公开(公告)号：CN118159695A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202280071443.2

申请日：2022-12-08

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 福田真行 ,  人见达矢 ,  山本玲绪

IPC: C30B29/38 ,  C30B33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/304

Abstract: 一种III族氮化物单晶基板的制造方法，其包括如下工序：进行加工的工序，对在基底基板上具备III族氮化物单晶层的层叠体的III族氮化物单晶层的面进行加工，使得其与晶格面平行；分离工序，在进行加工的工序后，从前述基底基板或III族氮化物单晶层将III族氮化物单晶体切断并分离为板状，或者，将前述基底基板与前述III族氮化物单晶层的界面切断并分离为板状；和，切断面研磨工序，在分离工序后，对III族氮化物单晶体中的由基于分离工序的切断而产生的切断面进行研磨。

公开(公告)号：CN118240553A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311783488.5

申请日：2023-12-22

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 清家吉贵 ,  人见达矢 ,  野吕幸佑

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及硅蚀刻液、硅基板的处理方法和半导体器件的制造方法。课题在于提供：基于新的技术特征的、具有高的硅蚀刻速度的新型的蚀刻液。一种硅蚀刻液，其包含碱性有机化合物和水，所述硅蚀刻液还包含下述式(1)所示的化合物，前述式(1)所示的化合物的含量为100质量ppm以上。(式(1)中，R1为单键、或碳数1～5的烃基，R2和R3各自独立地为氢原子、卤素原子、羟基、氨基、乙酰基、羧基、甲硅烷基、硼基、腈基、硫基、硒基、或碳数1～10的烃基，这些基团任选还具有取代基。)#imgabs0#

公开(公告)号：CN117625197A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311102559.0

申请日：2023-08-30

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 人见达矢 ,  清家吉贵 ,  野吕幸佑 ,  冲村孝史郎

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供硅蚀刻液及其制造方法、基板处理方法及硅器件制造方法。本发明提供能在制造半导体器件等时，对硅以高速进行湿式蚀刻的新的药液。本发明的硅蚀刻液，其由碱性水溶液构成，该碱性水溶液在0.05～5mmol/L的范围内包含次卤酸离子，24℃下的pH为12.5以上。