公开(公告)号：CN113921587A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202110575884.3

申请日：2021-05-26

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 白川彻 ,  阿形泰典 ,  三塚要

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739

Abstract: 提供一种半导体装置，其适当地调整有源区中的耐压。所述半导体装置具备有源区和边缘区域，并且具备：第1导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第2导电型的基区，其设置于漂移区的上方；第2导电型的第1集电区，其在有源区中设置于漂移区的下方；以及第2导电型的第2集电区，其在边缘区域中设置于漂移区的下方，第1集电区的掺杂浓度大于第2集电区的掺杂浓度，在俯视时，第1集电区的面积与第2集电区的面积相同或大于第2集电区的面积。

公开(公告)号：CN113711364A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202080026129.3

申请日：2020-09-08

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 阿形泰典

IPC: H01L29/36 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8249

Abstract: 提供一种半导体装置，其具备具有上表面和下表面的半导体基板，半导体基板的深度方向上的氢化学浓度分布具有第一氢浓度峰以及配置于比第一氢浓度峰更靠半导体基板的下表面侧的位置的第二氢浓度峰，第一氢浓度峰和第二氢浓度峰之间的中间施主浓度与第一氢浓度峰和半导体基板的上表面之间的上表面侧施主浓度以及第二氢浓度峰和半导体基板的下表面之间的下表面侧施主浓度都不同。中间施主浓度可以比上表面侧施主浓度和下表面侧施主浓度都高。

公开(公告)号：CN112055887A

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201980028305.4

申请日：2019-11-14

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 阿形泰典 ,  田村隆博 ,  安喰彻

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种具备半导体基板的半导体装置，半导体基板具有含有氢的含氢区域，含氢区域在至少一部分区域含有氦，含氢区域的深度方向上的氢化学浓度分布具有1个以上的氢浓度谷部，在各氢浓度谷部中，氢化学浓度是氧化学浓度的1/10以上。在至少一个氢浓度谷部中，氢化学浓度可以是氦化学浓度以上。

公开(公告)号：CN111886682A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201980021045.8

申请日：2019-10-11

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 阿形泰典 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  目黑美佐稀 ,  儿玉奈绪子 ,  伊仓巧裕 ,  野口晴司 ,  原田祐一 ,  樱井洋辅

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种半导体装置，在深度方向上，氢浓度分布具有第一氢浓度峰和第二氢浓度峰，施主浓度分布具有第一施主浓度峰和第二施主浓度峰，第一氢浓度峰和第一施主浓度峰配置于第一深度，第二氢浓度峰和第二施主浓度峰配置于第二深度，该第二深度以下表面为基准时比第一深度深，各浓度峰具有浓度值随着从下表面朝向上表面而增大的上行斜坡，用第二氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第二施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值小于用第一氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第一施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值。

公开(公告)号：CN109417093A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201880002603.1

申请日：2018-01-15

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 阿形泰典 ,  吉村尚 ,  泷下博

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 提供具有缓冲区的半导体装置。半导体装置具备：第一导电型的半导体基板；第一导电型的漂移层，其设置于半导体基板；以及缓冲区，其设置于漂移层，具有多个第一导电型的掺杂浓度的峰，缓冲区具有：第一峰，其具有预先确定的掺杂浓度，且在多个峰中设置于最靠近半导体基板的背面侧的位置；以及高浓度峰，其具有比第一峰的掺杂浓度高的掺杂浓度，设置于比第一峰靠半导体基板的上表面侧的位置。

公开(公告)号：CN108376701A

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201711444099.4

申请日：2017-12-27

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 阿形泰典

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7304 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7823 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/405

Abstract: 本发明期望调整电位梯度的变化，以便不会因电阻膜的电场而在位于电阻膜下的半导体基板产生雪崩。本发明提供半导体装置，该半导体装置具备半导体基板，半导体基板具有：边缘终端部，其包含外缘区域，所述外缘区域在半导体基板的表面的端部设置于预定的深度范围且是杂质区域；以及有源部，其包含阱区，所述阱区在半导体基板的表面的比外缘区域靠内侧的位置设置于预定的深度范围且是导电型与半导体基板的漂移区的导电型不同的杂质区域，半导体装置还具备：绝缘膜，其在半导体基板的表面上，至少设置于外缘区域与阱区之间，且具有锥形部；以及电阻膜，其设置于绝缘膜上，将外缘区域与阱区电连接，绝缘膜的锥形部的锥角为60度以下。