-
公开(公告)号：CN118103994A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202280068589.1
申请日：2022-10-12
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L21/66 , H01L29/417
Abstract: 一种晶体氧化物薄膜，是以I n为主成分的晶体氧化物薄膜，在晶体氧化物薄膜的面方向上，具有由扫描型扩展电阻显微镜(SSRM)测量的扩展电阻值不同的低电阻区域A与高电阻区域B，高电阻区域B的扩展电阻值为低电阻区域A的扩展电阻值的8倍以上。
-
公开(公告)号：CN115340360A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211043880.1
申请日：2014-12-18
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本申请提供氧化物烧结体、该烧结体的制造方法及溅射靶。本申请提供适合在显示装置用氧化物半导体膜的制造中使用的氧化物烧结体及溅射靶，所述溅射靶具有高导电性、放电稳定性优异。一种氧化物烧结体，其包含由In2O3构成的方铁锰矿相和A3B5O12相，式中，A为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种以上的元素，B为选自Al和Ga中的一种以上的元素。
-
公开(公告)号：CN108475702A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680075286.7
申请日：2016-12-26
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/28 , H01L29/47
CPC classification number: H01L21/28 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 一种层叠体，其中，依次具有基板、选自接触电阻降低层和还原抑制层中的1层以上的层、肖特基电极层和金属氧化物半导体层。
-
公开(公告)号：CN103732790B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201280039725.0
申请日：2012-09-06
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C23C14/34 , C04B35/00 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: H01J37/3426 , C04B35/01 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6565 , C04B2235/72 , C04B2235/725 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C23C14/3464 , C23C14/352 , H01J37/34 , H01L21/02422 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种溅射靶，其含有烧结体，所述烧结体含有掺杂有Ga的氧化铟、或掺杂有Al的氧化铟，相对于Ga与铟的合计或Al与铟的合计含有大于100原子ppm且在1100原子ppm以下的显示正4价原子价的金属，晶体结构实质上由氧化铟的方铁锰矿结构构成。
-
公开(公告)号：CN103400751B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201310258151.2
申请日：2011-12-27
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/363 , H01L21/336 , H01L29/786 , C23C14/10
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/086 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/66742 , H01L29/66969
Abstract: 一种层叠结构，其特征在于，其为包含氧化物层和绝缘层的层叠结构，其中，所述氧化物层的载流子浓度为1018/cm3以下，平均晶体粒径为1μm以上，所述氧化物层的晶体以柱状配置在所述绝缘层的表面。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119234317A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202380041325.1
申请日：2023-05-25
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/363
Abstract: 一种层叠结构，具有以I n为主成分的晶体氧化物半导体膜(11)和与所述晶体氧化物半导体膜(11)相接地层叠的第一绝缘膜(12)，所述晶体氧化物半导体膜(11)的平均硅浓度为1.5～10at％。
-
公开(公告)号：CN118103963A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202280068555.2
申请日：2022-10-12
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L21/363 , C23C14/08 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L21/66 , H01L29/786
Abstract: 一种晶体氧化物薄膜，是以I n为主成分的晶体氧化物薄膜，对从所述晶体氧化物薄膜的截面的透射电子显微镜(TEM)图像中提取的多个图像区域的晶格像分别进行二维傅里叶变换(FFT)处理而得到的傅里叶变换像的50％以上示出从(100)、(110)、(111)、(211)、(411)、(125)、(210)、(310)及(320)中选择的任一种面取向。
-
公开(公告)号：CN108431963B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201680074791.X
申请日：2016-12-21
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/24 , H01L29/47
Abstract: 一种半导体元件1，其特征在于，其具有：分隔开的一对欧姆电极20和肖特基电极10；以及，与上述欧姆电极20和上述肖特基电极10接触的半导体层30，所述半导体元件满足下述式(I)(式中，n为上述半导体层的载流子浓度(cm‑3)、ε为上述半导体层的介电常数(F/cm)、Ve为上述欧姆电极与上述肖特基电极之间的正向有效电压(V)、q为基本电荷(C)、L为上述欧姆电极与上述肖特基电极之间的距离(cm))。
-
公开(公告)号：CN109863607A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201780062422.3
申请日：2017-10-11
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L27/146 , H01L31/07 , H01L31/10 , H01L29/812
Abstract: 一种结构物，包含金属氧化物半导体层与贵金属氧化物层，所述金属氧化物半导体层与所述贵金属氧化物层邻接，所述贵金属氧化物层的膜厚超过10nm。
-
公开(公告)号：CN103765596B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201280039028.5
申请日：2012-08-08
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L29/786 , C01G15/00 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/78693 , C23C14/0057 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/3414 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02565 , H01L21/02581 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管，其具有高迁移率、高on‑off比并且能够有效地制造。本发明提供一种薄膜晶体管(1)，其具有源电极(50)、漏电极(60)及栅电极(20)、栅绝缘膜(30)、由氧化物半导体构成的沟道层(40)，所述沟道层(40)的平均载流子浓度为1×1016/cm3～5×1019/cm3的范围，在所述沟道层(40)的所述栅绝缘膜(30)侧，具有比所述平均载流子浓度高的高载流子浓度区域(42)，所述沟道层(40)实质上具有相同的组成。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
39
records
(took 0.041 seconds)
