公开(公告)号：CN105990284A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510096743.8

申请日：2015-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田多伸光 ,  小谷和也 ,  伊东弘晃 ,  大部利春 ,  松村仁嗣

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/07

CPC classification number: H05K7/1432 ,  H01L2224/40225

Abstract: 本发明的实施方式提供一种抑制了寄生在内部布线的电感的半导体装置。实施方式的半导体装置包括底板、半导体芯片、及第一～四端子板。半导体芯片设置在底板具有的支撑面上，且包含具有第一电极及第二电极的开关元件。第一端子板具有第一主体部且与第一电极电连接。第二端子板具有第二主体部，且与第二电极电连接。第三端子板具有第三主体部，且电连接在第一电极与第一端子板之间。第四端子板具有第四主体部，且电连接在第二电极与第二端子板之间。第三、四主体部的厚度分别比第一、二主体部的厚度薄。

公开(公告)号：CN103380512B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201280008560.0

申请日：2012-02-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 志水秀男 ,  小池升 ,  村井敬 ,  室永晃 ,  首藤正志 ,  田多伸光

IPC: H01M2/10

CPC classification number: H01M2/1077 ,  H01M2/1241 ,  H01M10/0481 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/6557 ,  H01M2220/20 ,  Y02E60/122

Abstract: 本发明提供一种二次电池装置，具有：多个二次电池单元（14）；以及树脂制的壳体（12），具有分别规定了收容二次电池单元的多个收容部（20）的多个壁部，并收容上述多个二次电池单元。规定各收容部的至少一个壁部具有利用树脂与该壁部成型为一体、并对上述收容部所收容的各二次电池单元按压而进行定位的多个按压弹簧（40a）。

公开(公告)号：CN103325983B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201310087466.5

申请日：2013-03-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 寺本龙一 ,  志水秀男 ,  小池升 ,  首藤正志 ,  田多伸光 ,  和田怜 ,  寺田贵洋 ,  山本晋聪

IPC: H01M2/20 ,  H01M2/02 ,  H01M10/04

CPC classification number: H01M2/266 ,  H01M2/0242 ,  H01M2/206 ,  H01M10/04 ,  Y10T29/49108 ,  Y10T29/4911

Abstract: 一种电池以及电池的制造方法，该电池具备多个电极体、多条导线以及电池壳体。上述多个电极体分别具有正极板、负极板以及设置在上述正极板和上述负极板之间的绝缘性的分隔件。上述多条导线与上述多个电极体分别电连接。上述电池壳体具有一体设置有母线的树脂制的第1壳体件，该母线具有多个与上述多条导线分别电连接的金属制的端子部，在上述电池壳体的内部收纳上述多个电极体。

公开(公告)号：CN104916557A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410287004.2

申请日：2014-06-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 久里裕二 ,  小谷和也 ,  佐佐木遥 ,  平塚大祐 ,  松村仁嗣 ,  北泽秀明 ,  田多伸光 ,  关谷洋纪

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/495 ,  H01L23/482

CPC classification number: H01L24/26 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/407 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/492 ,  H01L23/564 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01028 ,  H01L24/27 ,  H01L24/33

Abstract: 实施方式提供一种具有使抗热疲劳性提高的接合部的高可靠的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备基座部、设置在所述基座部上的基板、以及设置在所述基板上的半导体元件。并且，还具备接合部，该接合部设置在所述基座部与所述基板之间、以及所述基板与所述半导体元件之间的至少某一方，包含锡、锑以及钴。

公开(公告)号：CN104064476A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310308392.3

申请日：2013-07-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 久里裕二 ,  关谷洋纪 ,  佐佐木遥 ,  小谷和也 ,  田多伸光 ,  松村仁嗣 ,  井口知洋

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L23/49866 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49844 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供能够通过抑制冷热循环引起的热膨胀以及热收缩来提高产品的可靠性的功率半导体装置的制造方法以及通过该制造方法制造的功率半导体装置。本实施方式涉及的功率半导体装置的制造方法，是包括表面具有导体层的基底基板以及安装于上述基底基板的半导体元件的功率半导体装置的制造方法，具有在上述导体层的表面形成硬化层的工序。

公开(公告)号：CN101983322B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200980111838.5

申请日：2009-04-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 长谷川隆太 ,  森川龙一 ,  田多伸光 ,  平田雅己

IPC: G01K7/01 ,  G01K3/00 ,  H02M1/32 ,  H02M7/5387

CPC classification number: H02M1/32 ,  G01K3/005 ,  G01K7/01 ,  G01K2219/00 ,  H02M7/5387 ,  H02M2001/327

Abstract: 一种温度检测电路，通过很少的部件的追加将成本的增大抑制为最小限度、满足绝缘和高响应性的。温度检测电路(15)将对应于第1温度传感器(TDX)的温度的第1PWM信号作为与第1温度传感器(TDX)绝缘的信号从光断续器(32)输出。温度检测电路部(34)将对应于第2温度传感器(TDU)的温度的第2PWM信号作为与第2温度传感器(TDU)绝缘的信号从光断续器(56)输出。控制运算装置(10)基于从光断续器(32、56)输出的PWM信号，运算由上述第1及第2温度传感器(TDU、TDX)检测到的温度中的高的温度。

公开(公告)号：CN1961474B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200580017922.2

申请日：2005-06-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大部利春 ,  田多伸光 ,  关谷洋纪 ,  二宫豪

IPC: H02M1/00 ,  H01L25/11

CPC classification number: H02M7/003 ,  H01L25/115 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供进一步提高功率半导体器件的冷却效率，从而对应变换器装置的通电容量的提高/小型化，并且制造性良好的变换器装置。具备构成变换器的1个臂的半导体芯片，与该半导体芯片的正极侧接合的第1导体(33)，和与该半导体芯片的负极侧接合的第2导体(35)，以所述半导体芯片的正极例电极与所述第1导体(33)的接合面以及所述半导体芯片的负极侧电极与所述第2导体(35)的接合面，相对于冷却所述半导体芯片的冷却器(22)的表面分别是非平行的方式，将所述第1导体(33)以及所述第2导体(35)配置在所述冷却器(22)的上方。