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公开(公告)号：CN106688028B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201580048659.7
申请日：2015-09-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种具有极高的分辨率、高显示质量、高开口率的显示装置。像素包括三个子像素，且与两个栅极线电连接。栅极线中的一个与两个子像素各自所具有的晶体管的栅极电连接，另一个栅极线与其他子像素所具有的晶体管的栅极电连接。三个子像素的各显示元件在相同方向上排列。三个子像素的三个像素电极在相同方向上排列。
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公开(公告)号：CN108475699A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680076957.1
申请日：2016-12-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L27/3262 , H01L29/045 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7782 , H01L29/7786 , H01L29/78606 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L51/005
Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一晶体管；以及第二晶体管。第一晶体管包括：第一栅电极；第一栅电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜；第一氧化物半导体膜上的第一源电极及第一漏电极；第一氧化物半导体膜、第一源电极及第一漏电极上的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的第二栅电极。第二晶体管包括：第一漏电极；第一漏电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第二氧化物半导体膜；第二氧化物半导体膜上的第二源电极及第二漏电极；第二氧化物半导体膜、第二源电极及第二漏电极上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的第三栅电极。第一氧化物半导体膜部分地重叠于第二氧化物半导体膜。
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公开(公告)号：CN103904088B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201310724113.1
申请日：2013-12-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L27/1225 , H01L27/1259
Abstract: 本发明提供一种不降低开口率而具有增大了电荷容量的电容元件的半导体装置及半导体装置的制造方法。此外，提供一种缩减在制造工序中使用的掩模个数，而降低制造成本的半导体装置。使用透光性材料形成构成电容元件的一对电极和介电膜。作为一对电极中的一个电极，使用由包含杂质的透光性半导体膜形成的电极。另外，作为构成该电容元件的一对电极中的另一个电极，使用像素电极等透光性导电膜来形成。而且，设置有扫描线、在平行于该扫描线的方向上延伸并设置在与扫描线相同的表面上的电容线。在电容线上的绝缘膜以及在形成晶体管的源电极或漏电极时可以形成的导电膜上的绝缘膜中，同时可以分别形成到达电容线及该导电膜的开口。
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公开(公告)号：CN104508549B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201380041283.8
申请日：2013-07-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1255 , G02F1/1339 , G02F1/134363 , G02F1/13454 , G02F1/13458 , G02F1/136204 , G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/134372 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G02F2201/40 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/3265 , H01L29/7869
Abstract: 提供不降低开口率且具有电荷容量增大的电容器的半导体装置。该半导体装置包括具有透光性半导体膜的晶体管、介电膜设置在一对电极之间的电容器、设置在透光性半导体膜上的绝缘膜、以及设置在绝缘膜上的透光性导电膜。在电容器中，至少包含铟（In）或锌（Zn）且形成在与晶体管的透光性半导体膜同一表面上的金属氧化物膜用作一个电极，透光性导电膜用作另一个电极，并且，设置在透光性半导体膜上的绝缘膜用作介电膜。
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公开(公告)号：CN107111985A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580071439.6
申请日：2015-12-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/30 , G09F9/00 , G09F9/30 , G09G3/20 , H01L21/363 , H01L21/8234 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/06 , H05B33/12
Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是抑制因环境温度变化所引起的流过发光元件的电流的变动而产生的亮度不均匀。利用监控电路控制流过像素部所包括的第一发光元件的电流。监控电路包括第二发光元件、晶体管、电阻器以及放大电路。第二发光元件的阳极与晶体管的源极连接。第二发光元件的阴极与电阻器及放大电路的第一输入端子连接。放大电路的第二输入端子与第二电源线连接。放大电路的输出端子与晶体管的栅极连接。晶体管的漏极与第三电源线连接。晶体管和电阻器都包括氧化物半导体膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106211413A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610363315.1
申请日：2016-05-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体装置，该半导体装置包括：像素电路；监控电路；以及校正电路，像素电路包括：选择晶体管；驱动晶体管；以及发光元件，监控电路包括监控发光元件；以及监控晶体管，在半导体装置中，取得流过监控发光元件及监控晶体管的电流值，并通过校正电路控制流过发光元件及驱动晶体管的电流值。
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公开(公告)号：CN105138195A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510283845.0
申请日：2015-05-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及触摸面板。本发明的一个方式的目的之一是提高触摸面板的检测灵敏度。本发明的一个方式的目的之一是提供一种较薄的触摸面板。本发明的一个方式的目的之一是提供一种可弯曲的触摸面板。本发明的一个方式的目的之一是提供一种轻量的触摸面板。本发明的一个方式采用在一对衬底之间包括显示元件及构成触摸传感器的电容器的结构。再者，构成电容器的一对导电层优选都包括开口。该开口与显示元件互相重叠。另外，在构成电容器的一对导电层与显示面一侧的衬底之间设置遮光层。
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公开(公告)号：CN102751295B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210271486.3
申请日：2010-06-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/1368 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L29/45 , H01L29/78645
Abstract: 本发明涉及半导体装置与用于制造半导体装置的方法。半导体装置的孔径比得到提高。驱动器电路和像素在一个衬底之上提供，并且驱动器电路中的第一薄膜晶体管和像素中的第二薄膜晶体管每个都包括栅极电极层、栅极电极层之上的栅极绝缘层、栅极绝缘层之上的氧化物半导体层、氧化物半导体层之上的源极和漏极电极层及与栅极绝缘层之上的氧化物半导体层的一部分、氧化物半导体层和源极和漏极电极层接触的氧化物绝缘层。第二薄膜晶体管的栅极电极层、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极和漏极电极层及氧化物绝缘层每个都具有透光属性。
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公开(公告)号：CN104620390A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201380047860.4
申请日：2013-09-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/423 , H01L29/49
Abstract: 提供开口率高且包括电荷容量得到增大的电容器的半导体装置。另外，提供耗电量低的半导体装置。包括：包括透光性半导体膜的晶体管、介电膜设置在一对电极之间的电容器、设置于透光性半导体膜上的绝缘膜、以及设置于绝缘膜上的第一透光性导电膜。该电容器包括：用作一个电极的第一透光性导电膜、用作电介质的绝缘膜、以及隔着该绝缘膜与第一透光性导电膜对置的用作另一个电极的第二透光性导电膜。第二透光性导电膜形成在与晶体管的透光性半导体膜同一表面上且是含有掺杂剂的金属氧化物膜。
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公开(公告)号：CN102403319B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201110257312.7
申请日：2007-03-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/115 , G11C16/14
CPC classification number: G11C16/14 , G11C8/10 , G11C16/0483 , G11C16/08 , H01L21/28273 , H01L27/105 , H01L27/11519 , H01L27/11526 , H01L27/11529 , H01L27/11546
Abstract: 本发明的目的在于提供不使用P阱或N阱等衬底端子，而放出对非易失性存储元件的电荷存储层注入的电荷的方法，作为NAND型非易失性存储器的数据擦除方法。在NAND型非易失性存储器的数据擦除方法中，通过对位线和源线施加第一电位，对第一非易失性存储元件的控制栅极施加第二电位，而且对第二非易失性存储元件的控制栅极施加与第二电位不同的第三电位，而放出存储在第一非易失性存储元件的电荷存储层中的电荷。
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