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公开(公告)号：CN1848566A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610006897.4
申请日：2006-02-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 高山彻
CPC classification number: H01S5/22
Abstract: 本发明提供一种具有高可靠性和理想的温度特性同时是高功率器件的半导体激光器件。在衬底上形成有源层以及其间夹置该有源层的两个覆层。所述覆层中的一个形成台面形状的脊，并且该脊包括分开成至少两个分支的波导区域。利用这种结构，减小了注入到有源层的后刻面部分中的载流子密度，由此可以改善半导体激光器的温度特性。同时该器件包括一个区域，在该区域上，脊底部宽度连续变化，脊底部宽度在刻面附近是常数。
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公开(公告)号：CN1262054C
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN01136085.2
申请日：2001-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/32308 , H01S5/20 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2206 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/3213
Abstract: 一种半导体激光装置，分别在活性层104的下方设有由Alx1Ga1-x1As所构成的n型包层102，在活性层104的上方设有由(AlxGa1-x)yIn1-yP所构成的势垒高度规定用p型包层106。势垒高度规定用p型包层106比n型包层102含有更多的组成元素，势垒高度规定用p型包层106与活性层104之间的导带端的势差大于n型包层102与活性层104之间的导带端的势差。在抑制从活性层104向p型包层106的载流子溢出的同时，还通过在n型包层102上使用热传导率较高的材料抑制热饱和现象来提高光输出。提供抑制了热饱和现象的光输出较高的半导体激光装置。
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公开(公告)号：CN101394065B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200810213598.7
申请日：2008-09-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/162 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供一种双波长半导体激光装置及其制造方法，其可以抑制由掺杂剂的扩散引起的不良状况的产生。本发明的双波长半导体激光装置，在化合物半导体构成的基板(10)上，堆积第1半导体激光元件(1)和第2半导体激光元件(2)，将所述第1半导体激光元件(1)的蚀刻阻止层(15)的构成材料用和第2半导体激光元件(2)的蚀刻阻止层(25)的构成材料相比杂质不易扩散的材料。
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公开(公告)号：CN101141050B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200710148293.8
申请日：2007-09-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/1039 , H01S5/1064 , H01S5/162 , H01S5/22 , H01S5/4087
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光装置，目的在于实现在同一衬底上具有多个发光部的半导体激光装置的高拐点电平、低工作电流及低工作电压。半导体激光装置具有各自包括条纹构造的第一发光部及第二发光部。第一发光部的条纹具有宽度沿谐振器方向变化的部分且包括第一前端面，当将第一前端面的宽度设为Wf1、将距第一前端面的距离为L1的位置的宽度设为W1、将距第一前端面的距离为L1+L2的位置的宽度设为W2时，Wf1≥W1、W1＞W2及(Wf1-W1)/2L1＜(W1-W2)/2L2成立。在第二发光部的条纹中，与上述相同的关系成立。
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公开(公告)号：CN101599617A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910203147.X
申请日：2009-06-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/1064 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器装置，在半导体激光器的特性中可全部满足良好的温度特性、高偏光比、没有紊乱的FFP、高扭折光输出，其具备：n型包层；活性层；以及具有条纹状的脊、和分别夹着位于脊一侧的第1沟和位于另一侧的第2沟而设置的翼区域的p型包层。当设前端面的反射率为Rf，共振器端面的后端面的反射率为Rr，前端面附近区域的第1沟的宽度的最小值为W1及第2沟的宽度的最小值为W2，后端面的第1沟的宽度为W3及上述第2沟的宽度为W4时，Rf＜Rr，W1＜W3以及W2＜W4的关系式成立，当设前端面的脊的宽度为Wf，后端面的脊的宽度为Wr时，Wf＞Wr的关系式成立，脊包含由前端面侧向后端面侧宽度减少的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101533991A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910127499.1
申请日：2009-03-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/1064 , H01S5/2231 , H01S5/3403 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/18
Abstract: 本发明提供一种拐点等级、工作电压、温度特性和水平扩散角被优化的双波长半导体激光器装置。半导体激光器装置包括第1发光部；和发光波长比它大的第2发光部。第1发光部和第2发光部分别具有用来注入载流子的条状脊构造。第1发光部的脊构造包括宽度为Wf1、距离前端面5的长度为L3的第1前端区域；宽度为Wr1、距离后端面的长度为L1的第1后端区域；和位于它们之间的长度为L2的第1锥状区域，且Wf1＞Wr1。第2发光部的脊构造包括：宽度为Wf2、距离前端面的长度为L6的第2前端区域；宽度为Wr2、距离后端面的长度为L4的第2后端区域；和位于它们之间的长度为L5的第2锥状区域，且Wf2＞Wr2。另外，L1+L2+L3＝L4+L5+L6、Wf1＜Wf2以及L1＞L4。
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公开(公告)号：CN101359806A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810131165.7
申请日：2008-07-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0287 , H01S5/0655 , H01S5/1039 , H01S5/1064 , H01S5/162 , H01S5/2214 , H01S5/2216 , H01S5/2218 , H01S5/34326
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器装置，使得外部微分量子效率的降低减小，高输出工作的状态下的发光效率的饱和不易产生，可以稳定进行基横模振荡。半导体激光器装置，具备：包含在基板上形成的第1包层、活性层和第2包层的共振器构造，第2包层具有取出激光的前端面与作为该前端面的相反侧端面的后端面之间延伸的条形部20。条形部20，具有设在所述端面侧的第1区域20a；设在后端面侧的第2区域20b；和设在第1区域20a与第2区域20b之间的宽度变化的变化区域20c。变化区域20c上的条形部的内部与外部的有效折射率差，比第1区域20a上的条形部的内部与外部的有效折射率差更大。
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公开(公告)号：CN101252254A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200710167220.3
申请日：2007-11-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/222 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087
Abstract: 本发明公开了一种可实现不存在由于杂质扩散所导致的漏电流产生及高输出动作时可靠性降低的、包括多个谐振器的半导体激光装置。半导体激光装置包括彼此间留有间隔地形成在半导体衬底(10)上的第一谐振器(12)及第二谐振器(13)。该第一谐振器具有第一缓冲层(21)和包含第一活性层(23)的第一半导体层(20)，该第二谐振器具有第二缓冲层(31)和包含第二活性层(33)的第二半导体层(30)。在上述第一半导体层及上述第二半导体层的端面附近的区域分别形成了端面窗部(20a、30a)。第一缓冲层(21)的禁带宽度比第一活性层(23)的禁带宽度大，第二缓冲层(31)的禁带宽度比第二活性层(33)的禁带宽度大。
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公开(公告)号：CN1383239A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02121521.9
申请日：2002-04-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 高山彻
IPC: H01S5/026
CPC classification number: H01S5/02252 , G02F1/377 , H01S5/0092 , H01S5/02276 , H01S5/06256
Abstract: 一种波长变换装置,利用SHG变换波长,产生激光的波长变换装置,备有:具有多个电极的衬底;和安装在衬底上电连接多个电极的半导体激光器件;和具有使从半导体激光器件射出的激光作导波,变换其波长的光导波线路的非线性光学元件。然后,非线性光学元件被安装在该衬底上,该非线性光学元件的光导波线路与衬底的中心线隔开。以此,获得在半导体衬底上集成化安装半导体激光器件和光导波线路装置的小型波长变换装置,使用该波长变换装置的光盘的光拾取部分可小型化。
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公开(公告)号：CN1347569A
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN00806278.1
申请日：2000-03-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/508 , H01L27/153 , H01L27/156 , H01L33/0062 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/504
Abstract: 一种能够在厚度小、面积大的平板设备中使用的发光二极管结构。在一些实施方案中,该LED结构还带有磷从而使发出的光包括白光以及使其它可见光在色度和亮度上产生变化,并且其可用来提供环境照明和重点照明。该平板光源包括一个具有第一导电类型的第一GaN包复层;形成在第一层上、具有第二导电类型的第二GaN包复层,该第二包复层上至少有一个窗口区域形成在第一包复层上面;一个InxGa1－xN活性层;以及形成在第二包复层上的、具有相反导电类型的第三包复层。加入一个或多个用来将第一波长的光转换成第二波长光的磷层以提供复合光。
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