公开(公告)号：CN101111804A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200580047345.1

申请日：2005-11-29

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 山下喜文 ,  大城户始 ,  野仲彻

IPC: G03F7/30 ,  C02F1/46 ,  C02F1/02 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/3092

Abstract: 本发明的显影废液的处理方法其特征在于测定包含氢氧化四烷基铵水溶液的显影废液中的四烷基铵(TAA)浓度和金属杂质的含量，根据测定的单位TAA的金属杂质的含量，选择精制处理上述显影废液，再生用作上述显影液的氢氧化TAA水溶液的步骤，废弃处理上述显影废液的步骤，或者使用作为显影液未使用的氢氧化TAA水溶液进行稀释后，精制处理稀释的显影废液，再生用作上述显影液的氢氧化TAA水溶液的步骤，各步骤选择的基准设定为单位TAA的金属杂质含量在50ppm。根据该方法，可以长期稳定地精制处理由光致抗蚀剂显影步骤排出的包含氢氧化TAA的显影废液，结果能再生在要求高精度的光致抗蚀剂显影步骤中也可作为显影液循环利用的高纯度的氢氧化TAA水溶液。

公开(公告)号：CN1394357A

公开(公告)日：2003-01-29

申请号：CN01803401.2

申请日：2001-08-31

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 周藤瑞树 ,  野仲彻 ,  东野诚司 ,  见神一郎

IPC: H01L21/304 ,  B08B3/08 ,  G03F7/42

CPC classification number: C11D3/3765 ,  C11D3/37 ,  C11D3/3723 ,  C11D3/3776 ,  C11D7/10 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425

Abstract: 本发明的残渣洗涤液，由溶解了选自胺和氟化物盐的至少1种溶解剂的水溶性高分子的水系溶液构成，通过使用该洗涤液，可有效洗涤除去电子线路制造时产生的残渣，并且具有对绝缘膜、低电介质层间绝缘膜、布线等的防蚀效果高、起泡少的优点。

公开(公告)号：CN1193410C

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN01803401.2

申请日：2001-08-31

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 周藤瑞树 ,  野仲彻 ,  东野诚司 ,  见神一郎

IPC: H01L21/304 ,  B08B3/08 ,  G03F7/42

CPC classification number: C11D3/3765 ,  C11D3/37 ,  C11D3/3723 ,  C11D3/3776 ,  C11D7/10 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425

Abstract: 本发明的残渣洗涤液，由溶解了选自胺和氟化物盐的至少1种溶解剂的水溶性高分子的水系溶液构成，通过使用该洗涤液，可有效洗涤除去电子线路制造时产生的残渣，并且具有对绝缘膜、低电介质层间绝缘膜、布线等的防蚀效果高、起泡少的优点。