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公开(公告)号：CN116053245A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211690366.7
申请日：2022-12-27
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/13 , H01L23/538 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L25/16
Abstract: 本发明实施例公开了一种三维芯片封装结构、芯片封装方法、芯片及电子设备，涉及集成电路封装技术领域，用于晶粒间高带宽互联通讯，为降低成本和提升单位封装面积内芯片晶体管密度及性能而发明。所述三维芯片封装结构包括第一封装基板、第二封装基板和至少两个芯片结构，其中，第一封装基板包括：第一互联层；第二封装基板设置于第一互联层上的空腔中，包括：第二互联层，第二互联层的介质层包括有机材料；每个芯片结构均包括上下堆叠连接的至少两个晶粒，每个芯片结构分别与第一封装基板和第二封装基板耦合；第二金属连线层中金属连线的排列密度大于第一金属连线层中金属连线的排列密度。本发明实施例适用于不同晶粒之间高密互联的应用场景。
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公开(公告)号：CN116053240A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202111389183.7
申请日：2021-11-22
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/48
Abstract: 本发明实施例公开一种基板及其制造方法、芯片，涉及半导体封装技术领域，能够在多芯片封装中有效兼顾短距高密度的芯片间信号传输以及长距低损耗的芯片间信号传输。所述基板包括：基板本体，所述基板本体中布设有至少两条金属线，各所述金属线之间设置有绝缘介质；所述金属线中包括至少一条第一金属线以及至少一条第二金属线，所述第一金属线的横截面积大于所述第二金属线的横截面积。本发明适用于芯片封装中。
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公开(公告)号：CN116053149A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211636698.7
申请日：2022-12-19
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/13 , H01L23/544 , H01L23/485 , H01L23/31
Abstract: 本发明实施例公开一种电子封装方法及电子封装结构，该方法包括：提供一封装基板；在所述封装基板上、对应于所述空腔所在的第一蚀刻区域周边至少形成第一对准标记；以所述第一对准标记为蚀刻位置参考，对所述第一蚀刻区域进行光学蚀刻；在蚀刻出所述空腔之后，向所述空腔中嵌入重布线层基板，并使所述重布线层基板的顶部暴露；将晶粒单元一部分连接于所述重布线层基板上，将所述晶粒单元的另一部分连接于所述封装基板上，其中，所述晶粒单元位于所述重布线层基板及封装基板的上方。本发明便于实现光学位置对准，从而可以在一定程度上提高半导体封装加工精度。
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公开(公告)号：CN112616240A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011425511.X
申请日：2020-12-08
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
IPC: H05K1/02
Abstract: 本发明提供一种芯片基板及主板，芯片基板包括：基板本体、芯片本体和静电防护器件；所述芯片本体和所述静电防护器件均与所述基板本体固定连接；所述基板本体设置有信号走线组，所述芯片本体与所述信号走线组电连接；所述静电防护器件与所述信号走线组电连接。本发明能够在提高芯片基板的防静电的能力的同时，还能够提高芯片基板的空间利用率。
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公开(公告)号：CN112462178A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011282720.3
申请日：2020-11-17
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种芯片插座S参数的测试结构及其测试方法，该测试结构通过设置两套测试子结构，其中一套测试子结构中的第一基板测试板通过芯片插座连接在第一主板测试板上，通过测试一对第一连接器及对应的一对第二连接器，获取第一连接器+第一基板测试板+芯片插座+第一主板测试板+第二连接器的链路的第一S参数。第二基板测试板通过焊接方式直接连接在第二主板测试板上，通过测试第三连接器及对应的一对第四连接器，获取第三连接器+第二基板测试板+第二主板测试板+第四连接器的链路的第二S参数。通过后一链路的第二S参数对前一链路的第一S参数进行去嵌入，得到芯片插座的S参数，提高芯片插座的S参数的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116053264A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211649309.4
申请日：2022-12-21
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例公开了一种电子封装、电子封装方法、电子封装中的供电方法、芯片及电子设备，所述电子封装包括封装基板、转接基板以及至少两个晶粒；所述封装基板包括腔体，所述腔体暴露所述封装基板的第一表面，所述转接基板设在所述腔体内，并与所述第一表面相连；所述至少两个晶粒的第一部分连接在所述封装基板上，第二部分连接在所述转接基板上；所述封装基板中包括第一电源层；所述至少两个晶粒的第二部分通过所述转接基板与所述第一电源层电连接，以使所述第一电源层对所述至少两个晶粒的第二部分中的用电器件进行供电。本发明的技术方案应用于在制造芯片电子封装的场景。
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公开(公告)号：CN116053244A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211634623.5
申请日：2022-12-19
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/552
Abstract: 本发明的实施例公开了一种封装基板及电子封装，涉及集成电路领域，为能够提高信号质量而发明。所述封装基板包括：介质层；第一金属层，位于所述介质层的第一侧；以及信号层，沿平行于所述第一金属层的方向穿过所述介质层，所述信号层、所述第一金属层及二者之间的介质形成第一电容。本发明适用于各种信号的传递中。
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公开(公告)号：CN116053230A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202210264015.3
申请日：2022-03-17
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L21/768 , H01L23/50
Abstract: 本发明实施例公开一种硅基基板及其制造方法、芯片，涉及半导体封装技术领域，方便通过同一硅基基板有效兼顾短距高密度的信号传输以及长距低损耗的信号传输。所述硅基基板包括：基板本体，所述基板本体中设置有至少两个过孔，所述至少两个过孔包括至少一个第一过孔以及至少一个第二过孔，所述第一过孔的横截面积大于所述第二过孔的横截面积；其中，所述第一过孔用于电连接布设在所述基板本体中的第一金属线，所述第二过孔用于电连接布设在所述基板本体中的第二金属线，所述第一金属线的横截面积大于所述第二金属线的横截面积。本发明适用于芯片封装中。
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公开(公告)号：CN116053229A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202210262355.2
申请日：2022-03-17
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/498 , H01L25/18 , H01L25/065
Abstract: 本发明提供一种芯片封装基板，包括：树脂基板，所述树脂基板上设置有封装接口；硅基板，所述硅基板具有第一接口和第二接口，所述第一接口具有多个传输信号的第一焊球，所述第二接口具有多个传输信号的第二焊球，所述第一焊球与所述第二焊球之间一一对应的通信连接；所述第一接口的尺寸小于所述第二接口的尺寸，所述第一接口与目标封装芯片的芯片接口适配，所述第二接口与所述封装接口电连接。本发明提供的芯片封装基板，能够为芯片提供小尺寸的接口，从而，在芯片制备过程中降低芯片接口的尺寸，降低成本。
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公开(公告)号：CN115424996A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210979831.2
申请日：2022-08-16
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
IPC: H01L23/492
Abstract: 本公开实施例提供一种转接板及其形成方法和封装结构，转接板包括：第一子转接板，包括衬底、衬底穿孔和位于衬底第一侧的第一互联结构和第一接合结构，衬底穿孔延伸穿过衬底且电性连接至第一互联结构，第一接合结构位于第一互联结构的远离衬底的一侧，且电性连接至第一互联结构；第二子转接板，电性连接至第一子转接板，且包括第二互联结构和第二接合结构，第二接合结构接合至第一接合结构，且第二互联结构位于第二接合结构的远离第一子转接板的一侧；第一导电凸块，设置于衬底的第二侧，且通过衬底穿孔电性连接至第一互联结构；以及第二导电凸块，设置于第二互联结构的远离第二接合结构的一侧，且电性连接至第二互联结构。
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