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公开(公告)号：CN111518562A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010080739.3
申请日：2020-02-05
Abstract: 本发明涉及硅蚀刻液以及使用该蚀刻液的硅器件的制造方法。本发明提供一种硅蚀刻液，其能抑制药液中的溶解氧量的影响，能与溶解氧浓度无关地进行同样的蚀刻处理。一种硅蚀刻液，是包含四烷基氢氧化铵、水的混合液，所述硅蚀刻液包含下述式(1)所示的化合物。R1O－(CmH2mO)n－R2 (1)(式中，R1为氢原子或碳原子数1～3的烷基，R2为氢原子或碳原子数1～6的烷基，m为整数2～6，n为1或2。)。
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公开(公告)号：CN113308249B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110220598.5
申请日：2021-02-26
IPC: C09K13/00 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及硅蚀刻液、使用该蚀刻液的硅器件的制造方法以及基板处理方法。提供一种硅蚀刻液，其能抑制硅的晶体取向的影响，能与多晶硅膜中的单晶粒的晶体取向无关地进行同样的蚀刻处理。一种各向同性硅蚀刻液，其特征在于，包含氢氧化季铵、水、以及选自由下述式(1)以及式(2)所示的化合物构成的组中的至少一种化合物，并且满足下述条件1和条件2。R1O－(CmH2mO)n－R2(1)HO－(C2H4O)p－H(2)条件1：0.2≤蚀刻速度比(R110/R100)≤1条件2：0.8≤蚀刻速度比(R110/R111)≤4(上述条件中，R100表示相对于单晶硅的100面的蚀刻速度，R110表示相对于单晶硅的110面的蚀刻速度，R111表示相对于单晶硅的111面的蚀刻速度)。
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公开(公告)号：CN113308249A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110220598.5
申请日：2021-02-26
IPC: C09K13/00 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及硅蚀刻液、使用该蚀刻液的硅器件的制造方法以及基板处理方法。提供一种硅蚀刻液，其能抑制硅的晶体取向的影响，能与多晶硅膜中的单晶粒的晶体取向无关地进行同样的蚀刻处理。一种各向同性硅蚀刻液，其特征在于，包含氢氧化季铵、水、以及选自由下述式(1)以及式(2)所示的化合物构成的组中的至少一种化合物，并且满足下述条件1和条件2。R1O－(CmH2mO)n－R2(1)HO－(C2H4O)p－H(2)条件1：0.2≤蚀刻速度比(R110/R100)≤1条件2：0.8≤蚀刻速度比(R110/R111)≤4(上述条件中，R100表示相对于单晶硅的100面的蚀刻速度，R110表示相对于单晶硅的110面的蚀刻速度，R111表示相对于单晶硅的111面的蚀刻速度)。
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公开(公告)号：CN101213493A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200680021234.8
申请日：2006-06-13
Applicant: 株式会社德山
IPC: G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/322
Abstract: 本发明提供由含有非离子性表面活性剂和铵化合物的碱性水溶液所构成的光致抗蚀剂显影液，其通过含有0.5～10质量％规定的非离子性表面活性剂、0.01～5.0质量％规定的铵化合物，即便在对厚膜抗蚀剂进行显影时也不会发生膜渣、可以形成良好图案。
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公开(公告)号：CN1193410C
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN01803401.2
申请日：2001-08-31
Applicant: 株式会社德山
IPC: H01L21/304 , B08B3/08 , G03F7/42
CPC classification number: C11D3/3765 , C11D3/37 , C11D3/3723 , C11D3/3776 , C11D7/10 , C11D7/32 , C11D7/3209 , C11D7/3263 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D7/5013 , C11D11/0047 , G03F7/423 , G03F7/425
Abstract: 本发明的残渣洗涤液，由溶解了选自胺和氟化物盐的至少1种溶解剂的水溶性高分子的水系溶液构成，通过使用该洗涤液，可有效洗涤除去电子线路制造时产生的残渣，并且具有对绝缘膜、低电介质层间绝缘膜、布线等的防蚀效果高、起泡少的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112189006A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201980034553.X
申请日：2019-05-20
Applicant: 株式会社德山
IPC: C07C209/68 , C01B11/06 , C07C211/63 , H01L21/304 , C11D7/32
Abstract: 本发明提供一种保存稳定性优异的次氯酸季烷基铵溶液的制造方法。一种次氯酸季烷基铵溶液的制造方法，其包括：准备工序，准备氢氧化季烷基铵溶液；以及反应工序，使所述氢氧化季烷基铵溶液与氯接触，反应工序中的气相部的二氧化碳浓度为100体积ppm以下，反应工序中的液相部的pH为10.5以上。
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公开(公告)号：CN102414625A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019592.1
申请日：2010-05-20
Applicant: 株式会社德山
IPC: G03F7/32 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/325 , G03F7/0015 , G03F7/038 , G03F7/38
Abstract: 本发明提供一种抗蚀图案的形成方法及抗蚀剂用显影液，所述抗蚀图案的形成方法包括如下工序：抗蚀膜形成工序：在基板上形成含有特定的杯芳烃衍生物的抗蚀膜；潜像形成工序：使所述抗蚀膜选择性地曝光于高能射线、形成图案的潜像；及显影工序：用含有选自由含氟烷基醚以及含氟醇组成的组中的至少一种的含氟溶剂的显影液将没有曝光于高能射线的抗蚀膜的部分除去，由此对所述潜像进行显影；以上述含氟溶剂作为抗蚀剂用显影液。
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公开(公告)号：CN101657761A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200880012372.9
申请日：2008-05-13
Applicant: 株式会社德山
IPC: G03F7/32 , G03F7/023 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/322 , G03F7/0392
Abstract: 本发明提供在由化学增幅型抗蚀剂构成的厚层抗蚀剂的显影中可优选使用的显影液。一种光刻胶显影液，其特征在于，该光刻胶显影液由含有阴离子性表面活性剂和阳离子性表面活性剂的季铵化合物的水溶液构成，其中，将光刻胶显影液的总质量作为100质量％时，以0.1～5质量％含有上述式(1)所示的阴离子性表面活性剂、以0.01～2质量％含有阳离子性表面活性剂(式中，R 1 为氢原子或甲基、R 2 为氢原子或碳原子数1～4的烷基、A为碳原子数1～4的亚烷基、1分子中，AO可相同、也可是不同的2种以上的组合、p为1～3的整数、m为5～30，M为氢原子或铵离子)。
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公开(公告)号：CN1394357A
公开(公告)日：2003-01-29
申请号：CN01803401.2
申请日：2001-08-31
Applicant: 株式会社德山
IPC: H01L21/304 , B08B3/08 , G03F7/42
CPC classification number: C11D3/3765 , C11D3/37 , C11D3/3723 , C11D3/3776 , C11D7/10 , C11D7/32 , C11D7/3209 , C11D7/3263 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D7/5013 , C11D11/0047 , G03F7/423 , G03F7/425
Abstract: 本发明的残渣洗涤液，由溶解了选自胺和氟化物盐的至少1种溶解剂的水溶性高分子的水系溶液构成，通过使用该洗涤液，可有效洗涤除去电子线路制造时产生的残渣，并且具有对绝缘膜、低电介质层间绝缘膜、布线等的防蚀效果高、起泡少的优点。
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公开(公告)号：CN117567296A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311548047.7
申请日：2019-05-20
Applicant: 株式会社德山
IPC: C07C209/68 , C07C211/63 , C09K13/06 , C09K13/00
Abstract: 本发明提供一种次氯酸季烷基铵溶液的制造方法以及半导体晶圆的处理方法。该次氯酸季烷基铵溶液的制造方法包括：准备工序，准备氢氧化季烷基铵溶液；以及反应工序，使所述氢氧化季烷基铵溶液与氯气在反应容器内接触，反应工序中的液相部的pH为10.5以上，其中在所述准备工序中准备的氢氧化季烷基铵溶液是烷基的碳数为1～10的氢氧化季烷基铵的溶液。
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