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公开(公告)号：CN113308249A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110220598.5
申请日：2021-02-26
IPC: C09K13/00 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及硅蚀刻液、使用该蚀刻液的硅器件的制造方法以及基板处理方法。提供一种硅蚀刻液，其能抑制硅的晶体取向的影响，能与多晶硅膜中的单晶粒的晶体取向无关地进行同样的蚀刻处理。一种各向同性硅蚀刻液，其特征在于，包含氢氧化季铵、水、以及选自由下述式(1)以及式(2)所示的化合物构成的组中的至少一种化合物，并且满足下述条件1和条件2。R1O－(CmH2mO)n－R2(1)HO－(C2H4O)p－H(2)条件1：0.2≤蚀刻速度比(R110/R100)≤1条件2：0.8≤蚀刻速度比(R110/R111)≤4(上述条件中，R100表示相对于单晶硅的100面的蚀刻速度，R110表示相对于单晶硅的110面的蚀刻速度，R111表示相对于单晶硅的111面的蚀刻速度)。
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公开(公告)号：CN111518562A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010080739.3
申请日：2020-02-05
Abstract: 本发明涉及硅蚀刻液以及使用该蚀刻液的硅器件的制造方法。本发明提供一种硅蚀刻液，其能抑制药液中的溶解氧量的影响，能与溶解氧浓度无关地进行同样的蚀刻处理。一种硅蚀刻液，是包含四烷基氢氧化铵、水的混合液，所述硅蚀刻液包含下述式(1)所示的化合物。R1O－(CmH2mO)n－R2 (1)(式中，R1为氢原子或碳原子数1～3的烷基，R2为氢原子或碳原子数1～6的烷基，m为整数2～6，n为1或2。)。
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公开(公告)号：CN113308249B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110220598.5
申请日：2021-02-26
IPC: C09K13/00 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及硅蚀刻液、使用该蚀刻液的硅器件的制造方法以及基板处理方法。提供一种硅蚀刻液，其能抑制硅的晶体取向的影响，能与多晶硅膜中的单晶粒的晶体取向无关地进行同样的蚀刻处理。一种各向同性硅蚀刻液，其特征在于，包含氢氧化季铵、水、以及选自由下述式(1)以及式(2)所示的化合物构成的组中的至少一种化合物，并且满足下述条件1和条件2。R1O－(CmH2mO)n－R2(1)HO－(C2H4O)p－H(2)条件1：0.2≤蚀刻速度比(R110/R100)≤1条件2：0.8≤蚀刻速度比(R110/R111)≤4(上述条件中，R100表示相对于单晶硅的100面的蚀刻速度，R110表示相对于单晶硅的110面的蚀刻速度，R111表示相对于单晶硅的111面的蚀刻速度)。
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公开(公告)号：CN113243041A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201980083578.9
申请日：2019-12-09
Applicant: 株式会社德山
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种以TMAH等四级铵化合物为主剂的蚀刻液，该蚀刻液提高对硅的蚀刻速度，且蚀刻中不在蚀刻面形成附着物，而且即使长时间、连续使用蚀刻速度也不下降。本发明的硅蚀刻液的特征在于，包含下述式(1)所示的酚化合物、四级铵化合物以及水，所述硅蚀刻液的pH为12.5以上。(式中，R1为氢原子、羟基、烷基、烷氧基或氨基，R2为氢原子、羟基、烷氧基或氨基。R1与R2不同时为氢原子，R1为氢原子时R2不为羟基，R1为烷基或羟基时R2不为氢原子。)
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公开(公告)号：CN109563102A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780048750.8
申请日：2017-07-26
Applicant: 株式会社德山
IPC: C07D491/048 , C07D233/34 , C07D487/04 , C07D495/04 , A61K31/4188 , A61P3/10 , C07B61/00
Abstract: 本申请提供一种能提高作为生物素的中间体的酰胺醇化合物的产率的、该中间体的新型制造方法。一种制造酰胺醇化合物的方法，其中，通过将下述式(1)所示的三酮化合物，(i)利用NaAlH2(OCH2CH2OCH3)2进行还原之后，利用硼氢化金属盐进一步进行还原；或者(ii)利用硼氢化钙进行还原，来制造下述式(3)所示的酰胺醇化合物(式中，R1及R2分别为氢原子或亚脲基的保护基，既可以相同，也可以为不同的基团，R4为烷基、芳烷基、或芳基，R5、R6、及R7分别为氢原子、烷基、烷氧基、或卤素原子。)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109071519A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780008086.4
申请日：2017-01-28
Applicant: 株式会社德山
IPC: C07D413/10
Abstract: 根据本发明，提供阿齐沙坦及其制造方法，所述阿齐沙坦的特征在于，根据使用Cu-Kα线的X射线衍射，至少在2θ＝9.4±0.2°、11.5±0.2°、13.3±0.2°、14.8±0.2°、26.0±0.2°赋予特征峰。
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公开(公告)号：CN111051289A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880056238.2
申请日：2018-09-03
Applicant: 株式会社德山
IPC: C07D233/64 , C07F3/06
Abstract: 本发明的目的在于提供简便地制造被保护的L-肌肽衍生物的方法等。本发明的被保护的L-肌肽衍生物的制造方法的特征在于，包括通过使式(1)所示的酸酐与式(2)所示的L-组氨酸衍生物反应从而制造式(3)所示的被保护的L-肌肽衍生物的工序。{式中，R1为规定的被保护的氨基，R2为规定的被保护的氨基或支链基团，R7和R8为氢原子或氨基的保护基，R9为氢原子或羧基的保护基。}
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公开(公告)号：CN109415327A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780042206.2
申请日：2017-04-07
Applicant: 株式会社德山
IPC: C07D235/26 , A61K31/4245 , A61P9/12 , A61P43/00 , C07D413/10
Abstract: 根据本发明，提供在包含碳原子数2～7的醇的反应溶剂中使腈化合物与羟基胺和/或羟基胺酸盐反应的偕胺肟化合物的制造方法；在包含碳原子数1～8的醇的反应溶剂中对含有酯保护基的化合物进行环化反应的阿齐沙坦烷基酯的制造方法；使阿齐沙坦烷基酯在丙酮或者丙酮与醇的混合溶剂中结晶化的阿齐沙坦烷基酯的制造方法；对阿齐沙坦烷基酯进行水解的阿齐沙坦的制造方法。
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公开(公告)号：CN118240553A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311783488.5
申请日：2023-12-22
Applicant: 株式会社德山
IPC: C09K13/00 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及硅蚀刻液、硅基板的处理方法和半导体器件的制造方法。课题在于提供：基于新的技术特征的、具有高的硅蚀刻速度的新型的蚀刻液。一种硅蚀刻液，其包含碱性有机化合物和水，所述硅蚀刻液还包含下述式(1)所示的化合物，前述式(1)所示的化合物的含量为100质量ppm以上。(式(1)中，R1为单键、或碳数1～5的烃基，R2和R3各自独立地为氢原子、卤素原子、羟基、氨基、乙酰基、羧基、甲硅烷基、硼基、腈基、硫基、硒基、或碳数1～10的烃基，这些基团任选还具有取代基。)#imgabs0#
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