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公开(公告)号：CN113053728B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202011545248.8
申请日：2020-12-24
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 基板处理方法及装置，方法包括：液膜形成工序，在基板的上表面形成处理液的液膜；液膜保温工序，将基板的整体加热至比处理液的沸点更低的温度以对液膜进行保温；气相层形成工序，一边执行液膜保温工序，一边从照射单元朝设定在基板的上表面中央部的照射区域照射光来对基板进行加热，由此使接触基板的上表面中央部的处理液蒸发，而在液膜的中央部形成保持处理液的气相层；开口形成工序，将由气相层保持的处理液排除以在液膜的中央部形成开口；基板旋转工序，使基板环绕旋转轴线进行旋转；及开口扩大工序，一边执行液膜保温工序及基板旋转工序，一边使照射区域朝基板的周缘部移动，由此一边维持在液膜的内周缘形成有气相层的状态，一边使开口扩大。
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公开(公告)号：CN117242546A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202280030580.1
申请日：2022-04-26
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明的基板处理方法具有：将基板保持为水平姿势的工序；向基板的上表面供给处理液，并且使基板以铅垂轴为中心旋转，从而在基板的上表面形成处理液的液膜的工序(S103)；检测液膜的膜厚的工序(S104)；以及在膜厚的检测结果为规定的目标值的情况下，使等离子体产生源与基板的上表面相对地配置，并从等离子体产生源对液膜进行等离子体照射的工序(S106、S107)。根据本发明，能够抑制处理液的消耗量，并且能够良好地处理基板。
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公开(公告)号：CN112309903B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202010708287.9
申请日：2020-07-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提出一种基板处理方法及基板处理装置。在第二液体供给工序中，在基板的上表面形成第二液膜、及包围第二液膜的侧方的第一液膜。而且，在蒸汽层形成工序中，形成通过对基板进行加热而与基板的上表面接触的第二液体蒸发所成的第二蒸汽层，在所述第二蒸汽层上保持第二液膜。由于第二液膜中所含的第二液体的蒸汽压高，故可将浮起的第二液膜的下表面的高度位置保持得高。通过向浮起的第二液膜吹附气体，在第二液膜上形成孔，通过朝向基板的外周扩大所述孔，将第一液体及第二液体向基板外排除。
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公开(公告)号：CN117916861A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202280059831.9
申请日：2022-05-19
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/306 , G03F7/42 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供使抗蚀剂的剥离能力提高的技术。基板处理方法具有：保持工序(S1)，使保持部(1)保持设置有抗蚀剂的基板(W)；第一等离子体处理工序(S2)，对被保持部(1)保持的基板(W)照射等离子体；液膜形成工序(S3)，在进行第一等离子体处理工序后，在被保持部(1)保持的基板(W)形成处理液的液膜；第二等离子体处理工序(S5)，在进行液膜形成工序后，对被保持部(1)保持的基板(W)照射等离子体；以及冲洗工序(S6)，在进行第二等离子体处理工序后，从被保持部(1)保持的基板(W)冲洗掉液膜。
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公开(公告)号：CN118715594A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202380021805.1
申请日：2023-02-14
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明的基板处理方法以及基板处理系统，在保持为大致水平姿势的基板的表面形成由包含超精细气泡的液体所形成的液膜，向容纳形成有液膜的基板的腔室内导入非超临界状态的处理流体，并对处理流体进行加压而使处理流体达到超临界状态，通过处理流体置换基板表面的液体，对腔室内进行减压，使变为超临界状态的处理流体气化而向腔室外排出。在腔室内通过超临界状态的处理流体处理基板的技术中，能够通过成为超临界状态前的处理流体良好地进行液体的置换。
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公开(公告)号：CN117223089A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202280028338.0
申请日：2022-03-23
IPC: H01L21/304
Abstract: 基板处理方法具备：对基板的表面供给药液的工序(步骤S11)；在步骤S11之后，对基板的表面供给冲洗液的工序(步骤S12)；在步骤S12之后，使经过加热的干燥处理液接触至基板的表面的工序(步骤S14)；以及在步骤S14之后，从基板的表面去除干燥处理液，由此使基板干燥的工序(步骤S15)。干燥处理液的表面张力比冲洗液的表面张力低。干燥处理液的沸点比冲洗液的沸点高。在步骤S14中接触至基板的表面的干燥处理液的温度为冲洗液的沸点以上且小于干燥处理液的沸点的规定的接触温度。由此，能抑制干燥处理时的图案的倒塌。
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公开(公告)号：CN113053728A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011545248.8
申请日：2020-12-24
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 基板处理方法及装置，方法包括：液膜形成工序，在基板的上表面形成处理液的液膜；液膜保温工序，将基板的整体加热至比处理液的沸点更低的温度以对液膜进行保温；气相层形成工序，一边执行液膜保温工序，一边从照射单元朝设定在基板的上表面中央部的照射区域照射光来对基板进行加热，由此使接触基板的上表面中央部的处理液蒸发，而在液膜的中央部形成保持处理液的气相层；开口形成工序，将由气相层保持的处理液排除以在液膜的中央部形成开口；基板旋转工序，使基板环绕旋转轴线进行旋转；及开口扩大工序，一边执行液膜保温工序及基板旋转工序，一边使照射区域朝基板的周缘部移动，由此一边维持在液膜的内周缘形成有气相层的状态，一边使开口扩大。
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公开(公告)号：CN115376885A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210547052.5
申请日：2022-05-18
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法及基板处理装置。基板处理方法具备：向基板的上表面供给药液的工序(步骤S11)；向基板的上表面供给清洗液的工序(步骤S12)；向基板的上表面供给干燥处理液而在基板的上表面上形成干燥处理液的液膜的工序(步骤S14)；从下表面侧对上表面上形成有干燥处理液的液膜的状态下的基板进行加热的工序(步骤S15)；和通过将该干燥处理液的液膜从基板的上表面除去而使基板干燥的工序(步骤S16)。该干燥处理液的表面张力比清洗液的表面张力低。干燥处理液的沸点比清洗液的沸点高。步骤S15中的基板的加热温度为清洗液的沸点以上且低于干燥处理液的沸点。由此，能够抑制步骤S16的干燥处理时的图案倒塌。
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公开(公告)号：CN112309903A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010708287.9
申请日：2020-07-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提出一种基板处理方法及基板处理装置。在第二液体供给工序中，在基板的上表面形成第二液膜、及包围第二液膜的侧方的第一液膜。而且，在蒸汽层形成工序中，形成通过对基板进行加热而与基板的上表面接触的第二液体蒸发所成的第二蒸汽层，在所述第二蒸汽层上保持第二液膜。由于第二液膜中所含的第二液体的蒸汽压高，故可将浮起的第二液膜的下表面的高度位置保持得高。通过向浮起的第二液膜吹附气体，在第二液膜上形成孔，通过朝向基板的外周扩大所述孔，将第一液体及第二液体向基板外排除。
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