体元件外。
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公开(公告)号：CN114334878A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111151952.X
申请日：2021-09-29
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Inventor： 亚历山大·魏纳
IPC: H01L23/48
Abstract: 本发明涉及压入式接触元件和具有该接触元件的功率半导体模块，该压入式接触元件具有压入部、具有脚部并且具有布置在该压入部和脚部之间的位置补偿部，其中，该压入接触元件具有纵向方向、第一横向方向以及第二横向方向，其中，该位置补偿部具有第一凸耳元件和第二凸耳元件，该第一凸耳元件沿正的第一横向方向和负的第二横向方向突出，并且该第二凸耳元件沿负的第一横向方向和负的第二横向方向突出，这些凸耳元件被设置并且设计成布置在塑料模制体的通道中并且将所述压入式接触元件相对于所述横向方向固定就位。
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公开(公告)号：CN114078806A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110903447.X
申请日：2021-08-06
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及功率半导体开关装置、功率半导体模块及制造方法。提出了制造方法和用于功率半导体模块的功率电子连接装置，其中，所述连接装置被设计作为第一和第二导电薄膜以及被布置在所述第一和第二导电薄膜之间的电绝缘薄膜的柔性薄膜叠层，其中，所述导电薄膜中的至少一个导电薄膜本身被结构化并因而形成多个薄膜导体迹线，其中，这些薄膜导体迹线中的第一薄膜导体迹线在第一段中具有第一平均厚度并且在第二段中具有第二平均厚度，所述第二平均厚度比第一平均厚度小至少10％，优选地是至少20％。
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公开(公告)号：CN110416102A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910316531.4
申请日：2019-04-19
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H01L21/603
Abstract: 本发明涉及功率半导体部件与基底经烧结彼此连接的压力烧结方法，具有以下接连步骤：a)提供烧结部件布置，具有：工件载体，具有凹部；基底，搁置在工件载体的主表面上，功率半导体部件布置在基底上，其中待烧结的烧结材料布置在功率半导体部件和基底之间，其中第一部件和基底的第一区域布置成沿绝缘层的第一主侧的法线方向处在工件载体上方，与工件载体的第一凹部齐平，第二部件和基底的第二区域布置成沿绝缘层的第一主侧的法线方向处在工件载体上方，与工件载体的第二凹部齐平，b)对部件加压并对烧结材料施用温度处理，基底的第一区域的一部分被压入到第一凹部中，基底的第二区域的一部分被压入到第二凹部中，且烧结材料被转变成烧结金属。
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