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公开(公告)号：CN111489955B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN201911395272.5
申请日：2019-12-30
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置，在基板处理中，向被保持为水平状态的基板(9)的上表面(91)供给第一处理液，形成覆盖整个上表面(91)的第一处理液的液膜(81)。另外，对基板(9)进行加热，在上表面(91)上的第一处理液的液膜(81)与上表面(91)之间形成第一处理液的蒸气层(82)。然后，通过向基板(9)的上表面(91)供给第二处理液，从上表面(91)去除第一处理液的液膜(81)。由此，能够将随着蒸气层(82)的形成而进入第一处理液的液膜(81)的异物(89)从基板(9)的上表面(91)合适地去除。
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公开(公告)号：CN111063633B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN201910987234.2
申请日：2019-10-17
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种能够抑制填充材料附着于基板的背面的基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置(100)对具有上表面以及背面的基板W进行处理。基板处理装置(100)具有基板保持部(120)、填充材料供给部(150)、第一清洗液供给部(160)。基板保持部(120)保持基板(W)的背面的中央部并使基板(W)旋转。填充材料供给部(150)向被基板保持部(120)保持的基板(W)的上表面供给填充材料。第一清洗液供给部(160)向被基板保持部(120)保持的基板(W)的背面供给清洗液。第一清洗液供给部(160)朝向基板(W)的背面中的被基板保持部(120)保持的区域供给清洗液。
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公开(公告)号：CN117038434A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311229432.5
申请日：2019-05-30
Abstract: 本发明涉及衬底处理方法及衬底处理装置。衬底处理方法包括：处理液供给工序，向具有具备凹凸的图案面的衬底的前述图案面供给处理液；处理膜形成工序，使已被供给至前述图案面的前述处理液固化或硬化，以追随该图案面的凹凸的方式形成保持存在于前述图案面上的去除对象物的处理膜；和除去工序，向前述图案面供给剥离液，将前述处理膜与前述去除对象物一同从前述图案面剥离，在维持前述去除对象物被前述处理膜保持的状态的同时将前述处理膜从前述衬底除去。
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公开(公告)号：CN116864419A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310994427.7
申请日：2018-11-28
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供从基板的上表面良好去除颗粒且使上表面良好干燥的基板处理方法和装置。该基板处理方法包括：第一处理液供给工序，向基板的上表面供给第一处理液；保持层形成工序，使所述第一处理液固化或硬化，在所述基板的上表面形成颗粒保持层；保持层去除工序，将所述颗粒保持层从基板的上表面剥离并去除；液膜形成工序，将所述颗粒保持层从所述基板上去除之后，形成第二处理液的液膜；固化工序，将所述液膜冷却至所述升华性物质的融点以下的温度，使所述液膜在所述基板上固化来形成固体膜；升华工序，使所述固体膜升华来从基板上去除。
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公开(公告)号：CN110098137A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910066183.X
申请日：2019-01-24
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，基板处理方法包括：基板保持工序，利用基板保持用具将基板保持为水平；液膜形成工序，通过向基板的上表面供给处理液，在基板的上表面形成处理液的液膜；液密加热工序，通过向设置在基板与基座之间的加热器单元与基板之间的空间供给热媒来使热媒充满空间，并且通过加热器单元加热热媒；开口形成工序，在通过液密加热工序加热基板使得基板的温度成为处理液的沸点以上的状态下，在基板上的液膜的中央区域形成开口；以及开口扩大工序，一边通过使基座旋转而使基板以沿着铅垂方向的旋转轴线为中心旋转，一边使开口扩展。液密加热工序在开口扩大工序的至少一部分的期间与开口扩大工序并行执行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109872960A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201811447638.4
申请日：2018-11-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括：第一处理液供给工序，向上述基板的上表面供给第一处理液；保持层形成工序，使上述第一处理液固化或硬化，在上述基板的上表面形成颗粒保持层；保持层去除工序，将上述颗粒保持层从上述基板的上表面剥离并去除；液膜形成工序，在将上述颗粒保持层从上述基板上除去后，形成第二处理液的液膜；气相层形成工序，在上述基板的上表面与上述液膜之间形成保持上述液膜的气相层；以及液膜排除工序，通过使上述液膜在上述气相层上移动，将上述第二处理液从上述基板的上表面排除。
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公开(公告)号：CN108630569A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810159654.7
申请日：2018-02-26
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
CPC classification number: B05C9/14 , B05C5/02 , B05C11/1039 , B08B3/10 , H01L21/67023
Abstract: 本发明的目的在于，在加热器与附着有处理液的基板的下表面接触加热时防止基板弯曲，从而能够均匀地加热基板的整个面。基板处理装置(1)的旋转基座(21)具备把持基板W的周缘的多个卡盘销(20)。加热器主体(60)配置在旋转基座(21)与由卡盘销(20)把持的基板(W)之间。在加热器主体(60)的上表面设置有多个气体嘴(61)。气体嘴(61)与非活性气体供给机构(68)和抽吸机构(69)连通，通过从气体嘴(61)喷出非活性气体来防止向加热器主体(60)下落的处理液进入气体嘴(61)，通过由气体嘴(61)抽吸能够使基板(W)均匀地吸附于加热器主体(60)的上表面。由此，防止基板弯曲，从而能够均匀地加热基板的整个面。
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公开(公告)号：CN108305829A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201711458281.5
申请日：2017-12-28
Applicant: 株式会社斯库林集团
CPC classification number: B08B7/0014 , B08B3/08 , B08B3/106 , B08B2203/007 , H01L21/02057 , H01L21/67034 , H01L21/67167 , H01L21/68714
Abstract: 本发明提供基板处理方法，包括：基板保持工序，使基板保持单元将基板保持为水平；密闭工序，在将保持有基板的基板保持单元收纳于腔室的内部空间的状态下密闭内部空间；液膜形成工序，对基板的上表面供给用于处理基板的上表面的处理液，在基板上形成处理液的液膜；加压工序，通过对内部空间供给气体，对内部空间加压直至内部空间的压力为高于大气压的第一压力；加热工序，加热基板，使得在内部空间的压力达到第一压力的状态下在液膜与基板之间形成处理液的蒸气层；液膜排除工序，通过一边维持在液膜与基板之间形成处理液的蒸气层的状态，一边对内部空间减压直至内部空间的压力为小于第一压力的第二压力，使处理液蒸发，从基板上排除液膜。
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公开(公告)号：CN113053728B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202011545248.8
申请日：2020-12-24
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 基板处理方法及装置，方法包括：液膜形成工序，在基板的上表面形成处理液的液膜；液膜保温工序，将基板的整体加热至比处理液的沸点更低的温度以对液膜进行保温；气相层形成工序，一边执行液膜保温工序，一边从照射单元朝设定在基板的上表面中央部的照射区域照射光来对基板进行加热，由此使接触基板的上表面中央部的处理液蒸发，而在液膜的中央部形成保持处理液的气相层；开口形成工序，将由气相层保持的处理液排除以在液膜的中央部形成开口；基板旋转工序，使基板环绕旋转轴线进行旋转；及开口扩大工序，一边执行液膜保温工序及基板旋转工序，一边使照射区域朝基板的周缘部移动，由此一边维持在液膜的内周缘形成有气相层的状态，一边使开口扩大。
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公开(公告)号：CN116825672A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310815275.X
申请日：2019-01-24
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，基板处理方法包括：基板保持工序，利用基板保持用具将基板保持为水平；液膜形成工序，通过向基板的上表面供给处理液，在基板的上表面形成处理液的液膜；液密加热工序，通过向设置在基板与基座之间的加热器单元与基板之间的空间供给热媒来使热媒充满空间，并且通过加热器单元加热热媒；开口形成工序，在通过液密加热工序加热基板使得基板的温度成为处理液的沸点以上的状态下，在基板上的液膜的中央区域形成开口；以及开口扩大工序，一边通过使基座旋转而使基板以沿着铅垂方向的旋转轴线为中心旋转，一边使开口扩展。液密加热工序在开口扩大工序的至少一部分的期间与开口扩大工序并行执行。
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