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公开(公告)号：CN102686101B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201080044426.7
申请日：2010-08-05
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 竹内良一
CPC classification number: A01G7/045 , A01G7/04 , F21Y2101/00 , F21Y2113/10 , F21Y2113/13 , F21Y2115/10 , H01L25/0753 , H01L2224/45144 , H01L2224/49175 , Y02P60/149 , H01L2924/00
Abstract: 在采用LED的植物培养用的照明中，红色、蓝色的混色是有优势的光源，但现状是红色的发光强度比蓝色弱，利用使用的灯的数量来调整颜色。相对于多数的红色LED，少量的蓝色LED成为点状分布的形态，存在蓝色的照射不能够均匀地进行的课题。本发明提供一种在同一封装体中搭载了蓝色LED和与其平衡的具有高的发光效率的AlGaInP系的红色LED的多色发光二极管灯。搭载具有发光部的红色LED，该发光部含有由组成式（AlXGa1-X）YIn1-YP（0≤X≤1，0＜Y≤1）构成的发光层。该红色LED在流通相同电流的情况下，放出与蓝色LED同等或其以上的光子。例如，在红色较强适于植物培养的情况下，通过搭载2个红色LED和1个蓝色LED，用1个灯得到所希望的混色，能够实现光的照射的均匀化。
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公开(公告)号：CN103098238A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180043286.6
申请日：2011-07-08
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/30 , A01G9/26 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/405 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , Y02A40/274 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及的发光二极管，具备pn结型的发光部，所述发光部具有由n层的应变发光层（12）和n-1层的势垒层（13）构成的发光层（10），势垒层存在时，所述发光层（10）具有1层的应变发光层（12）和1层的势垒层（13）交替地层叠而成的结构，n为1～7的整数，并且发光层（10）的厚度为250nm以下。
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公开(公告)号：CN102576781A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080044703.4
申请日：2010-09-30
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/641
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具备优异的耐化学特性的发光二极管接合用金属基板、发光二极管及其制造方法，提供一种发光二极管用金属基板，其是用于制造发光二极管的发光二极管用金属基板，所述发光二极管具备金属基板和通过接合层接合于所述金属基板上的含有发光部的化合物半导体层，该发光二极管用金属基板的特征在于，具备金属板和覆盖该金属板的至少上表面和下表面的金属保护膜。
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公开(公告)号：CN102422445A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080019083.9
申请日：2010-02-24
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/30 , C23C16/30 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种发光二极管用外延晶片，其特征在于，具备GaAs基板、设置在GaAs基板上的发光部和设置在发光部上的应变调整层，所述发光部具有组成式为(AlXGa1-X)YIn1-YP(其中，X和Y是分别满足0≤X≤0.1以及0.39＜Y≤0.45的数值)的应变发光层，所述应变调整层对于发光波长透明并且具有比所述GaAs基板的晶格常数小的晶格常数。根据本发明，能够提供可量产发光波长为655nm以上的高输出功率和/或高效率的LED的外延晶片。
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公开(公告)号：CN1934717B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200580008071.5
申请日：2005-03-14
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02543 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/30
Abstract: 一种化合物半导体发光二极管，包括由III-V族化合物半导体构成的发光层以及设置在所述发光层上并由III-V族化合物半导体构成的电流扩散层，其特征在于，所述电流扩散层由导电的基于磷化硼的半导体构成，并且所述电流扩散层的室温带隙宽于所述发光层的室温带隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100413104C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200580009941.0
申请日：2005-03-28
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L2224/13 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 提供了一种pn结化合物半导体发光器件，包括：包括由n型或p型磷化铝镓铟构成的发光层的层叠结构；以及用于支撑所述层叠结构的透光衬底，而且所述层叠结构和所述透光衬底接合在一起，其中所述层叠结构中包括n型或p型导电层，所述导电层和所述衬底接合在一起，以及所述导电层由含硼Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成。
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公开(公告)号：CN103098238B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201180043286.6
申请日：2011-07-08
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/30 , A01G9/26 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/405 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , Y02A40/274 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及的发光二极管，具备pn结型的发光部，所述发光部具有由n层的应变发光层（12）和n-1层的势垒层（13）构成的发光层（10），势垒层存在时，所述发光层（10）具有1层的应变发光层（12）和1层的势垒层（13）交替地层叠而成的结构，n为1～7的整数，并且发光层（10）的厚度为250nm以下。
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公开(公告)号：CN102971871A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201180033098.5
申请日：2011-07-04
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种峰发光波长为655nm以上，并且可提高可靠性的发光二极管用外延晶片。所述发光二极管用外延晶片具备GaAs基板（1）和设置在GaAs基板（1）上的pn结型的发光部（2），发光部（2）被设为应变发光层与势垒层交替地层叠而成的叠层结构，势垒层的组成式为（AlXGa1-X）YIn1-YP（0.3≤X≤0.7，0.51≤Y≤0.54）。
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公开(公告)号：CN102598319A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080051487.6
申请日：2010-09-13
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/30
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L2224/73265
Abstract: 提供一种具有700nm以上的红外发光波长、单色性优异、并且高输出功率和高效率的耐湿性优异的发光二极管。本发明涉及的发光二极管，其特征在于，具备：含有活性层的发光部（7），所述活性层具有组成式为（AlXGa1-X）As（0≤X≤1）的阱层（12）和势垒层（13）的叠层结构并发出红外光；形成于发光部（7）上的电流扩散层（8）；和与电流扩散层（8）接合的功能性基板（3）。
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公开(公告)号：CN101218687B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200680024703.1
申请日：2006-07-05
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/02 , H01L27/15 , H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/16 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , Y10S438/936 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光二极管，包括：衬底；形成在所述衬底上的化合物半导体层，包括p-n结型发光部分；电导体，设置在所述化合物半导体层上，并且由对于从所述发光部分发射的光光学透明的导电材料形成；以及高电阻层，具有比所述电导体高的电阻，并且设置在所述化合物半导体层与所述电导体之间。在发光二极管灯的结构中，通过金属线接合，使得所述电导体与跨过所述发光层在与所述电导体相反的一侧上的所述半导体层上设置的电极呈现相等的电势。所述发光二极管具有高亮度，并且在静电击穿电压方面优良。
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