公开(公告)号：CN108987311A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810552438.9

申请日：2018-05-31

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 菊本宪幸 ,  林豊秀 ,  藤田直人 ,  岩尾通矩 ,  酒井涉

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68742

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，该基板处理装置具备：旋转卡盘，一边将圆板状的基板保持为水平一边使基板以旋转轴线为中心旋转；筒状的挡板，接收从由旋转卡盘保持的基板向外方飞散的处理液；以及定心单元，使基板的中心接近旋转轴线。定心单元包括：推动件，与旋转卡盘上的基板接触；以及线性电机，通过使推动件水平地移动来使基板相对于旋转卡盘水平地移动。线性电机的至少一部分以在俯视下与挡板重叠的方式配置于挡板的上方。

公开(公告)号：CN117916861A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202280059831.9

申请日：2022-05-19

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 柴田秀一 ,  石津岳明 ,  藤田直人

IPC: H01L21/306 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供使抗蚀剂的剥离能力提高的技术。基板处理方法具有：保持工序(S1)，使保持部(1)保持设置有抗蚀剂的基板(W)；第一等离子体处理工序(S2)，对被保持部(1)保持的基板(W)照射等离子体；液膜形成工序(S3)，在进行第一等离子体处理工序后，在被保持部(1)保持的基板(W)形成处理液的液膜；第二等离子体处理工序(S5)，在进行液膜形成工序后，对被保持部(1)保持的基板(W)照射等离子体；以及冲洗工序(S6)，在进行第二等离子体处理工序后，从被保持部(1)保持的基板(W)冲洗掉液膜。

公开(公告)号：CN108987311B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN201810552438.9

申请日：2018-05-31

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 菊本宪幸 ,  林豊秀 ,  藤田直人 ,  岩尾通矩 ,  酒井涉

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，该基板处理装置具备：旋转卡盘，一边将圆板状的基板保持为水平一边使基板以旋转轴线为中心旋转；筒状的挡板，接收从由旋转卡盘保持的基板向外方飞散的处理液；以及定心单元，使基板的中心接近旋转轴线。定心单元包括：推动件，与旋转卡盘上的基板接触；以及线性电机，通过使推动件水平地移动来使基板相对于旋转卡盘水平地移动。线性电机的至少一部分以在俯视下与挡板重叠的方式配置于挡板的上方。