公开(公告)号：CN100467880C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200580002863.1

申请日：2005-01-13

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  西野功二 ,  永濑正明 ,  土肥亮介 ,  池田信一 ,  西村龙太郎

IPC: F15B13/043 ,  G05D16/20 ,  F16K47/02

CPC classification number: F16K47/02 ,  Y10T137/0324 ,  Y10T137/0396 ,  Y10T137/7761 ,  Y10T137/7762 ,  Y10T137/7842 ,  Y10T137/86389 ,  Y10T137/86397 ,  Y10T137/86461

Abstract: 本发明的课题在于实现，通过极为简单的装置和操作能够在不产生水击的情况下在短时间内将流体通路快速打开。本发明的无水击打开装置包括：致动器动作式阀，设置在流体通路中；电/气转换装置，向致动器动作式阀提供两阶段式致动器动作压力(Pa)；振动传感器，拆装自如地固定于所述致动器动作式阀的上游侧管路；调节箱，被输入由振动传感器检测到的振动检测信号(Pr)，并且，向电/气转换装置输出对所述两阶段式致动器动作压力(Pa)的阶跃动作压力(Ps’)的大小进行控制的控制信号(Sc)，通过该控制信号(Sc)的调整而使电/气转换装置输出下述阶跃动作压力(Ps’)的两阶段式致动器动作压力(Pa)，所述阶跃动作压力(Ps’)使得振动检测信号(Pr)大致为零。

公开(公告)号：CN100455158C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN02826884.9

申请日：2002-10-11

Applicant: 夏普株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  山本直子 ,  山本达志 ,  平山昌树

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32238 ,  H01J37/32192

Abstract: 通过提高微波的传播效率，得到能扩宽可形成等离子体加工条件范围的等离子体加工装置和处理装置。等离子体加工装置是具有用等离子体进行处理的处理室(1，2)和将微波导入处理室的微波导入单元(3a～6a，3b～6b，19a，19b)的等离子体加工装置，微波导入单元(3a～6a，3b～6b，19a，19b)包括使微波透过的电介质构件(5a，5b，19a，19b)。与微波透过的电介质构件的透过方向大致垂直方向上的电介质构件的断面形状，是可使大致单一模式的微波透过的形状。在设透过电介质构件的单一模式的微波的波长为λ，任意整数为m时，透过方向上的电介质构件的厚度T，满足(λ×(2m+0.7)/4)≤T≤(λ×(2m+1.3)/4)这样的条件。

公开(公告)号：CN101215684A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200710198636.1

申请日：2004-02-03

Applicant: 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  高桥一郎 ,  山田敦彦 ,  樱井弘之

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C01G35/00 ,  C01G35/006 ,  C01P2006/42 ,  C23C14/088

Abstract: 本发明提供一种铁电膜的制造装置，其中，在容纳被处理体的处理室中，使等离子体中的离子冲击目标物，并使通过该冲击而飞出的目标原子沉积在被处理体上，从而在被处理体上形成铁电膜；所述处理室的内侧表面的至少目标物周边部分是由与所述目标物相同的构成材质形成的。本发明目的在于降低Sr2(Ta1－xNbx)O7(0≤x≤1)的铁电膜的介电常数并且增大矫顽电场。

公开(公告)号：CN100380580C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200480003583.8

申请日：2004-01-29

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  山中秀记 ,  出水清史 ,  寺本章伸 ,  须川成利

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28167 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02027 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明是用来制造{110}面的载流子移动度，特别是作为n型FET的载流子的电子的移动度显示出高的值的半导体集成电路元件用的半导体基板，不使用特别的洗净而是使用以往的RCA洗净、或不进行自由基氧化而以原子级使表面平坦化，而提供一减低表面粗糙度的硅半导体基板及其制造方法。本发明是以{110}面或以{110}面倾斜后的面作为主面的硅半导体基板，在其表面具有平均地沿着 方向的原子级的阶梯。

公开(公告)号：CN100357642C

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200480004084.0

申请日：2004-02-09

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  池田信一 ,  山路道雄 ,  北野真史 ,  森本明弘

IPC: F16K7/12 ,  F16K27/00 ,  F16K51/02

CPC classification number: F16K7/14 ,  F16K27/003 ,  F16K51/02

Abstract: 本发明提供一种阀，这种阀能够与旨在实现真空排气系统的设备的小型化并由此降低成本和缩短真空排气时间的真空排气系统配管的小口径化相适应，并能够防止由气体分解产生的离解生成物的堆积所导致的内部的腐蚀、堵塞、阀座泄漏等。具体地说，将铝钝态用于在真空排气系统中使用的阀等配管零件，来抑制因烘焙时的温度升高而引起的气体分解，从而提供与真空排气系统的小口径化相适应的零件，特别是使得不会因气体分解产生的生成物的堆积而发生腐蚀、堵塞、阀座泄漏等。

公开(公告)号：CN1961622A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200580017662.9

申请日：2005-02-24

Applicant: 大见忠弘 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  森本明大 ,  加藤丈佳 ,  川崎雅史 ,  胁坂康寻

IPC: H05K3/38 ,  H05K1/03 ,  H05K3/46

CPC classification number: H05K1/024 ,  H05K1/0216 ,  H05K1/0242 ,  H05K3/389

Abstract: 为了提供电绝缘层间的粘合性高、并且层间电阻低的电路基板，在具有基体1上形成的第1导体层，和在该第1导体层上形成的第1电绝缘层的电路基板中，第1导体层有0.1nm以上且不足100nm的表面粗糙度Ra，在该第1导体层与第1电绝缘层之间设置以硫醇化合物为主要材料的第1底涂层。由此，可以制得第1导体层与第1电绝缘层之间的粘合性高、并且可适应于高频信号的电路基板。

公开(公告)号：CN1307381C

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN02828573.5

申请日：2002-03-18

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  山路道雄 ,  野岛新也 ,  胜见雪人 ,  筱原努

IPC: F16L19/00 ,  F16J15/10

CPC classification number: F16J15/02 ,  F16J15/062 ,  F16J15/104 ,  F16L19/00 ,  F16L19/0212 ,  F16L19/0218 ,  F16L25/0018 ,  F16L27/082 ,  F16L27/0828 ,  Y10S277/925 ,  Y10S285/917

Abstract: 一种流体接头，在各接头部件(1、2)的抵接端面上，设有围绕流体通路(1a、2a)且在底面具有环状突起(5、6)的环状凹部(3、4)。垫圈(10)由外径小于环状凹部(3、4)的直径且位于两接头部件(1、2)的突起(5、6)之间的密封部(11)、和具有能嵌合到环状凹部(3、4)中的外径且位于密封部(11)的外侧的导向部(12)构成。在适当拧紧时使两接头部件(1、2)的抵接端面相互抵接。在密封部(11)的外周设有环状槽(14)，密封部(11)和导向部(12)通过嵌合于该环状槽(14)中的弹性挡环(13)相连接。

公开(公告)号：CN1296975C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN01142940.2

申请日：2001-11-30

Applicant: 夏普株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 山本直子 ,  山本达志 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/00 ,  C23C16/513

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 一隙缝天线板(7)放置在一用来将微波辐射入一加工腔(13)内的第二电介质(5)上，所述隙缝天线板(7)设置在第二电介质(5)的那一面朝着所述腔室内部(13)的侧面上。隙缝天线板(7)由导体制成，并且包括用来使微波从其中通过以进入腔室内部(13)的各隙缝(7a)。以此方式，可以提供一种藉助微波来产生等离子体的等离子体加工设备，所述等离子体加工设备能对用于待加工材料的离子辐射能很方便地进行调节，以在所述材料的平面内对所述材料进行均匀的等离子体加工。

公开(公告)号：CN1291461C

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN01821536.X

申请日：2001-12-27

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  平山昌树 ,  白井泰雪

IPC: H01L21/318 ,  H01L27/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78645

Abstract: 一种电介质膜及其形成方法、半导体器件、非易失性半导体存储器件及半导体器件的制造方法，这是以硅为衬底并包含多个晶体管或电容器的半导体器件的成膜方法，其中，氢至少预先存在于所述硅表面的一部分上，将所述硅的表面暴露于由第一惰性气体产生的等离子体来去除氢，然后，由第二惰性气体和一种或多种气体分子的混合气体产生等离子体，从而，在所述硅气体的表面上形成一种硅化合物层，所述硅化合物层包含构成所述气体分子的至少一部分的元素。

公开(公告)号：CN1271377C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN03100061.4

申请日：2003-01-08

Applicant: 大见忠弘 ,  小林贞雄 ,  霓佳斯株式会社 ,  大成建设株式会社 ,  日立工程设备建设株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  白井泰雪 ,  小林贞雄 ,  寺田功 ,  冈部稔久 ,  谷口隆志 ,  森直树 ,  伊藤宏 ,  若山惠英 ,  稻叶仁 ,  斋藤一夫 ,  小林菊治 ,  花冈秀夫

IPC: F24F5/00 ,  F28D3/00

CPC classification number: F24F5/0035 ,  F25D7/00 ,  F28C1/04

Abstract: 本发明涉及一种具备冷却单元和送风装置的空气冷却装置，所述冷却单元具有在前后两面和上下两面开口并且从前面开口部导入被冷却空气的同时从后面开口部排出冷却空气地配置的斜向蜂窝体、向该斜向蜂窝体的上面开口部供给冷却水的冷却水供给装置、以及接收从该斜向蜂窝体的下面开口部排出的排水的接水部，所述送风装置向所述斜向蜂窝体的前面开口部导入被冷却空气并从该斜向蜂窝体的后面开口部排出冷却空气，至少具有一个所述冷却单元，并且，该冷却单元中的每个所述斜向蜂窝体的高度为200～800mm。该空气冷却装置可以改善热效率，降低液气比，减少压力损失，节省空间和能源。