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公开(公告)号：CN109951193A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201811561086.X
申请日：2018-12-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种实现高的功率效率并且使增益的线性提高的发送单元。发送单元具备：第一晶体管，将第一信号的功率放大并示出第二信号；电源电路，将根据第一信号的振幅电平变动的电源电压供给到第一晶体管；以及衰减器，在电源电压不足第一电平的情况下，使第一信号衰减，使得伴随着电源电压的下降，衰减量变大。
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公开(公告)号：CN109616516A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811024684.3
申请日：2018-09-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L29/735 , H01L29/10 , H01L27/102
Abstract: 本发明提供具有能够使基极层变薄来实现高速化的结构的双极晶体管。在由化合物半导体构成的基板之上形成集电极层、基极层以及发射极层。发射极层在俯视时与基极层的边缘相比配置在内侧。在发射极层以及基极层的一部分的区域之上配置基极电极以形成在俯视时从发射极层的内侧到达基极层的外侧。在基极层中的不与发射极层重叠的部分和基极电极之间配置绝缘膜。合金层从基极电极在厚度方向上贯通发射极层并到达基极层。合金层包含基极电极的一部分的构成元素、和发射极层以及上述基极层的构成元素。
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公开(公告)号：CN107508558A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710343985.1
申请日：2017-05-16
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种维持可靠性并提高功率附加效率的功率放大电路。功率放大电路包括：基极输入有无线频率信号的第1晶体管；输出与电源电压相对应的第1电压的第1电压输出电路；以及基极或栅极被提供有第1电压、发射极或源极连接至第1晶体管的集电极、并从集电极或漏极输出对无线频率信号进行放大后而得的第1放大信号的第2晶体管。
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公开(公告)号：CN106817089A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201611041657.8
申请日：2016-11-22
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供在发送接收频率间隔较窄的频带中抑制接收频带的噪声产生的功率放大模块。功率放大模块，包括：第一输入端子，该第一输入端子输入第一频带中的第一发送信号；第二输入端子，该第二输入端子输入比第一频带的发送接收频率间隔窄的第二频带中的第二发送信号；第一放大电路，第一发送信号被输入至该第一放大电路，该第一放大电路将放大所述第一发送信号后的第一放大信号输出；第二放大电路，第二发送信号被输入至该第二放大电路，该第二放大电路将放大所述第二发送信号后的第二放大信号输出；第三放大电路，第一或第二放大信号被输入至该第三放大电路，该第三放大电路将放大所述第一或第二放大信号后的输出信号输出；以及衰减电路，该衰减电路设置在所述第二输入端子与所述第二放大电路之间，使第二频带中的接收频带分量衰减。
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公开(公告)号：CN106560758A
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201610885337.4
申请日：2016-10-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: G05F3/26
CPC classification number: H03F1/0222 , G05F3/262 , H03F1/301 , H03F1/302 , H03F3/04 , H03F3/191 , H03F3/193 , H03F3/21 , H03F2200/18 , H03F2200/451
Abstract: 本发明提供一种无论电源电压如何变动，均能稳定地输出电流的电流输出电路。本发明的电流输出电路包括：第1FET，对该第1FET的源极提供电源电压，对该第1FET的栅极提供第1电压，并从该第1FET的漏极输出第1电流；第2FET，对该第2FET的源极提供电源电压，对该第2FET的栅极提供第1电压，并从该第2FET的漏极输出输出电流；第1控制电路，该第1控制电路控制第1电压，使得第1电流成为目标电平；以及第2控制电路，该第2控制电路进行使第1FET的漏极电压与第2FET的漏极电压相等的控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104065349A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410100764.8
申请日：2014-03-18
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03F1/0205 , H03F1/30 , H03F1/302 , H03F1/32 , H03F1/56 , H03F3/189 , H03F3/19 , H03F3/21 , H03F3/245 , H03F2200/108 , H03F2200/129 , H03F2200/222 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/411 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/555
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能以低电压进行驱动的射频放大电路。射频放大电路包括:放大晶体管，该放大晶体管将通过匹配电路输入至基极的射频信号进行放大并输出；第1偏压用晶体管，该第1偏压用晶体管与放大晶体管进行电流镜连接，将偏压提供给放大晶体管；以及第2偏压用晶体管，该第2偏压用晶体管与放大晶体管的基极进行射极跟随器连接，将偏压提供给放大晶体管。
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公开(公告)号：CN112787629B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202011213345.7
申请日：2020-11-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种可抑制半导体芯片的面积变大的有源平衡‑不平衡变压器电路、功率放大电路以及功率放大模块。有源平衡‑不平衡变压器电路(10)包含：晶体管(Q1)以及晶体管(Q2)，发射极彼此电连接，并输出差动信号；和电路要素(30)，连接在晶体管(Q1)的发射极和晶体管(Q2)的发射极的连接点与基准电位之间，在输入信号的特定的频率下的阻抗看上去充分大于其它频率下的阻抗。在晶体管(Q1)的基极被施加输入端子(Pin)的输入信号，在晶体管(Q2)的基极被施加基准电位，在晶体管(Q1)以及晶体管(Q2)的集电极被施加电源电压(Vcc)，将晶体管(Q1)和晶体管(Q2)的集电极的信号作为上述差动信号输出。
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公开(公告)号：CN112104332B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202010558348.8
申请日：2020-06-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/21 , H03F3/68 , H03F3/19 , H03F1/30 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了能够提高散热特性的半导体元件和功率放大装置。半导体元件具有：半导体基板；第一放大器和第二放大器，被设置于半导体基板，在第一方向上相邻；第一基准电位凸块，被设置于半导体基板的主面，连接第一放大器和基准电位；第二基准电位凸块，被设置于半导体基板的主面，在第一方向上与第一基准电位凸块相邻，连接第二放大器和基准电位；以及矩形状凸块，被设置于半导体基板的主面，在俯视时，该矩形状凸块被设置于第一基准电位凸块与第二基准电位凸块之间，与第一方向正交的第二方向的第二宽度比第一方向的第一宽度大，矩形状凸块的第二宽度比第一基准电位凸块和第二基准电位凸块中的至少一方的第二方向的宽度大。
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公开(公告)号：CN117546291A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202280040936.X
申请日：2022-05-31
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L25/07
Abstract: 本发明提供在堆叠型的半导体装置中，能够提高散热性的半导体装置。第一部件包含半导体基板以及第一电子电路。第一电子电路包含设置于半导体基板的一个表面的半导体元件。在作为第一部件的一个表面的第一面贴附有第二部件。第二部件包含第二电子电路，第二电子电路包含其它的半导体元件。在第二部件设置有沿厚度方向贯穿第二部件的第一开口。第一导体突起连接于第一电子电路。第一导体突起从第一部件的第一面经过第二部件的第一开口而突出至第一开口的外侧。
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公开(公告)号：CN110518883B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201910405502.5
申请日：2019-05-15
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种使输出信号的相位的线性提高的功率放大电路。功率放大电路具备：第一晶体管，将第一信号放大并输出第二信号；第二晶体管，将第二信号放大并输出第三信号；偏置电路，对第二晶体管的基极供给偏置电流；以及偏置调整电路，通过对第一信号进行检波，从而调整偏置电路供给的偏置电流，偏置调整电路通过从偏置电路提取大小与第一信号的大小相应的电流，从而控制对第二晶体管的基极供给的偏置电流，第一信号的大小越大，电流越大。
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