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公开(公告)号：CN101772589A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200880101675.8
申请日：2008-07-30
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C28/042 , C23C4/11 , C23C4/18 , C23C16/4404
Abstract: 本发明公开一种将特化氧化钇陶瓷材料应用到半导体处理设备的方法，所述特化氧化钇陶瓷可耐含卤素等离子体的腐蚀性。所述特化氧化钇陶瓷材料的一些实施例的电阻率已被改性，以降低其在半导体处理室中出现电弧的几率。
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公开(公告)号：CN116490937A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180079523.8
申请日：2021-10-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： J·G·克诺斯约瑟夫 , S·S·甘塔 , K·贝拉 , A·恩古耶 , 杰伊二世·D·平森 , A·达纳克什鲁尔 , K·C·阿拉亚瓦里 , 赖璨锋 , 段仁官 , J·Y·孙 , A·K·卡拉尔 , A·潘迪
IPC: H01F1/04
Abstract: 一种等离子体腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有在腔室主体内的处理区域；衬垫，所述衬垫设置在腔室主体上，所述衬垫围绕处理区域；基板支撑件，所述基板支撑件设置在衬垫内；磁体组件，所述磁体组件包括设置在衬垫周围的多个磁体；以及磁性材料屏蔽件，所述磁性材料屏蔽件设置在衬垫周围，所述磁性材料屏蔽件封装靠近基板支撑件的处理区域。
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公开(公告)号：CN116018425A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202180054211.1
申请日：2021-12-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 段仁官 , 克里斯托弗·劳伦特·博德瑞 , 格伦·T·莫里
IPC: C23C16/44
Abstract: 本公开内容的实施方式涉及用金属氟化物涂层涂布腔室部件的制品、涂布的腔室部件、方法及系统，所述金属氟化物涂层包括至少一种化学式为M1xFw、M1xM2yFw或M1xM2yM3zFw的金属氟化物，其中M1、M2或M3中的至少一者是镍。金属氟化物涂层可直接形成在基板上或基板的涂层上。
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公开(公告)号：CN106458769A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580010199.9
申请日：2015-01-30
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 段仁官 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , R·萨卡拉克利施纳
IPC: C04B35/64 , C04B35/10 , C04B35/581 , C04B35/584 , C04B35/48
CPC classification number: C04B41/0081 , C03C23/007 , C04B35/111 , C04B35/488 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/565 , C04B35/581 , C04B35/587 , C04B41/009 , C04B41/80 , C04B2235/3225 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/96 , C23C14/564 , C23C16/4401 , F27B17/0025 , F27D7/06 , F27D19/00 , F27D2007/063 , F27D2019/0028 , C04B35/00 , C04B35/10 , C04B35/584 , C04B35/48
Abstract: 本文描述的实施例大体而言涉及用于热处理在紫外线半导体处理腔室中使用的腔室部件的设备和方法。包含单式陶瓷或玻璃制品的腔室部件的热处理可以减少当腔室部件曝露于腐蚀性环境、诸如曝露于紫外光和臭氧/氧自由基时产生微粒的可能性。一种热处理腔室部件的方法包括：以可接受的变温速率将单式制品加热到期望的温度并持续期望的时间周期，并且随后以所述变温速率冷却所述单式制品。
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公开(公告)号：CN106104775A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580006256.6
申请日：2015-01-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 段仁官 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , 周建华 , N·刘 , 陈一宏 , A·B·玛里克 , S·R·恭德哈勒卡尔
Abstract: 在一个实施例中，公开一种处理腔室，其中所述处理腔室的至少一个表面具有包含SivYwMgxAlyOz的涂层，其中v的范围从约0.0196至0.2951，w的范围从约0.0131至0.1569，x的范围从约0.0164至0.0784，y的范围从约0.0197至0.1569，z的范围从约0.5882至0.6557，并且v+w+x+y+z＝1。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102257608B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN200980151495.5
申请日：2009-12-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/6833 , C08K3/22 , C08K3/28 , C08K2003/2227 , C08K2003/282 , C09D183/04 , C09J11/04 , C09J183/04 , H01L21/6831 , H02N13/00 , Y10T279/23 , Y10T279/34
Abstract: 本发明提供了用于高温静电卡盘粘合的粘合剂。这里提供了用于将静电卡盘粘合至衬底支撑件的部件的方法和设备。在某些实施例中，用于粘合衬底支撑件的部件的粘合剂可包含硅基聚合材料的基质，其具有分散于其中的填充物。硅基聚合材料可为聚二甲基硅氧烷（PDMS）结构，该PDMS结构具有低分子量（LMW）的D3至D10的含量总和少于约500ppm的分子量。在某些实施例中，在体积上，该填充物构成粘着层的约50%至约70%。在某些实施例中，该填充物可以包含氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、氧化钇（Y2O3）或其组合的颗粒。在某些实施例中，该填充物可以包含具有约10纳米至约10微米的直径的颗粒。
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公开(公告)号：CN102245689B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200980149880.6
申请日：2009-12-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: C08K3/22 , C08K3/34 , C08L101/00 , C09J11/04 , B01J19/08
CPC classification number: C09K3/10 , Y10T428/2857
Abstract: 本发明揭示了一种具有改良抗等离子体性的填充聚合物组成。该组成包括分散于聚合物基质的粒子填充料。该粒子填充料可为五氧化二铌(Nb2O3)、三氟化钇(YF3)、氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)或四氮化三硅(Si3N4)及稀土族元素氧化物(rare earth oxide)。在实施例中，利用该组成作为用于静电夹头的接合粘合剂，用于喷头的接合粘合剂，用于衬垫的接合粘合剂、密封材料、O形环、或塑料部件。
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公开(公告)号：CN101681799B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200880012300.4
申请日：2008-04-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: C03C3/06 , C03B32/00 , C03B2201/24 , C03B2201/34 , C03B2201/36 , C03C2201/3411 , C03C2201/36 , C03C2203/54 , H01L21/67069 , H01L21/68721 , H01L21/68735 , H01L21/68757 , Y02P40/57 , Y10S156/915
Abstract: 在此提供一种制造掺杂的石英组件的方法。在一实施例中，该掺杂的石英组件为掺杂钇的石英环，所述石英环配置来支撑基板。在另一实施例中，该掺杂的石英组件为掺杂钇和铝的盖环。在又一实施例中，该掺杂的石英组件为含钇、铝和氮的盖环。
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公开(公告)号：CN102257608A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200980151495.5
申请日：2009-12-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/6833 , C08K3/22 , C08K3/28 , C08K2003/2227 , C08K2003/282 , C09D183/04 , C09J11/04 , C09J183/04 , H01L21/6831 , H02N13/00 , Y10T279/23 , Y10T279/34
Abstract: 本发明提供了用于高温静电卡盘粘合的粘着剂。这里提供了用于将静电卡盘粘合至衬底支撑件的部件的方法和设备。在某些实施例中，用于粘合衬底支撑件的部件的粘合剂可包含硅基聚合材料的基质，其具有分散于其中的填充物。硅基聚合材料可为聚二甲基硅氧烷(PDMS)结构，该PDMS结构具有低分子量(LMW)的D3至D10的含量总和少于约500ppm的分子量。在某些实施例中，在体积上，该填充物构成粘着层的约50％至约70％。在某些实施例中，该填充物可以包含氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氧化钇(Y2O3)或其组合的颗粒。在某些实施例中，该填充物可以包含具有约10纳米至约10微米的直径的颗粒。
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公开(公告)号：CN102245689A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980149880.6
申请日：2009-12-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: C08K3/22 , C08K3/34 , C08L101/00 , C09J11/04 , B01J19/08
CPC classification number: C09K3/10 , Y10T428/2857
Abstract: 本发明揭示了一种具有改良抗等离子体性的填充聚合物组成。该组成包括分散于聚合物基质的粒子填充料。该粒子填充料可为五氧化二铌(Nb2O3)、三氟化钇(YF3)、氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)或四氮化三硅(Si3N4)及稀土族元素氧化物(rare earth oxide)。在实施例中，利用该组成作为用于静电夹头的接合粘合剂，用于喷头的接合粘合剂，用于衬垫的接合粘合剂、密封材料、O形环、或塑料部件。
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