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公开(公告)号：CN103155099A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180047420.X
申请日：2011-09-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/40 , H01J37/32
CPC classification number: C23C16/50 , G03F7/405 , G03F7/427 , G03F7/7045 , G03F7/70875 , H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01L21/0273
Abstract: 减少配置于基板上的光阻特征的表面粗糙度的方法包含产生有等离子体鞘和该等离子体鞘内的离子的等离子体。而在等离子体鞘和等离子体之间的边界外形可通过等离子体鞘调节器调整，使得面向于基板的部份边界不平行于基板所定义的平面。于第一次曝光期间，光阻特征曝露于拥有所欲波长的电磁辐射，而且离子穿越已调整过的边界外形在一角度范围内朝向光阻特征加速。
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公开(公告)号：CN102918631A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180026745.X
申请日：2011-05-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 克里斯多夫·R·汉特曼 , 卢多维克·葛特
IPC: H01L21/223 , H01L21/225 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/2236 , H01L21/2254 , H01L21/26506 , H01L29/66803
Abstract: 此掺杂方法的实施例可用以改进结形成。将例如氦或另一惰性气体等植入物质植入到工件中到达第一深度(204)。在所述工件的表面上沉积掺杂剂。在退火期间，掺杂剂扩散到所述第一深度。所述惰性气体离子可在所述植入期间使所述工件至少部分非晶化。所述工件可为平面的或非平面的。所述植入和沉积可在不破坏真空的情况下在系统中发生。
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公开(公告)号：CN102859635A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180019749.5
申请日：2011-04-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卢多维克·葛特 , 史费特那·瑞都凡诺 , 克里斯多夫·R·汉特曼
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/08
Abstract: 揭示一种产生分子离子的设备以及产生分子离子的方法。在离子源(208)中，离子化至少第一物种(211)。所述第一物种离子和/或第一物种组合形成分子离子(213)。可将这些分子离子传送到第二腔室(201)并进行提取，所述第二腔室可为电弧腔室或扩散腔室。所述分子离子的原子质量可大于所述第一物种或第一物种离子。也可离子化第二物种，与所述第一物种形成分子离子。在一个实例中，所述第一和第二物种都为分子。
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公开(公告)号：CN102428762A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080020257.3
申请日：2010-04-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H05H1/24 , H05H1/34 , H01L21/265 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32623 , C23C14/48
Abstract: 一种等离子体处理装置，其包含处理腔室；压板，其定位于处理腔室中，用于支撑工件；源，其经组态以在所述处理腔室中产生等离子体，等离子体具有邻近工件的前表面的等离子体鞘；以及绝缘修改器。绝缘修改器具有间隙以及间隙平面，其中间隙平面由绝缘修改器的最靠近鞘且接近间隙的部分界定。将间隙角度界定为间隙平面与由工件的前表面所界定的平面之间的角度。另外，揭示一种使离子撞击工件的方法，其中撞击工件的离子的入射角范围包含中心角以及角分布，且其中绝缘修改器的使用形成不垂直于工件的中心角。
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公开(公告)号：CN102099899A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200980128331.0
申请日：2009-07-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卢多维克·葛特 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 爱德温·A·阿雷瓦洛
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32412 , H01J2237/31701 , H01L21/26513
Abstract: 一种等离子体掺杂方法，包括提供包括掺质重卤化物气体的掺质气体至等离子体室。于所述等离子体室中，使用所述掺质重卤化物气体形成等离子体，以及所述等离子体产生适当的掺质离子与前驱掺质分子的重碎片。对所述等离子体室中的基底施加偏压，使得所述适当的掺质离子会以适当的离子能量撞击所述基底，从而将所述适当的掺质离子与所述前驱掺质分子的重碎片植入所述基底，其中至少选择所述离子能量与所述掺质重卤化物组成中的一者，使得所述基底中的植入轮廓实质上由所述适当的掺质离子决定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101911250A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880124459.5
申请日：2008-11-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔纳森·吉罗德·英格兰 , 拉杰许·都蕾 , 卢多维克·葛特
IPC: H01L21/20 , H01L29/786 , H01L31/042
CPC classification number: H01L21/02689 , C30B1/023 , C30B29/06 , H01L21/0237 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/268 , H01L31/0747 , H01L31/182 , H01L31/202 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供处理基板的方法的一些例子。在一实施例中，此方法可包括将具有上表面与下表面的基板放在室中的平台上；在基板的上表面上产生包括多个带电粒子的等离子体，等离子体具有一截面积，此截面积等于或大于基板的上表面的表面积；供应偏压至基板，以将带电粒子吸引至基板的上表面；将带电粒子导入至一区域，此区域延伸至基板的整个上表面下；以及同时启动此区域的相转变，使此区域由非晶相转变为结晶相。
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公开(公告)号：CN101897006A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200880120202.2
申请日：2008-11-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔纳森·吉罗德·英格兰 , 法兰克·辛克莱 , 约翰(本雄)·具 , 拉杰许·都蕾 , 卢多维克·葛特
IPC: H01L21/26 , H01L31/042 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02689 , C30B1/023 , C30B29/06 , H01L21/0237 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/268 , H01L31/0747 , H01L31/182 , H01L31/202 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供处理基板的方法的一些例子。在一实施例中，此方法可以包括产生含有多个粒子的连续粒子束；以及将连续粒子束导入基板的非晶相区域，以将此区域由非晶相转变为结晶相，其中连续粒子束的电流密度为5×1014粒子/平方厘米·秒(particles/cm2sec)或更大。
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公开(公告)号：CN101821836A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880110355.9
申请日：2008-09-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32706 , H01J37/32623 , H01J37/32935
Abstract: 一种等离子体处理装置，包括：制程室；源，配置成在制程室内产生等离子体，以及压盘，配置成在制程室内支撑工件。压盘由具有脉冲ON时间周期及脉冲OFF时间周期的脉冲压盘信号来偏置，以在脉冲ON时间周期并且不在脉冲OFF时间周期内朝向工件加速来自等离子体的离子。板状物定位于制程室内。板状物由板状物信号来偏置，以在脉冲压盘信号的脉冲OFF时间周期之一的至少一部份周期内朝向板状物加速来自等离子体的离子，引起从板状物的二次电子发射，以至少部份地中和工件上的电荷积聚。
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公开(公告)号：CN101401187A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200780008205.2
申请日：2007-03-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J49/40 , H01J37/32935
Abstract: 一种用于监测等离子体中的离子种类的飞行时间离子感测器包括外壳。漂移管定位于所述外壳中。提取器电极在所述外壳中定位于所述漂移管的一第一末端处，以便自等离子体吸引离子。多个电极定位于所述漂移管的一第一末端处并接近所述提取器电极。偏压所述多个电极，以便使被吸引的离子的至少一部分进入所述漂移管，且向所述漂移管的一第二末端漂移。一离子侦测器接近所述漂移管的所述第二末端而定位。所述离子侦测器侦测与所述被吸引离子的所述至少一部分关联的到达时间。
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公开(公告)号：CN107658201A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710893518.6
申请日：2014-12-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种控制提供至基板的离子束的处理装置。处理装置可包括电浆源、提取板、偏转电极与偏转电极电源，其中所述电浆源耦接至电浆腔室以在电浆腔室中产生电浆，所述提取板具有沿着电浆腔室的一侧配置的孔隙，所述偏转电极配置为接近于孔隙，且当电浆腔室中存在电浆时所述偏转电极经设置以界定一对电浆半月区，所述偏转电极电源用于相对于电浆施加偏压至偏转电极，其中施加至偏转电极的第一偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第一入射角，且施加至偏转电极的第二偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第二入射角，所述第二入射角不同于所述第一入射角。本发明对离子角分布的进一步的控制可以更有效率地处理基板。
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