公开(公告)号：CN118240553A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311783488.5

申请日：2023-12-22

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 清家吉贵 ,  人见达矢 ,  野吕幸佑

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及硅蚀刻液、硅基板的处理方法和半导体器件的制造方法。课题在于提供：基于新的技术特征的、具有高的硅蚀刻速度的新型的蚀刻液。一种硅蚀刻液，其包含碱性有机化合物和水，所述硅蚀刻液还包含下述式(1)所示的化合物，前述式(1)所示的化合物的含量为100质量ppm以上。(式(1)中，R1为单键、或碳数1～5的烃基，R2和R3各自独立地为氢原子、卤素原子、羟基、氨基、乙酰基、羧基、甲硅烷基、硼基、腈基、硫基、硒基、或碳数1～10的烃基，这些基团任选还具有取代基。)#imgabs0#

公开(公告)号：CN117625197A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311102559.0

申请日：2023-08-30

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 人见达矢 ,  清家吉贵 ,  野吕幸佑 ,  冲村孝史郎

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供硅蚀刻液及其制造方法、基板处理方法及硅器件制造方法。本发明提供能在制造半导体器件等时，对硅以高速进行湿式蚀刻的新的药液。本发明的硅蚀刻液，其由碱性水溶液构成，该碱性水溶液在0.05～5mmol/L的范围内包含次卤酸离子，24℃下的pH为12.5以上。