基板处理方法及基板处理装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115376885A

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202210547052.5

    申请日:2022-05-18

    Abstract: 本发明提供一种基板处理方法及基板处理装置。基板处理方法具备:向基板的上表面供给药液的工序(步骤S11);向基板的上表面供给清洗液的工序(步骤S12);向基板的上表面供给干燥处理液而在基板的上表面上形成干燥处理液的液膜的工序(步骤S14);从下表面侧对上表面上形成有干燥处理液的液膜的状态下的基板进行加热的工序(步骤S15);和通过将该干燥处理液的液膜从基板的上表面除去而使基板干燥的工序(步骤S16)。该干燥处理液的表面张力比清洗液的表面张力低。干燥处理液的沸点比清洗液的沸点高。步骤S15中的基板的加热温度为清洗液的沸点以上且低于干燥处理液的沸点。由此,能够抑制步骤S16的干燥处理时的图案倒塌。

    衬底处理方法
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113632012B

    公开(公告)日:2024-12-10

    申请号:CN202080020066.0

    申请日:2020-02-04

    Abstract: 本发明的目的在于提供衬底处理方法,其解决了若欲仅依赖臭氧的分解作用来除去阻剂膜,则处理时间变长的课题;虽然利用使阻剂膜溶胀而促进剥离,但在溶胀进行的程度上还存在较大改善的余地的课题,能够抑制废液处理的负担,并且能够在短时间内从衬底除去阻剂膜。衬底处理方法,其具备:使含臭氧水溶液(920)与衬底(901)上的阻剂膜接触的工序;以及使与含臭氧水溶液(920)相比以高浓度含有氨的含氨水溶液(930)与阻剂膜中的、已经与含臭氧水溶液(920)相接触的部分(P1)接触的工序。

    基板处理装置、基板处理方法和基板处理系统

    公开(公告)号:CN108257890B

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN201711404713.4

    申请日:2017-12-22

    Abstract: 本发明提供一种在更短时间内将基板和紫外线照射器之间的空间的环境气体变为规定的环境气体的基板处理装置。基板处理装置(10)具备基板保持台(1)、紫外线照射机构(2)、筒构件(3)和气体供给机构(41、42)。紫外线照射机构以隔着作用空间(H1)与基板(W1)相对的方式配置,并向基板照射紫外线。筒构件具有包围基板保持台的侧表面1b)的内表面(3a),在内表面中的与侧表面相对的至少一个位置上具有至少一个开口部(31a)。气体供给机构(42)经由至少一个开口部,向基板保持台(1)的侧表面(1b)和筒构件(3)的内表面(3a)之间的空间供给气体。气体供给机构(41)向基板和紫外线照射机构(2)之间的作用空间(H1)供给气体。

    衬底处理方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113632012A

    公开(公告)日:2021-11-09

    申请号:CN202080020066.0

    申请日:2020-02-04

    Abstract: 本发明的目的在于提供衬底处理方法,其解决了若欲仅依赖臭氧的分解作用来除去阻剂膜,则处理时间变长的课题;虽然利用使阻剂膜溶胀而促进剥离,但在溶胀进行的程度上还存在较大改善的余地的课题,能够抑制废液处理的负担,并且能够在短时间内从衬底除去阻剂膜。衬底处理方法,其具备:使含臭氧水溶液(920)与衬底(901)上的阻剂膜接触的工序;以及使与含臭氧水溶液(920)相比以高浓度含有氨的含氨水溶液(930)与阻剂膜中的、已经与含臭氧水溶液(920)相接触的部分(P1)接触的工序。

Patent Agency Ranking