公开(公告)号：CN103025478A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180036884.0

申请日：2011-07-19

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 下井英树 ,  荒木佳祐

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/00 ,  B23K26/04 ,  H01L21/306

CPC classification number: B23K26/064 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/382 ,  B23K26/384 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K26/55 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/76898

Abstract: 一种用于将沿着规定的线（12）的空间形成于硅基板（11）的基板加工方法，具备：通过将作为椭圆率为1以外的椭圆偏振光的激光（L）聚光于硅基板（11），从而使多个改质点（S）沿着线（12）而形成于硅基板（11）的内部，形成包含多个改质点（S）的改质区域（7）的第1工序；以及在第1工序之后，通过对硅基板（11）施以各向异性蚀刻处理，从而使蚀刻沿着改质区域（7）选择性地进展，在硅基板（11）形成空间的第2工序；在第1工序中，以使相对于硅基板（11）的激光（L）的移动方向与激光（L）的偏振光方向所成的角度小于45°的方式将激光（L）聚光于硅基板（11），以沿着线（12）排列成多列的方式形成多个改质点（S）。

公开(公告)号：CN103025477A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180036874.7

申请日：2011-07-19

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 下井英树 ,  荒木佳祐

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/00 ,  H01L23/473

CPC classification number: B23K26/55 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0853 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/56 ,  H01L23/473 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于制造具有冷却机构（61）的半导体设备（10）的制造方法，包含：通过将激光（L）聚光于由硅所形成的板状的加工对象物（1），从而在加工对象物（1）的内部以沿着改质区域形成预定线（5）延伸的方式形成改质区域（7）的改质区域形成工序；在改质区域形成工序之后，通过对加工对象物（1）实施各向异性蚀刻处理，从而使蚀刻沿着改质区域（7）选择性地进展，将用于流通冷却介质（61）的流路作为冷却机构（61）形成于加工对象物（1）的内部的蚀刻处理工序；及在加工对象物（1）的一个主面侧形成功能元件的功能元件形成工序。

公开(公告)号：CN103025473A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180036058.6

申请日：2011-07-19

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 下井英树 ,  荒木佳祐

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/00 ,  B23K26/04 ,  H01L21/306

CPC classification number: B23K26/40 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/382 ,  B23K26/384 ,  B23K26/53 ,  B23K26/55 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/76898

Abstract: 一种用来将沿着规定的线（12）的空间形成于硅基板（11）的基板加工方法，其具备：通过将作为椭圆率为1以外的椭圆偏振光的激光（L）聚光于硅基板（11），沿着线（12）在硅基板（11）的内部形成多个改质点（S），从而形成包含多个改质点（S）的改质区域（7）的第1工序；以及在第1工序之后，通过对硅基板（11）实施各向异性蚀刻处理，沿着改质区域（7）使蚀刻选择性地进展，从而在硅基板（11）形成空间的第2工序，在第1工序中，以激光（L）相对于硅基板（11）的移动方向与激光（L）的偏振光方向所成的角度为45°以上的方式将激光（L）聚光于硅基板（11），并以沿着线（12）排成一列的方式来形成多个改质点（S）。

公开(公告)号：CN103025472A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180036024.7

申请日：2011-07-19

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 下井英树 ,  荒木佳祐

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/00 ,  B23K26/04 ,  B23K26/06 ,  B23K26/40

CPC classification number: H01L21/30608 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/382 ,  B23K26/384 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K26/55 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49827

Abstract: 一种激光加工方法，包含通过使激光（L）聚光于由硅形成的板状的加工对象物（1），在加工对象物（1）的内部形成改质区域（71~73）的激光聚光工序；以及在激光聚光工序之后，通过对加工对象物（1）实施各向异性蚀刻处理，将加工对象物（1）薄化至目标厚度，并且沿着改质区域（71~73）使蚀刻选择性地进展，以将相对于加工对象物（1）的厚度方向倾斜的贯通孔（24）形成于加工对象物（1）的蚀刻处理工序，在激光聚光工序中，在加工对象物（1）的与贯通孔（24）对应的部分，形成作为改质区域（71~73）的第1改质区域（72），并且在加工对象物（1）中通过利用各向异性蚀刻处理的薄化所除去的部分，形成与厚度方向平行地延伸且与第1改质区域（72）相连的作为改质区域的第2改质区域（71,73），在蚀刻处理工序中，一边使加工对象物（1）薄化，一边沿着第2改质区域（71,73）使蚀刻选择性地进展后，沿着第1改质区域（72）使蚀刻选择性地进展，当加工对象物（1）到达目标厚度时完成贯通孔（24）的形成。

公开(公告)号：CN105189025B

公开(公告)日：2018-10-30

申请号：CN201480018920.4

申请日：2014-03-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 河口大祐 ,  中野诚 ,  杉尾良太 ,  广瀬翼 ,  荒木佳祐

IPC: B23K26/53 ,  B23K26/06 ,  B23K26/064 ,  B23K26/40 ,  B28D5/00 ,  C03B33/09 ,  G02B3/08 ,  H01L21/301

Abstract: 激光加工装置通过将激光聚光于加工对象物而沿着切断预定线在加工对象物的内部形成改质区域。激光加工装置具备将激光射出的激光光源、调制由激光光源射出的激光的空间光调制器、及将通过空间光调制器调制后的激光聚光在加工对象物的聚光光学系统。空间光调制器通过将轴棱锥透镜图案作为调制图案来显示，从而以在沿着激光照射方向接近排列的多个位置形成聚光点的方式使激光聚光。

公开(公告)号：CN105209219B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201480019047.0

申请日：2014-03-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 河口大祐 ,  广瀬翼 ,  荒木佳祐

IPC: B23K26/53 ,  B23K26/06 ,  B28D5/00 ,  B23K26/073 ,  B23K26/40 ,  C03B33/02

CPC classification number: B23K26/0057 ,  B23K26/0617 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0665 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/00 ,  C03B33/0222 ,  Y02P40/57

Abstract: 激光加工装置具备将激光(L)射出的激光光源(202)、调制由激光光源(202)射出的激光(L)的空间光调制器(203)、及将通过空间光调制器(203)调制后的激光聚光在加工对象物(1)的聚光光学系统(204)，多列的改质区域(7)至少包含：位于激光入射面侧的入射面侧改质区域、位于激光入射面的相反面侧的相反面侧改质区域、及位于入射面侧改质区域与相反面侧改质区域之间的中间改质区域。空间光调制器(203)在形成中间改质区域的情况下，通过将轴棱锥透镜图案作为调制图案显示，从而以在沿着激光照射方向接近排列的多个位置形成聚光点的方式使激光聚光，并且在形成入射面侧改质区域及相反面侧改质区域的情况下，不将轴棱锥透镜图案作为调制图案显示，由此提高加工品质。

公开(公告)号：CN103025476B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201180036517.0

申请日：2011-07-19

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 下井英树 ,  荒木佳祐

IPC: B23K26/362 ,  H01L21/306 ,  H01L21/48

CPC classification number: H05K3/002 ,  B23K26/382 ,  B23K26/384 ,  B23K26/40 ,  B23K26/55 ,  B23K2101/35 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/486 ,  H05K2203/107

Abstract: 一种激光加工方法，是使激光（L）聚光于由硅形成的加工对象物（1）的内部而形成改质区域（7），沿着该改质区域（7）进行蚀刻，由此在加工对象物（1）形成贯通孔（24）的激光加工方法，包含：在加工对象物（1）的外表面生成对蚀刻具有耐性的耐蚀刻膜的耐蚀刻膜生成工序；在耐蚀刻膜生成工序之后，通过使激光（L）聚光于加工对象物（1），沿着加工对象物（1）的与贯通孔（24）对应的部分形成改质区域（7），并且使激光（L）聚光于耐蚀刻膜（22），由此，沿着耐蚀刻膜（22）的与贯通孔（24）对应的部分形成缺陷区域（22b）的激光聚光工序；以及在激光聚光工序之后，对加工对象物（1）实施蚀刻处理，沿着改质区域（7）使蚀刻选择性地进展而形成贯通孔（24）的蚀刻处理工序。

公开(公告)号：CN103026470B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201180036527.4

申请日：2011-07-19

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 下井英树 ,  荒木佳祐

IPC: H01L21/306 ,  B23K26/00 ,  B23K26/38

CPC classification number: H01L21/30608 ,  B23K26/382 ,  B23K26/384 ,  B23K26/40 ,  B23K26/55 ,  B23K2101/35 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/486

Abstract: 一种激光加工方法，是使激光（L）聚光于由硅形成的加工对象物（1）的内部而形成改质区域（7），沿着该改质区域（7）进行蚀刻，由此在加工对象物（1）形成贯通孔（1）的激光加工方法，其包含：通过使激光（L）聚光于加工对象物（1），沿着加工对象物（1）的与贯通孔（24）对应的部分形成改质区域（7）的激光聚光工序；在激光聚光工序之后，在加工对象物（1）的外表面生成对蚀刻具有耐性的耐蚀刻膜（22）的耐蚀刻膜产生工序；以及在耐蚀刻膜产生工序之后，对加工对象物（1）实施蚀刻处理，沿着改质区域（7）使蚀刻选择性地进展而形成贯通孔（1）的蚀刻处理工序，在激光聚光工序中，使改质区域（7）露出于加工对象物（1）的外表面的激光加工方法。

公开(公告)号：CN105324207A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201480018906.4

申请日：2014-03-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 河口大祐 ,  中野诚 ,  杉尾良太 ,  广瀬翼 ,  荒木佳祐

IPC: B23K26/53 ,  B23K26/06 ,  B23K26/064 ,  B23K26/40 ,  H01L21/301

CPC classification number: B23K26/0624 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/03 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/52 ,  B23K2103/54 ,  B23K2103/56

Abstract: 激光加工装置是通过将超短脉冲光的激光聚光在加工对象物(1)从而在加工对象物(1)形成改质区域(7)的激光加工装置，具备将激光(L)射出的激光光源(202)、将由激光光源(202)射出的激光(L)聚光在加工对象物(1)的聚光光学系统(4)、及对由聚光光学系统(4)聚光在加工对象物(1)的激光(L)赋予像差的像差赋予部(203)，在激光(L)的光轴方向上，在将由于将激光(L)聚光在加工对象物(1)而在该聚光位置产生的像差、即聚光产生像差的范围作为基准像差范围的情况下，像差赋予部(203)以将在光轴方向上比基准像差范围更长的长条范围作为像差的范围来具有，并且光轴方向上的激光的强度分布具有在长条范围连续的强弱的方式对激光赋予第1像差，由此提高加工品质。

公开(公告)号：CN103025471B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201180036018.1

申请日：2011-07-19

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 下井英树 ,  久嶋浩之 ,  荒木佳祐

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/362 ,  B23K26/00 ,  B23K26/046 ,  B23K26/073 ,  B23K26/402

CPC classification number: H01L23/147 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/49827

Abstract: 一种激光加工方法，具备：改质区域形成工序，通过将激光（L）聚光于由硅形成的板状的加工对象物（1），沿着相对于加工对象物（1）的厚度方向朝向一个侧方侧倾斜的改质区域形成预定线（5b），在加工对象物（1）的内部形成多个改质点（10），通过这些多个改质点（10）形成改质区域（7）；以及蚀刻处理工序，在改质区域形成工序之后，对加工对象物（1）实施各向异性蚀刻处理，由此沿着改质区域（7）使蚀刻选择性地进展，在加工对象物（1）形成相对于厚度方向倾斜延伸的空间，在改质区域形成工序中，以邻接的改质点（10）的至少一部分从一个侧方方向看互相重叠的方式，形成多个改质点（10）。