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公开(公告)号：CN104911702A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510212841.3
申请日：2015-04-29
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于自组装工艺的高质量单晶金刚石生长方法，按照以下步骤实施：步骤一、将纳米二氧化硅颗粒分散到酒精、异丙醇或者丙酮溶液中，制备得到纳米二氧化硅分散液；步骤二、将分散液滴到单晶金刚石衬底表面，通过旋涂使其在单晶金刚石衬底表面均匀分散；步骤三、通过反应离子刻蚀技术，刻蚀单晶金刚石衬底表面的纳米二氧化硅，形成自断裂的二氧化硅掩膜，使单晶金刚石衬底表面部分裸露；步骤四、通过在裸露的单晶金刚石衬底表面进行金刚石同质外延生长，并在二氧化硅掩膜上进行金刚石横向生长，即在衬底上生长出单晶金刚石薄膜，解决了现有采用同质外延生长法制备金刚石薄膜质量偏低的问题。
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公开(公告)号：CN103346171A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310211921.8
申请日：2013-05-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种响应增强型ZnO基光电导探测器及其制备方法，包括衬底以及在衬底上的ZnO薄膜，ZnO薄膜上覆有Ag纳米颗粒，在Ag纳米颗粒上沉积有叉指状Al电极，Ag纳米颗粒暴露在叉指状Al电极相邻叉指之间；或者ZnO薄膜上沉积有叉指状Al电极，在叉指状Al电极的相邻叉指之间填有Ag纳米颗粒，Ag纳米颗粒旋涂在ZnO薄膜上。本发明采用RF磁控溅射法在衬底上形成ZnO薄膜，然后旋涂Ag纳米颗粒或沉积叉指状Al电极，在Ag纳米颗粒上沉积叉指状Al电极或在形成叉指状Al电极的样品表面旋涂Ag纳米颗粒，即得响应增强型ZnO基光电导探测器。本发明利用Ag纳米颗粒的表面等离子体共振效应来提高探测器对光的吸收能力，使得到的光电导探测器在紫外光区域的响应度得到了大幅提升。
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公开(公告)号：CN101691651B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200910024216.0
申请日：2009-10-10
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种采用InGaZnO陶瓷靶材(In∶Ga∶Zn原子比为1∶1∶1)，利用等离子辅助L-MBE设备，在高真空条件下(本底真空度为10-6Pa，生长时O2分压为10-3Pa，射频功率为100-400W)，在石英玻璃衬底上外延生长非晶态InGaZnO透明导电薄膜的工艺。其中射频功率300W时所得到的InGaZnO薄膜可见光范围透过率超过80％，电阻率为5.24×10-3Ωcm，电子迁移率为16.14cm2v-1s-1，电子浓度为8.31×1019cm-3。该方法利用等离子辅助L-MBE设备，在高真空条件下在石英玻璃衬底上外延生长非晶态InGaZnO透明导电薄膜，在100-400W射频功率得到光学和电学性能优良的非晶态InGaZnO透明导电薄膜。
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公开(公告)号：CN100517771C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710019126.3
申请日：2007-11-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种制备高性能垂直结构的ZnO紫外光电导探测器的方法。该方法利用在蓝宝石或石英衬底上依次沉积ITO薄膜和ZnO薄膜；再对薄膜在氧气氛中对ZnO薄膜进行400℃热处理，改善了ZnO薄膜的光电响应特性；然后将ZnO薄膜层腐蚀后露出ITO薄膜形成ZnO台面；最后在ZnO台面上沉积金属Al作为欧姆接触电极，以此获得了垂直结构的ZnO紫外光电导探测器。整个制备过程简单，成本低廉，易于控制，有利于光电集成，且容易产业化，有很高的实用价值。
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公开(公告)号：CN100468787C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710017789.1
申请日：2007-04-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种制备高性能ZnO MSM型紫外光电导探测器的方法。该方法利用在气压为9.0×104Pa～1.0×105Pa的纯氧气氛中对ZnO薄膜进行热处理，改善了ZnO薄膜的光电响应特性，以此获得了高灵敏度、快速响应的ZnO MSM型紫外光电导探测器。整个制备过程简单，成本低廉，易于控制；若在Si基衬底上制作，则可与常规的Si工艺兼容，有利于光电集成，且容易产业化，有很高的实用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101060084A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710017537.9
申请日：2007-03-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/203
Abstract: 本发明公开了一种利用氨气掺杂制备增强型ZnO沟道层薄膜晶体管的方法，该方法在氧气和氨气的混合气氛中沉积氮掺杂ZnO沟道层薄膜，氨气掺杂可以在较低的温度下沉积高阻ZnO沟道层薄膜，少量氮离子的掺入降低了n型载流子浓度，同时薄膜晶体管仍保持较高的电子迁移率，本发明的方法能够制备ZnO、ZnMgO、Zn－Sn－O或Zn－In－O增强型沟道层薄膜晶体管。制备过程简单、可控性好、和低温TFT工艺兼容性好，为开发高性能的平板显示阵列提供了一种新的途径。
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公开(公告)号：CN101060060A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710017858.9
申请日：2007-05-15
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了可在低气压条件下工作的无电极射频感应耦合等离子体放电式原子源，包括射频功率源和与射频功率源相匹配的网络，还包括屏蔽壳体，屏蔽壳体内的中央有放电反应室，放电反应室外壁上环绕射频感应线圈，放电反应室与屏蔽壳体上的反应气体口连通，放电反应室另一端有屏栅、加速栅和减速栅构成的三栅极引出系统，三栅极引出系统前端还安装有偏转极板，屏蔽壳体外还设有中和器。具有无污染、低粒子束能(＜500eV)、束均匀性好(径向束流不均匀性＜±5％)等优点。正常工作本底真空度＜10－4Pa，工作时反应室真空度＜10－2Pa，可用于Ar、N2、O2、NH3、NO等工作气体的离化，气体利用率＞80％。该原子源采用不同引出方式，可在原子源和离子源间切换。
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公开(公告)号：CN116490042A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310423830.4
申请日：2023-04-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/六方氮化硼异质结场效应晶体管及其制备方法，通过在硅衬底上制制备栅介质层，栅介质层包括二氧化硅层和六方氮化硼层；在栅介质层上制备石墨烯导电沟槽，最后在石墨烯导电沟槽上制备间隔设置的漏极和源极，即可得到石墨烯/六方氮化硼异质结场效应晶体管，本发明在石墨烯和二氧化硅之间插入一层六方氮化硼，构建场效应晶体管，当石墨烯位于六方氮化硼上，由于两者之间的相互作用，可以使得单层石墨烯的带隙打开，从而提高器件电流开关比；并且六方氮化硼和石墨烯结构类似，晶格匹配度高，表面较为平整，没有悬挂键和带电杂质，从而保持石墨烯的本征性能，进而提升器件性能。
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公开(公告)号：CN116469764A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310460279.0
申请日：2023-04-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构场发射晶体管及其制备方法，通过在SiC衬底表面依次生长缓冲层、二维电子气沟道层、SiN绝缘层和第一多晶硅层；在第一多晶硅层上进行刻蚀形成凹槽结构，刻蚀深度大于多晶硅层厚度，小于SiN绝缘层和多晶硅层厚度和；在凹槽内的SiN绝缘层上生长多晶硅层，生长的多晶硅层与第一多晶硅层融为一体，在生长的多晶硅层上进行再次刻蚀直至露出二维电子气沟道层，在第一多晶硅层上依次生长二氧化硅层和第二多晶硅层，在第二多晶硅层上进行图案化设计开设漏极通道，进行封装得到垂直结构场发射晶体管，生成具有纳米真空沟道的垂直结构场发射晶体管，能够大幅提升传统纳米真空沟道晶体管的电流密度，有利于设计大功率纳米真空晶体管。
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公开(公告)号：CN111627783B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202010511186.2
申请日：2020-06-08
Abstract: 本发明涉及光电阴极技术领域，尤其涉及一种透射式光电阴极及其制备方法和应用。本发明所述光电阴极通过外表面增透膜和内表面增透膜的设置，能够极大地提高阴极的光吸收率，进而提高阴极的量子效率。同时，将粘接膜和内表面增透膜进行区分，可以使阴极分为信号光透过的中央增透区和无须透过的周围粘接区，以保证信号光响应区域的光增透区无须承担粘接功能，而粘接区无须承担信号光的增透功能，因此在实现粘接的基础上能够极大地释放增透膜的应力，消除因粘接带来的一系列不利影响，使得其在蓝绿光及更短波段具有更高的光谱灵敏度；本发明还提供了所述光电阴极的制备方法，所述制备方法实现了粘接功能和增透功能的分离，从而降低了粘接的不利因素。
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