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公开(公告)号：CN102194848A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010294132.1
申请日：2010-09-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/66984 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/1677 , G11C11/1697 , H01L27/224 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供一种自旋存储器和自旋晶体管，该自旋存储器具备包括铁磁性层叠膜的存储器单元，所述铁磁性层叠膜具有由第1铁磁性层、第1非磁性层、第2铁磁性层、第2非磁性层以及第3铁磁性层按该顺序或者相反顺序层叠而成的层叠结构，第3铁磁性层和第2铁磁性层经由第2非磁性层而反铁磁性地交换耦合，在铁磁性层叠膜中从第1铁磁性层向第3铁磁性层流通单一方向的电流，根据电流的大小对第1铁磁性层进行不同磁化状态的写入，并且进行从第1铁磁性层的读出。
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公开(公告)号：CN101546808A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910127906.9
申请日：2009-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L27/226
Abstract: 本发明公开了一种磁阻效应元件和磁性随机存取存储器。所述磁阻效应元件包括：第一铁磁层，具有垂直于膜平面的不可变磁化；第二铁磁层，具有垂直于膜平面的可变磁化；第一非磁性层，插在第一铁磁层和第二铁磁层之间；第三铁磁层，设置在第二铁磁层的与第一非磁性层相反的一侧，并且具有平行于膜平面的可变磁化；以及第二非磁化层，插在第二铁磁层和第三铁磁层之间，通过使电流在垂直于第一铁磁层和第三铁磁层之间的膜平面的方向上流动，将自旋极化电子注入到第二铁磁层，通过将自旋极化电子从第二铁磁层经由第二非磁性层注入到第三铁磁层，在第三铁磁层的磁化中感应出进动运动，以及向第二铁磁层施加频率与进动运动相对应的微波磁场。
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公开(公告)号：CN100405500C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200410032846.X
申请日：2004-04-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06K19/06187 , G11C11/16
Abstract: 提供能缩短数据传输时间的数据复制方法等，此方法包括经由网络连接数据复制装置与服务器的步骤、从此服务器的数据库中选择第一数据的步骤、将此第一数据下载到上述复制装置中的步骤、将此下载的上述第一数据写入第一磁存储器中的步骤、将第二磁存储器设于上述数据复制装置中的步骤、使上述第一磁存储器与第二磁存储器靠近以对上述第二磁存储器进行磁性复制而由此将第二数据写入上述第二磁存储器中的步骤。
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公开(公告)号：CN101154709A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710161358.2
申请日：2007-09-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3254 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11C11/16 , H01F41/307 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 提供了一种可以用低电流反转磁化方向，具有低面电阻(RA)和高TMR比值的磁阻效应元件。磁阻效应元件包括：膜叠层，其包括磁化自由层、磁化固定层和位于所述磁化自由层和所述磁化固定层之间的中间层，其中，所述磁化自由层包括其中磁化方向可以改变的磁性层，所述磁化固定层包括其中磁化方向被固定的磁性层，所述中间层是包含硼(B)和从由Ca、Mg、Sr、Ba、Ti和Sc组成的组中选出的元素的氧化物。通过所述中间层在所述磁化固定层和所述磁化自由层之间双向提供电流，使得所述磁化自由层的磁化可反转。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1452174A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN02151651.0
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/15
Abstract: 提供一种磁存储装置，即使提高存储密度，也能提高在存储单元中使用的磁效应元件存储层的存储维持状态稳定性，且可靠性高。存储单元在选择与第一写入布线对应的第二写入布线时分别被选择，且具有：磁阻效应元件，其具有通过在第一及第二写入布线上分别流过电流产生磁场而存储应写入的信息的存储层；第一结构部件，设置成包围第一写入布线，在记录层磁化容易轴方向上配置记录层和形成磁闭路的两端部；和第二结构部件，设置成包围第二写入布线，在记录层磁化困难的轴方向上配置使记录层磁化困难轴方向磁场强化的两端部。第一结构部件的两端部配置成比第二结构部件的两端部更接近记录层。
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公开(公告)号：CN107689417A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710123328.6
申请日：2017-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供能够提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式，磁存储装置包括含金属层、第1磁性层、第2磁性层以及第1中间层。所述含金属层包含金属元素。所述第2磁性层设置于所述含金属层的一部分与所述第1磁性层之间。所述第1中间层包括设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的部分。所述第1中间层朝向所述含金属层成为凸状。
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公开(公告)号：CN106875969A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201610811820.8
申请日：2016-09-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明涉及磁存储器，具备：导电层，具有第1端子及第2端子；多个磁阻元件，相互间隔地配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述导电层，各磁阻元件具有参照层、配置于所述参照层与所述导电层之间的存储层以及配置于所述存储层与所述参照层之间的非磁性层；以及电路，对所述多个磁阻元件的所述参照层施加第1电位，并且使第1写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过，对所述多个磁阻元件中的应该写入数据的磁阻元件的所述参照层施加第2电位并且使与所述第1写入电流反向的第2写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过。
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公开(公告)号：CN101546808B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200910127906.9
申请日：2009-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L27/226
Abstract: 本发明公开了一种磁阻效应元件和磁性随机存取存储器。所述磁阻效应元件包括：第一铁磁层，具有垂直于膜平面的不可变磁化；第二铁磁层，具有垂直于膜平面的可变磁化；第一非磁性层，插在第一铁磁层和第二铁磁层之间；第三铁磁层，设置在第二铁磁层的与第一非磁性层相反的一侧，并且具有平行于膜平面的可变磁化；以及第二非磁化层，插在第二铁磁层和第三铁磁层之间，通过使电流在垂直于第一铁磁层和第三铁磁层之间的膜平面的方向上流动，将自旋极化电子注入到第二铁磁层，通过将自旋极化电子从第二铁磁层经由第二非磁性层注入到第三铁磁层，在第三铁磁层的磁化中感应出进动运动，以及向第二铁磁层施加频率与进动运动相对应的微波磁场。
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公开(公告)号：CN101154709B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710161358.2
申请日：2007-09-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3254 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11C11/16 , H01F41/307 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 提供了一种可以用低电流反转磁化方向，具有低面电阻(RA)和高TMR比值的磁阻效应元件。磁阻效应元件包括：膜叠层，其包括磁化自由层、磁化固定层和位于所述磁化自由层和所述磁化固定层之间的中间层，其中，所述磁化自由层包括其中磁化方向可以改变的磁性层，所述磁化固定层包括其中磁化方向被固定的磁性层，所述中间层是包含硼(B)和从由Ca、Mg、Sr、Ba、Ti和Sc组成的组中选出的元素的氧化物。通过所述中间层在所述磁化固定层和所述磁化自由层之间双向提供电流，使得所述磁化自由层的磁化可反转。
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