公开(公告)号：CN104508549A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380041283.8

申请日：2013-07-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三宅博之 ,  宍户英明 ,  小山润 ,  松林大介 ,  村山佳右

IPC: G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136204 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供不降低开口率且具有电荷容量增大的电容器的半导体装置。该半导体装置包括具有透光性半导体膜的晶体管、介电膜设置在一对电极之间的电容器、设置在透光性半导体膜上的绝缘膜、以及设置在绝缘膜上的透光性导电膜。在电容器中，至少包含铟（In）或锌（Zn）且形成在与晶体管的透光性半导体膜同一表面上的金属氧化物膜用作一个电极，透光性导电膜用作另一个电极，并且，设置在透光性半导体膜上的绝缘膜用作介电膜。

公开(公告)号：CN108054175A

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201810004958.6

申请日：2013-07-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三宅博之 ,  宍户英明 ,  小山润 ,  松林大介 ,  村山佳右

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1345

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136204 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供不降低开口率且具有电荷容量增大的电容器的半导体装置。该半导体装置包括具有透光性半导体膜的晶体管、介电膜设置在一对电极之间的电容器、设置在透光性半导体膜上的绝缘膜、以及设置在绝缘膜上的透光性导电膜。在电容器中，至少包含铟（In）或锌（Zn）且形成在与晶体管的透光性半导体膜同一表面上的金属氧化物膜用作一个电极，透光性导电膜用作另一个电极，并且，设置在透光性半导体膜上的绝缘膜用作介电膜。

公开(公告)号：CN104508549B

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201380041283.8

申请日：2013-07-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三宅博之 ,  宍户英明 ,  小山润 ,  松林大介 ,  村山佳右

IPC: G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136204 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供不降低开口率且具有电荷容量增大的电容器的半导体装置。该半导体装置包括具有透光性半导体膜的晶体管、介电膜设置在一对电极之间的电容器、设置在透光性半导体膜上的绝缘膜、以及设置在绝缘膜上的透光性导电膜。在电容器中，至少包含铟（In）或锌（Zn）且形成在与晶体管的透光性半导体膜同一表面上的金属氧化物膜用作一个电极，透光性导电膜用作另一个电极，并且，设置在透光性半导体膜上的绝缘膜用作介电膜。

公开(公告)号：CN103779423A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310511688.5

申请日：2013-10-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  岛行德 ,  德永肇 ,  佐佐木俊成 ,  村山佳右 ,  松林大介

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02263 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/513 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869

Abstract: 减少包括氧化物半导体膜的半导体装置的氧化物半导体膜中的缺陷。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的电特性。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的可靠性。在本发明的半导体装置中，该半导体装置包括晶体管、覆盖该晶体管的第一氧化物绝缘膜以及该第一氧化物绝缘膜上的第二氧化物绝缘膜，上述晶体管包括形成在衬底上的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘膜、隔着栅极绝缘膜与栅电极重叠的多层膜、以及与多层膜相接的一对电极，多层膜包括氧化物半导体膜、以及含有In或Ga的氧化物膜，第一氧化物绝缘膜为使氧透过的氧化物绝缘膜，第二氧化物绝缘膜为包含超过化学计量组成的氧的氧化物绝缘膜。

公开(公告)号：CN108649066A

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201810788970.0

申请日：2013-10-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  岛行德 ,  德永肇 ,  佐佐木俊成 ,  村山佳右 ,  松林大介

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02263 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/513 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869

Abstract: 减少包括氧化物半导体膜的半导体装置的氧化物半导体膜中的缺陷。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的电特性。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的可靠性。在本发明的半导体装置中，该半导体装置包括晶体管、覆盖该晶体管的第一氧化物绝缘膜以及该第一氧化物绝缘膜上的第二氧化物绝缘膜，上述晶体管包括形成在衬底上的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘膜、隔着栅极绝缘膜与栅电极重叠的多层膜、以及与多层膜相接的一对电极，多层膜包括氧化物半导体膜、以及含有In或Ga的氧化物膜，第一氧化物绝缘膜为使氧透过的氧化物绝缘膜，第二氧化物绝缘膜为包含超过化学计量组成的氧的氧化物绝缘膜。

公开(公告)号：CN103779423B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201310511688.5

申请日：2013-10-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  岛行德 ,  德永肇 ,  佐佐木俊成 ,  村山佳右 ,  松林大介

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02263 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/513 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869

Abstract: 减少包括氧化物半导体膜的半导体装置的氧化物半导体膜中的缺陷。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的电特性。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的可靠性。在本发明的半导体装置中，该半导体装置包括晶体管、覆盖该晶体管的第一氧化物绝缘膜以及该第一氧化物绝缘膜上的第二氧化物绝缘膜，上述晶体管包括形成在衬底上的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘膜、隔着栅极绝缘膜与栅电极重叠的多层膜、以及与多层膜相接的一对电极，多层膜包括氧化物半导体膜、以及含有In或Ga的氧化物膜，第一氧化物绝缘膜为使氧透过的氧化物绝缘膜，第二氧化物绝缘膜为包含超过化学计量组成的氧的氧化物绝缘膜。