公开(公告)号：CN110140198B

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN201780082037.5

申请日：2017-12-22

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 西村优大 ,  小林健司 ,  根来世

IPC: H01L21/304 ,  B08B3/02

Abstract: 一种基板处理装置，包含：基板保持单元，用以将基板保持为水平姿势；处理液喷嘴，具有下部开口及内壁，且从所述下部开口吐出处理液，该下部开口与由所述基板保持单元保持的基板的上表面相向，该内壁划分出筒状空间，该筒状空间是上下方向的筒状空间且从所述下部开口相连至上方；液柱形成单元，将包含第一液柱部分及第二液柱部分的处理液的液柱形成于所述基板的上表面，该第一液柱部分用处理液来液密地充满于所述下部开口与所述基板的上表面之间，该第二液柱部分从所述第一液柱部分相连至上方，且由贮存于所述筒状空间的处理液构成；以及物理力赋予单元，对所述第二液柱部分赋予物理力。

公开(公告)号：CN111518562A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010080739.3

申请日：2020-02-05

Applicant: 株式会社德山 ,  株式会社斯库林集团

Inventor： 清家吉贵 ,  东野诚司 ,  小林健司 ,  根来世

IPC: C09K13/00 ,  C30B33/10 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明涉及硅蚀刻液以及使用该蚀刻液的硅器件的制造方法。本发明提供一种硅蚀刻液，其能抑制药液中的溶解氧量的影响，能与溶解氧浓度无关地进行同样的蚀刻处理。一种硅蚀刻液，是包含四烷基氢氧化铵、水的混合液，所述硅蚀刻液包含下述式(1)所示的化合物。R1O－(CmH2mO)n－R2 (1)(式中，R1为氢原子或碳原子数1～3的烷基，R2为氢原子或碳原子数1～6的烷基，m为整数2～6，n为1或2。)。

公开(公告)号：CN110120359A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201910079946.4

申请日：2019-01-28

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 根来世

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种即使在将溶解氧浓度被调整的处理液进行再利用的情况下，也能够以极其稳定的品质处理基板的基板处理方法和基板处理装置。在供给容器中贮存处理液。测量处理液的溶解氧浓度。通过向供给容器内供给非活性气体的浓度高于空气的浓度调整气体，根据测量出的处理液的溶解氧浓度调整供给容器内的处理液的溶解氧浓度。向基板供给供给容器内的处理液。由供给容器回收供给至基板的处理液。在由供给容器回收处理液之前，使不需要气体在处理液中减少，不需要气体是浓度调整气体以外的气体，在基板的处理中溶入处理液中。

公开(公告)号：CN119923710A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202380068309.1

申请日：2023-08-28

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 德山真裕 ,  筱原健介 ,  根来世

IPC: H01L21/306 ,  G06N20/00

Abstract: 本发明的学习装置包含：实验数据取得部，其在以包含表示随时间经过而相对于基板变动的喷嘴的相对位置的变动条件的处理条件驱动基板处理装置，进行形成于前述基板的膜的处理之后，取得表示前述膜的处理的前后的膜厚的差的第一处理量；第1转换部，其将变动条件转换成压缩数据，该压缩数据表示对于复数个移动区间各者的与喷嘴相关的动作量，复数个所述移动区间是将在喷嘴动作开始至结束的扫描期间喷嘴的移动范围分割成比变动条件的数据数量更少的数量而得到的移动区间；及预测器生成部，其对包含压缩数据及与处理条件对应的第一处理量的学习用数据进行机器学习，生成推测第二处理量的学习模型。

公开(公告)号：CN116631895A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310046730.4

申请日：2023-01-13

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 根来世 ,  筱原健介 ,  德山真裕

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种衬底处理条件的设定方法、衬底处理方法、衬底处理条件的设定系统、及衬底处理系统。衬底处理条件的设定方法包含：步骤(S24)，对基于学习用处理条件、及以学习用处理条件处理衬底(W)时的处理结果进行机械学习后的已学习模型(M)，输入多个处理条件，取得多个推定处理结果；步骤(S26)，使显示部(105)显示基于多个推定处理结果的图像；及步骤(S27及S28)，基于显示于显示部(105)的图像，将与多个推定处理结果中的1个推定处理结果对应的1个处理条件，设定为处理衬底(W)时的执行处理条件。

公开(公告)号：CN115050668A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210184146.0

申请日：2022-02-24

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 泽岛隼 ,  山口贵大 ,  难波敏光 ,  根来世

IPC: H01L21/67 ,  B01D46/00

Abstract: 本发明提供一种能减少供气单元从处理外壳朝上方伸出的供气单元的突出长度的衬底处理装置。衬底处理装置(1)具备处理外壳(22)与供气单元(30)。处理外壳(22)在处理外壳(22)的内部处理衬底(W)。供气单元(30)将气体供给到处理外壳(22)的内部。供气单元(30)具备过滤器(31)、导管(32)及风扇(41)。过滤器(31)配置在处理外壳(22)的上部。过滤器(31)将气体吹出到处理外壳(22)的内部。导管(32)设置在处理外壳(22)的外部。导管(32)连接到过滤器(31)。风扇(41)设置在处理外壳(22)的外部。风扇(41)连接到导管(32)。风扇(41)在俯视下配置在不与过滤器(31)重叠的位置。风扇(41)的至少一部分配置在与处理外壳(22)相同的高度位置。

公开(公告)号：CN113728416A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202080028876.0

申请日：2020-04-07

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 根来世 ,  小林健司 ,  奥谷学 ,  阿部博史

IPC: H01L21/304

Abstract: 将含有水的漂洗液供给至衬底的上表面。将衬底的上表面上的漂洗液置换成第1液体。将衬底的上表面上的第1液体置换成第2液体。将衬底的上表面上的第2液体除去，由此使衬底干燥。第2液体在水中的溶解度小于第1液体在水中的溶解度。第2液体的表面张力低于第1液体的表面张力。第2液体的比重大于第1液体的比重。第2液体的沸点为室温以上，从第2液体的沸点减去室温而得的值为室温以下。

公开(公告)号：CN113053728A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011545248.8

申请日：2020-12-24

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 阿部博史 ,  太田乔 ,  石津岳明 ,  小林健司 ,  村元僚 ,  根来世 ,  奥谷学 ,  酒井渉

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 基板处理方法及装置，方法包括：液膜形成工序，在基板的上表面形成处理液的液膜；液膜保温工序，将基板的整体加热至比处理液的沸点更低的温度以对液膜进行保温；气相层形成工序，一边执行液膜保温工序，一边从照射单元朝设定在基板的上表面中央部的照射区域照射光来对基板进行加热，由此使接触基板的上表面中央部的处理液蒸发，而在液膜的中央部形成保持处理液的气相层；开口形成工序，将由气相层保持的处理液排除以在液膜的中央部形成开口；基板旋转工序，使基板环绕旋转轴线进行旋转；及开口扩大工序，一边执行液膜保温工序及基板旋转工序，一边使照射区域朝基板的周缘部移动，由此一边维持在液膜的内周缘形成有气相层的状态，一边使开口扩大。