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公开(公告)号：CN108387597B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201711374694.5
申请日：2017-12-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/2208
Abstract: 一种测量低能量范围金属材料二次电子发射系数的装置及方法，其中装置包括收集极、两只电流表和电子枪；收集极为两层且开口朝下的结构，结构顶部开有预留孔；样品的上表面置于收集极内部且位于预留孔的正下方，电子枪通过预留孔将入射电子打到样品上；一只电流表记为电流表A连接在样品与地之间；另一只电流表记为电流表B连接在收集极内表面与地之间，收集极的外表面接地。
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公开(公告)号：CN109060854B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201810695524.5
申请日：2018-06-29
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/22
Abstract: 一种周期性孔隙介质表面二次电子发射特性确定方法，首先确定介质材料的材料特性、表面周期性孔隙特性、射频电磁场、静电荷积累场、静态磁场和初始电子信息，然后确定介质材料表面孔隙中的各个电子运动轨迹、电子与孔隙边界碰撞前运动时间，进而计算得到电子与孔隙边界的碰撞角度、碰撞能量，最后根据各个电子与孔隙边界碰撞后的二次电子出射信息，结合电子运动轨迹方程与孔隙边界条件，判断电子是否从孔隙中出射，得到周期性孔隙介质材料表面二次电子发射特性。
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公开(公告)号：CN119703125A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411889018.1
申请日：2024-12-20
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: B22F10/28 , B22F1/08 , B33Y10/00 , B33Y70/00 , B33Y80/00 , C22C1/04 , C22C1/11 , C22C45/10 , B22F10/85 , B22F10/366 , B33Y50/02
Abstract: 本发明公开了一种基于3D打印的超宽带非晶合金天线的设计制造方法，包括：面向一体化增材制造进行空间微波部件优化设计，以偶极子发射前端为一体化微波部件的代表，利用折叠弓形天线和中心馈电环形天线组合实现天线中的电偶极和磁偶极；通过一对差分馈电实现天线信号的激励，提供可扩展性和易于增材制造实现的结构；基于选区激光熔化增材制造的高强度非晶合金实现技术，优选激光功率、扫描速度以及扫描策略；根据天线的结构特点调整角度摆放打印成型；对打印成型的非晶合金天线进行测试完成天线性能验证。本发明满足高强度、高可靠和一体化的要求，采用基于增材制造技术的非晶合金实现了在空间极端温度环境下具有高可靠的微波部件一体化技术。
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公开(公告)号：CN113517032B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110564970.4
申请日：2021-05-24
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于第一性原理的二次电子产额的计算方法，通过第一性原理的计算获取材料的能量损失函数和表面功函数，然后使用蒙特卡罗的模拟方法根据所述能量损失函数和表面功函数对材料内每个电子的每次散射碰撞过程进行跟踪，通过统计所有出射电子便可以获得材料的二次电子产额。本发明对二次电子的计算不过不再需要对实验数据的依赖，而材料相关的参数如果通过实验获得成本高昂，本发明打破了这种对瓶颈，同时并不采用实验测量二次电子发射系数的反推式拟合方法，具有很好的通用型和推广价值。
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公开(公告)号：CN116770267A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310639832.7
申请日：2023-05-31
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/26 , C23C16/02
Abstract: 本发明提供了一种抑制星载微波部件微放电效应的薄膜及沉积工艺，包括在星载微波部件表面先后以原子层沉积方式制备目标厚度的氮化钛薄膜和无定形碳薄膜，所述氮化钛薄膜的目标厚度为15～20nm；所述无定形碳薄膜的目标厚度为5～8nm。在星载微波部件表面先后沉积氮化钛薄膜和无定形碳薄膜，能够实现微波部件表面微放电效应的抑制，并具有强的膜基结合力、良好的表面抗氧化性、复杂微波部件表面保形性和优异的电学特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115639237A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211177005.2
申请日：2022-09-26
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/2273 , G01N1/32 , G01B21/18
Abstract: 一种原位监测辐照放电表面成键态断层剖面的方法，在设定的真空度环境下，包括：将样品底部连接示波器，判定不同能量电子辐照下样品表面是否发生放电，确定电子辐照门限值；采用原位Ar+离子刻蚀的方法对样品表面的断层剖面进行刻蚀，并标定刻蚀速率；选择辐照条件超过电子辐照门限值，对样品进行辐照；然后对样品表面进行逐步刻蚀，采用XPS获得不同刻蚀深度剖面的表面结合能谱。本发明所提出的原位成键态剖面的测试方法，极大的突破了电子辐照放电后原位表征的限制，能获得前所未有的测试结果。
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公开(公告)号：CN114000103A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111027645.0
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种二硫化钼/石墨烯复合异质结及其制备方法，包括基底1、二硫化钼层2和石墨烯层3；二硫化钼层2设置在基底1上，石墨烯层设置在二硫化钼层2上。本发明通过对磁控溅射制备MoS2/石墨烯复合异质结工艺过程的优化设计，并且结合退火工艺，以减少预制薄膜的硫空位，提高二硫化钼缓冲层的结晶质量，同时通过氩离子溅射在碳膜上形成高表面粗糙度的复合异质结薄膜，这能够有效增加二次电子与表面陷阱壁的平均碰撞次数从而抑制二次电子发射现象。
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公开(公告)号：CN113517032A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110564970.4
申请日：2021-05-24
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于第一性原理的二次电子产额的计算方法，通过第一性原理的计算获取材料的能量损失函数和表面功函数，然后使用蒙特卡罗的模拟方法根据所述能量损失函数和表面功函数对材料内每个电子的每次散射碰撞过程进行跟踪，通过统计所有出射电子便可以获得材料的二次电子产额。本发明对二次电子的计算不过不再需要对实验数据的依赖，而材料相关的参数如果通过实验获得成本高昂，本发明打破了这种对瓶颈，同时并不采用实验测量二次电子发射系数的反推式拟合方法，具有很好的通用型和推广价值。
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公开(公告)号：CN106044757B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610378294.0
申请日：2016-05-31
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C01B32/194
Abstract: 一种刻蚀石墨烯纳米孔减小二次电子发射系数的方法，本发明采用结合两种不同方法，涂覆低二次电子发射系数的材料和表面制备陷阱结构：在表面涂覆低二次电子发射系数的石墨烯，然后通过氩离子刻蚀的技术制备纳米孔。技术上通过控制表面涂覆石墨烯的厚度和纳米孔的孔隙率、深宽比实现不同的二次电子发射抑制效果。实验研究发现，金属基片上沉积几纳米至十几纳米不等厚度的石墨烯，二次电子发射系数可以从2.0左右将至1.5‑1.1，在氩离子刻蚀石墨烯纳米孔后，表面的二次电子发射系数降至0.9，实现了电子发射系数从1.5至0.9的可控调节。该技术简单方便，稳定性高，表面无损的状态下涂覆纳米级厚度的导电镀层对器件表面插入损耗影响较小。此技术方案能有效地减小二次电子发射系数，在粒子加速器、真空传输线以及大功率微波部件领域有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN106835078A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710042284.4
申请日：2017-01-20
Applicant: 陕西科技大学 , 西安空间无线电技术研究所
CPC classification number: C23C18/04 , C23C18/1216 , C23C18/1241 , C23C18/1254 , C23C18/165 , C23C18/44 , C23F1/14
Abstract: 本发明公开了一种陷阱结构Ag/TiO2/Au涂层的制备方法，采用两步湿化学刻蚀法处理镀银铝合金表面，使镀银铝合金表面形成陷阱结构；继而在陷阱结构表面采用类化学镀法制备TiO2薄膜过渡层，以达到TiO2薄膜在陷阱结构表面的随形沉积；最后采用化学镀法在TiO2表面随形沉积Au薄膜，从而在镀银铝合金表面形成一种陷阱结构Ag/TiO2/Au涂层，提高镀银铝合金表面的二次电子抑制特性及其环境稳定性。
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