公开(公告)号：CN1702549A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510073472.0

申请日：2005-05-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 野岛茂树 ,  田中聪 ,  小谷敏也 ,  出羽恭子 ,  井上壮一

IPC: G03F1/08 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/36

Abstract: 本发明提供一种图形数据的制作方法，包括：准备含有设计图形的集成电路图形；设定复制所述设计图形时形成在处理基板上的第1图形、或将第1图形用作掩模加工所述处理基板所形成的第2图形的容许误差范围；在所述容许误差范围内，制作目标图形；在考虑到复制所述设计图形时的影响、形成第1图形时的影响及形成第2图形时的影响中的一种或一种以上的影响的预定条件下，对所述目标图形进行修正，制作第1修正图形。

公开(公告)号：CN1649086A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510005081.5

申请日：2005-01-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 早崎圭 ,  三上彻 ,  伊藤信一 ,  山崎裕一郎 ,  小谷敏也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/66 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  G01B11/00

CPC classification number: G03F7/70625 ,  G01N21/956

Abstract: 本发明据以下所确定的各物质的构成比确定被评价物的结构：测定设于预定环境中被评价物的反射光强度的波长色散；准备构成上述被评价物及上述波长色散测定的上述环境各物质的复折射率；设定假定构成上述被评价物的物质与构成上述环境的物质的混合率的多个设想构成比；相对于各设想构成比，通过应用上述各物质的复折射率的多重干涉计算从而算出设想反射率波长色散；从上述多个设想反射率波长色散中，提取多个与上述反射率波长色散测定值误差小的类似反射率波长色散计算值；将提取的类似反射率波长色散的计算中所用的设想构成比按上述误差越小权重越大进行加权平均以确定上述各物质的构成比。

公开(公告)号：CN1212642C

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN02144071.9

申请日：2002-09-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小谷敏也 ,  田中聪 ,  井上壮一 ,  小林幸子 ,  市川裕隆

IPC: H01L21/00 ,  G06F17/50

CPC classification number: G03F1/36

Abstract: 一种由设计图形生成掩模图形的掩模图形制成方法，包括：直到前述设计图形的设计结束为止，制成修正库，该修正库记录有由前述设计图形的掩模蚀刻坐标组、和用于修正前述边缘坐标组的修正值组组成的对；获得设计结束后的设计图形的第一个边缘坐标组；将对应于与第一个边缘坐标组一致的边缘坐标组的修正值组记录到前述修正库中，或从该修正库中调出；在无记录的情况下，通过根据预先确定的修正参数进行的模拟，计算出第一边缘坐标组的修正值组；将由第一边缘坐标组和修正值组构成的对追加记录到前述修正库中；在有记录的情况下，从前述修正库中读取对应的修正值组；和根据计算出的修正值组、或读出的修正值组中的任何一个，对设计图形进行修正，生成掩模图形。

公开(公告)号：CN1444268A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN03119489.3

申请日：2003-03-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小谷敏也 ,  田中聪 ,  桥本耕治 ,  井上壮一 ,  森一郎

IPC: H01L21/82

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用来决定在半导体集成电路器件的制造中使用的加工参数的方法，具备：根据加工参数信息对与半导体集成电路的设计布图对应的第1图案进行修正，得到第2图案的步骤；用上述加工参数信息，预测与上述第2图案对应而且应当用刻蚀加工在半导体晶片上边形成的第3图案的步骤；通过将上述第3图案与上述第1图案进行比较，得到评价值的步骤；判断上述评价值是否满足规定的条件的步骤；在上述评价值被判断为不满足规定的条件的情况下，变更上述加工参数信息的步骤。

公开(公告)号：CN1411034A

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN02144071.9

申请日：2002-09-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小谷敏也 ,  田中聪 ,  井上壮一 ,  小林幸子 ,  市川裕隆

IPC: H01L21/00

CPC classification number: G03F1/36

Abstract: 一种由设计图形生成掩模图形的掩模图形制成方法，包括：直到前述设计图形的设计结束为止，制成修正库，该修正库记录有由前述设计图形的掩模蚀刻坐标组、和用于修正前述边缘坐标组的修正值组组成的对；获得设计结束后的设计图形的第一个边缘坐标组；将对应于与第一个边缘坐标组一致的边缘坐标组的修正值组记录到前述修正库中，或从该修正库中调出；在无记录的情况下，通过根据预先确定的修正参数进行的模拟，计算出第一边缘坐标组的修正值组；将由第一边缘坐标组和修正值组构成的对追加记录到前述修正库中；在有记录的情况下，从前述修正库中读取对应的修正值组；和根据计算出的修正值组、或读出的修正值组中的任何一个，对设计图形进行修正，生成掩模图形。