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公开(公告)号：CN112379185B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202011236909.9
申请日：2020-11-06
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种裸片的电源噪声测试结构，通过采用第一引入端电源和地焊盘与第一去耦电容断开，在通过第一引出端电源和地焊盘测试裸片上的待测试电源和地连接点的电源噪声时，测试信号及反馈信号直接通过裸片上的待测试电源和地连接点传输给封装基板上的第一引入端电源和地焊盘，之后通过第一引入端电源和地焊盘直接传输给第一引出端电源和地焊盘，没有经过第一去耦电容去噪，使测得的电源噪声为裸片上的待测试电源和地连接点的真实电源噪声。即将裸片上的待测试电源和地触点单独引出，形成裸片上的待测试电源和地触点到封装基板上的第一引出端电源和地焊盘的独立传输路径，以去除封装基板对裸片上电源噪声测试的影响。
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公开(公告)号：CN112382621A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011242713.0
申请日：2020-11-09
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L25/18 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种多芯片封装模块，包括：两个以上的芯片，所述芯片为对背面经过研磨减薄的芯片；中介板，具有与所述两个以上的芯片的针脚对应的通孔，所述通孔内设置有导电金属；所述两个以上的芯片设置在所述中介板上；金属层，通过电镀、蒸镀或沉积设置在所述一个以上的芯片背面。本发明能够加快芯片的散热速度，降低芯片的工作温度，确保芯片的工作性能。
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公开(公告)号：CN112382624A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011369115.X
申请日：2020-11-30
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L25/18 , H05K1/11 , G06F1/16
Abstract: 本发明提供了一种芯片及主板，该芯片包括具有相对的第一面及第二面的封装基板、设置在封装基板的第一面的至少一个内存裸片。封装基板的第一面设置有中央处理器裸片，中央处理器裸片与至少一个内存裸片中的每个内存裸片均电连接，以向每个内存裸片中写入数据或从每个内存裸片中读取数据。封装基板的第二面设置有用于与印刷电路板电连接的引脚，中央处理器裸片还与第二面的引脚电连接。通过将中央处理器裸片及至少一个内存裸片封装在一个封装基板上，且每个内存裸片均与中央处理器裸片电连接，从而通过封装基板上的中央处理器裸片及内存裸片即可工作，提高了芯片及主板的集成度，能够减小主板的印刷电路板的面积，简化系统设计，提高系统可靠性。
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公开(公告)号：CN116053245A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211690366.7
申请日：2022-12-27
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/13 , H01L23/538 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L25/16
Abstract: 本发明实施例公开了一种三维芯片封装结构、芯片封装方法、芯片及电子设备，涉及集成电路封装技术领域，用于晶粒间高带宽互联通讯，为降低成本和提升单位封装面积内芯片晶体管密度及性能而发明。所述三维芯片封装结构包括第一封装基板、第二封装基板和至少两个芯片结构，其中，第一封装基板包括：第一互联层；第二封装基板设置于第一互联层上的空腔中，包括：第二互联层，第二互联层的介质层包括有机材料；每个芯片结构均包括上下堆叠连接的至少两个晶粒，每个芯片结构分别与第一封装基板和第二封装基板耦合；第二金属连线层中金属连线的排列密度大于第一金属连线层中金属连线的排列密度。本发明实施例适用于不同晶粒之间高密互联的应用场景。
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公开(公告)号：CN112616240A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011425511.X
申请日：2020-12-08
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
IPC: H05K1/02
Abstract: 本发明提供一种芯片基板及主板，芯片基板包括：基板本体、芯片本体和静电防护器件；所述芯片本体和所述静电防护器件均与所述基板本体固定连接；所述基板本体设置有信号走线组，所述芯片本体与所述信号走线组电连接；所述静电防护器件与所述信号走线组电连接。本发明能够在提高芯片基板的防静电的能力的同时，还能够提高芯片基板的空间利用率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112382615B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202011226562.X
申请日：2020-11-05
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
IPC: H01L23/04 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/52
Abstract: 本发明提供一种功率器件封装结构、封装方法及封装系统，其中，一种功率器件封装结构包括：第一芯片和支撑件；所述支撑件固定设置在所述第一芯片朝向第一方向的一侧，所述支撑件朝向所述第一芯片的表面开设有凹槽；在所述支撑件与所述第一芯片之间填充有导热界面材料。本发明能够避免导热界面材料产生拉扯分层而形成空洞区域而失效的现象。
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公开(公告)号：CN112616245B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202011468696.2
申请日：2020-12-14
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种加速处理器加速卡及其制作方法。所述加速处理器加速卡包括：PCB板、加速处理器模块和多个电源模块；所述多个电源模块和所述加速处理器模块固定设置于所述PCB板的第一表面，所述PCB板在所述第一表面开设有第一通孔和第二通孔，所述多个电源模块与所述加速处理器模块通过所述第一通孔和所述第二通孔电连接。本发明所提供的加速处理器加速卡空间利用率高。
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公开(公告)号：CN116053264A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211649309.4
申请日：2022-12-21
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例公开了一种电子封装、电子封装方法、电子封装中的供电方法、芯片及电子设备，所述电子封装包括封装基板、转接基板以及至少两个晶粒；所述封装基板包括腔体，所述腔体暴露所述封装基板的第一表面，所述转接基板设在所述腔体内，并与所述第一表面相连；所述至少两个晶粒的第一部分连接在所述封装基板上，第二部分连接在所述转接基板上；所述封装基板中包括第一电源层；所述至少两个晶粒的第二部分通过所述转接基板与所述第一电源层电连接，以使所述第一电源层对所述至少两个晶粒的第二部分中的用电器件进行供电。本发明的技术方案应用于在制造芯片电子封装的场景。
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公开(公告)号：CN116053229A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202210262355.2
申请日：2022-03-17
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/498 , H01L25/18 , H01L25/065
Abstract: 本发明提供一种芯片封装基板，包括：树脂基板，所述树脂基板上设置有封装接口；硅基板，所述硅基板具有第一接口和第二接口，所述第一接口具有多个传输信号的第一焊球，所述第二接口具有多个传输信号的第二焊球，所述第一焊球与所述第二焊球之间一一对应的通信连接；所述第一接口的尺寸小于所述第二接口的尺寸，所述第一接口与目标封装芯片的芯片接口适配，所述第二接口与所述封装接口电连接。本发明提供的芯片封装基板，能够为芯片提供小尺寸的接口，从而，在芯片制备过程中降低芯片接口的尺寸，降低成本。
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公开(公告)号：CN115424996A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210979831.2
申请日：2022-08-16
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
IPC: H01L23/492
Abstract: 本公开实施例提供一种转接板及其形成方法和封装结构，转接板包括：第一子转接板，包括衬底、衬底穿孔和位于衬底第一侧的第一互联结构和第一接合结构，衬底穿孔延伸穿过衬底且电性连接至第一互联结构，第一接合结构位于第一互联结构的远离衬底的一侧，且电性连接至第一互联结构；第二子转接板，电性连接至第一子转接板，且包括第二互联结构和第二接合结构，第二接合结构接合至第一接合结构，且第二互联结构位于第二接合结构的远离第一子转接板的一侧；第一导电凸块，设置于衬底的第二侧，且通过衬底穿孔电性连接至第一互联结构；以及第二导电凸块，设置于第二互联结构的远离第二接合结构的一侧，且电性连接至第二互联结构。
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