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公开(公告)号：CN113448307A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110205886.3
申请日：2021-02-24
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种学习完成的模型生成方法、异常主要原因推定装置、基板处理装置、异常主要原因推定方法、学习方法、学习装置以及学习数据制作方法。学习完成的模型生成方法包括：获取学习数据的步骤；以及通过对学习数据进行机器学习从而生成学习完成的模型的步骤，所述学习完成的模型推定经处理流体处理后的处理对象基板的异常的主要原因。学习数据包含特征量及异常主要原因信息。异常主要原因信息表示经处理流体处理后的学习对象基板的异常的主要原因。特征量包含表示时序数据中的区间数据的时间推移的特征的、第一特征量信息，所述时序数据表示利用处理流体对学习对象基板进行处理的基板处理装置使用的物体的物理量。第一特征量信息由时间表示。
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公开(公告)号：CN115602570A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210527908.2
申请日：2022-05-16
Applicant: 株式会社斯库林集团(JP)
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种基板处理方法，缩短基板处理所需要的时间。预先设定有流程处理程式，该流程处理程式包括：第一工艺处理程式，设定对基板执行的第一处理的内容，第二工艺处理程式，设定在第一处理之后对基板执行的第二处理的内容，以及预处理程式，设定关于第二工艺处理程式的预备动作的内容；第一处理包括对基板进行的第一药液的喷出，第二处理包括对基板进行的第一药液的喷出，预备动作包括第一药液的排出。基板处理方法具有以下工序：执行第一处理，判断从第一处理结束到第二处理开始为止的时间是否比第一阈值短，以及若判断的结果为肯定，则减少预备动作的时间，执行第二处理。
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公开(公告)号：CN109427548A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810857665.2
申请日：2018-07-31
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明涉及基板处理方法及装置，该方法包括将基板保持为水平的基板保持工序、向基板的上表面供给含水的处理液的处理液供给工序、向上表面供给低表面张力液体来用低表面张力液体置换处理液形成低表面张力液体的液膜的液膜形成工序、通过向液膜的中央区域供给气体在液膜的中央区域形成开口的开口形成工序、使开口扩大排除液膜的开口扩大工序、在开口扩大工序中使基板以铅垂方向的旋转轴线为中心旋转的基板旋转工序、在开口扩大工序中向设于开口的周缘的内侧的气体供给位置吹送气体使气体供给位置向周缘移动的气体供给位置移动工序、在开口扩大工序中向设于开口的周缘的外侧的着落位置供给低表面张力液体来使着落位置向周缘移动的着落位置移动工序。
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公开(公告)号：CN113448307B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202110205886.3
申请日：2021-02-24
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: G05B23/02 , G06N3/0464 , G06N3/08 , G06N20/00 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种学习完成的模型生成方法、异常主要原因推定装置、基板处理装置、异常主要原因推定方法、学习方法、学习装置以及学习数据制作方法。学习完成的模型生成方法包括：获取学习数据的步骤；以及通过对学习数据进行机器学习从而生成学习完成的模型的步骤，所述学习完成的模型推定经处理流体处理后的处理对象基板的异常的主要原因。学习数据包含特征量及异常主要原因信息。异常主要原因信息表示经处理流体处理后的学习对象基板的异常的主要原因。特征量包含表示时序数据中的区间数据的时间推移的特征的、第一特征量信息，所述时序数据表示利用处理流体对学习对象基板进行处理的基板处理装置使用的物体的物理量。第一特征量信息由时间表示。
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公开(公告)号：CN115668448A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180038611.3
申请日：2021-05-12
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/02 , H01L21/304
Abstract: 一种基板处理装置(100)具备多个处理单元(1A1、1B1)、多个单独排气管(41A、41B)、共用排气管(81A)、多个第一压力调节机构(73A1、73B1)、第二压力调节机构(87A)以及控制部(102)。从处理单元(1A1、1B1)排出的气体流入单独排气管(41A、41B)。从单独排气管(41A、41B)排出的气体流入共用排气管(81A)。第一压力调节机构(73A1、73B1)调节从处理单元(1A1、1B1)流入单独排气管(41A、41B)的气体的压力。第二压力调节机构(87A)调节共用排气管(81A)内部的气体的压力。控制部(102)从已学习模型(LM)取得规定多个第一压力调节机构(73A1、73B1)的动作和第二压力调节机构(87A)的动作的处理时压力调节信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115023793A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202080095099.1
申请日：2020-12-11
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明为同时实现基板上表面上的环境气体控制与降低对基板上表面施行的处理的不均，使基板由保持部保持为水平姿势，从位于与该基板上表面呈相对向的状态的环境气体控制构件朝基板上表面上供给非活性气体，并一边使保持部以沿铅垂方向的虚拟旋转轴为中心进行旋转，一边从液体吐出部的吐出口朝沿基板上表面的方向吐出处理液，从而将处理液供给至基板上表面上。此时，变更从处理液供给源朝液体吐出部供给的处理液每单位时间的供给量，而使从液体吐出部所吐出的处理液的吐出速度变化，从而使基板上表面中被供给有从液体吐出部吐出的处理液的液体供给位置变化。
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公开(公告)号：CN113632012B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202080020066.0
申请日：2020-02-04
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/304
Abstract: 本发明的目的在于提供衬底处理方法，其解决了若欲仅依赖臭氧的分解作用来除去阻剂膜，则处理时间变长的课题；虽然利用使阻剂膜溶胀而促进剥离，但在溶胀进行的程度上还存在较大改善的余地的课题，能够抑制废液处理的负担，并且能够在短时间内从衬底除去阻剂膜。衬底处理方法，其具备：使含臭氧水溶液(920)与衬底(901)上的阻剂膜接触的工序；以及使与含臭氧水溶液(920)相比以高浓度含有氨的含氨水溶液(930)与阻剂膜中的、已经与含臭氧水溶液(920)相接触的部分(P1)接触的工序。
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公开(公告)号：CN113632012A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080020066.0
申请日：2020-02-04
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/304
Abstract: 本发明的目的在于提供衬底处理方法，其解决了若欲仅依赖臭氧的分解作用来除去阻剂膜，则处理时间变长的课题；虽然利用使阻剂膜溶胀而促进剥离，但在溶胀进行的程度上还存在较大改善的余地的课题，能够抑制废液处理的负担，并且能够在短时间内从衬底除去阻剂膜。衬底处理方法，其具备：使含臭氧水溶液(920)与衬底(901)上的阻剂膜接触的工序；以及使与含臭氧水溶液(920)相比以高浓度含有氨的含氨水溶液(930)与阻剂膜中的、已经与含臭氧水溶液(920)相接触的部分(P1)接触的工序。
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公开(公告)号：CN109427548B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201810857665.2
申请日：2018-07-31
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明涉及基板处理方法及装置，该方法包括将基板保持为水平的基板保持工序、向基板的上表面供给含水的处理液的处理液供给工序、向上表面供给低表面张力液体来用低表面张力液体置换处理液形成低表面张力液体的液膜的液膜形成工序、通过向液膜的中央区域供给气体在液膜的中央区域形成开口的开口形成工序、使开口扩大排除液膜的开口扩大工序、在开口扩大工序中使基板以铅垂方向的旋转轴线为中心旋转的基板旋转工序、在开口扩大工序中向设于开口的周缘的内侧的气体供给位置吹送气体使气体供给位置向周缘移动的气体供给位置移动工序、在开口扩大工序中向设于开口的周缘的外侧的着落位置供给低表面张力液体来使着落位置向周缘移动的着落位置移动工序。
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公开(公告)号：CN110692122B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201880027510.4
申请日：2018-04-17
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
Abstract: 基板处理方法包含有：液体喷出步骤，从喷嘴朝在腔室内被基板保持单元保持的基板的主面中的规定的供给区域喷出液体；加湿气体供给步骤，为了去除在所述基板上带有的电荷而对所述基板的主面供给比所述腔室内的湿度还高的湿度的加湿气体；以及旋转干燥步骤，在所述液体喷出步骤之后，使所述基板绕着规定的旋转轴线旋转并甩离所述基板的主面的液体成分。所述加湿气体供给步骤从所述液体喷出步骤开始前开始，在所述液体喷出步骤的开始之后且在所述旋转干燥步骤之前的规定的结束时机结束。
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