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公开(公告)号：CN119836854A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202480003773.7
申请日：2024-01-19
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备晶体管部和二极管部，所述半导体装置具备：多个沟槽部，其设置于半导体基板的正面，并包含栅极沟槽部；第一导电型的漂移区，其设置于所述半导体基板；第二导电型的基区，其设置于所述漂移区的上方；第一导电型的发射区，其设置于所述基区的上方，且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；第一导电型的第一蓄积区，其设置于所述基区的下方，且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；第二导电型的沟槽底部区，其设置于所述第一蓄积区的下方，且掺杂浓度比所述基区的掺杂浓度高；以及第一导电型的第二蓄积区，其在所述半导体基板的深度方向上设置得比所述沟槽底部区深，且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高。
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公开(公告)号：CN111886682B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN201980021045.8
申请日：2019-10-11
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 提供一种半导体装置，在深度方向上，氢浓度分布具有第一氢浓度峰和第二氢浓度峰，施主浓度分布具有第一施主浓度峰和第二施主浓度峰，第一氢浓度峰和第一施主浓度峰配置于第一深度，第二氢浓度峰和第二施主浓度峰配置于第二深度，该第二深度以下表面为基准时比第一深度深，各浓度峰具有浓度值随着从下表面朝向上表面而增大的上行斜坡，用第二氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第二施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值小于用第一氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第一施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值。
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公开(公告)号：CN117616584A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202280045075.4
申请日：2022-11-28
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/06 , H01L27/06 , H01L21/8234 , H01L21/76 , H01L21/265
Abstract: 提供一种半导体装置，其是具备设置有第一导电型的漂移区的半导体基板的半导体装置，半导体基板具有有源部和在半导体基板的上表面设置于有源部的沟槽部，有源部具有沟槽部在排列方向上以第一沟槽间隔排列的第一区域和沟槽部在排列方向上以比第一沟槽间隔大的第二沟槽间隔排列的第二区域，第一区域具有遍及至少两个沟槽部的底部而设置的第二导电型的第一底部区域，第二区域具有设置于一个沟槽部的底部的第二导电型的第二底部区域。
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公开(公告)号：CN117561612A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202380012492.3
申请日：2023-01-17
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明提供半导体装置(100)，其具备：多个沟槽部，其包括栅极沟槽部(G)和虚设沟槽部(E)，且从半导体基板(10)的上表面起设置到比基区(14)更靠下方的位置；第二导电型的第一下端区(202)，其与包括栅极沟槽部在内的两个以上的沟槽部的下端相接地设置；第二导电型的阱区(11)，其在俯视下配置在与第一下端区不同的位置，从半导体基板的上表面起设置到比基区更靠下方的位置，并且掺杂浓度比基区的掺杂浓度高；第二导电型的第二下端区(205)，其在俯视下，在第一下端区与阱区之间，与第一下端区和阱区分离地设置，并且与包括栅极沟槽部在内的一个以上的沟槽部的下端相接地设置。
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公开(公告)号：CN117063293A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202280024178.2
申请日：2022-10-14
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其包括第一导电型的漂移区；第二导电型的基区，其设置在漂移区与半导体基板的上表面之间；多个沟槽部，其从半导体基板的上表面起设置到比基区更靠下方的位置；第二导电型的下端区，其与两个以上的沟槽部的下端相接地设置；第二导电型的阱区，其从半导体基板的上表面起设置到比基区更靠下方的位置，并且掺杂浓度高于基区的掺杂浓度；以及第二导电型的高电阻区，其在俯视时配置于下端区与阱区之间，并且掺杂浓度低于下端区的掺杂浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116420219A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202180072400.1
申请日：2021-12-08
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/8234
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，该半导体装置具备：有源部，其具有晶体管部和二极管部；以及耐压结构部，其设置在有源部的外周，晶体管部具有：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第二导电型的基区，其设置在漂移区的上方；沟槽部，其从半导体基板的正面延伸至漂移区；以及第二导电型的沟槽底部，其设置在沟槽部的下端，在俯视时，二极管部设置在靠近耐压结构部的晶体管部与耐压结构部之间。
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公开(公告)号：CN115443543A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202180030596.8
申请日：2021-11-15
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/265 , H01L21/322 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8249 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置具备：半导体基板，其具有第一导电型的漂移区；以及第一导电型的缓冲区，其设置在漂移区与半导体基板的下表面之间，并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高，缓冲区具有配置在半导体基板的深度方向上的不同位置的两个以上的氦化学浓度峰。各个氦化学浓度峰的半峰全宽可以为1μm以下。各个氦化学浓度峰可以注入4He而形成。
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公开(公告)号：CN114303246A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202180005055.X
申请日：2021-03-04
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：设置有漂移区的半导体基板；配置于漂移区与下表面之间，并且掺杂浓度分布具有3个以上的浓度峰的缓冲区；以及配置于缓冲区与下表面之间的集电区，缓冲区中的3个以上的浓度峰包括：第一浓度峰，距离下表面最近；第二浓度峰，以仅次于第一浓度峰的方式接近下表面，且被配置为在深度方向上距离下表面为5μm以上，第二浓度峰的掺杂浓度比第一浓度峰的掺杂浓度低且第二浓度峰的掺杂浓度小于1.0×1015/cm3；以及高浓度峰，被配置为比第二浓度峰更远离下表面，且高浓度峰的掺杂浓度比第二浓度峰的掺杂浓度高。
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公开(公告)号：CN113454789A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202080011718.4
申请日：2020-08-04
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；以及第一导电型的缓冲区，其设置于漂移区与半导体基板的下表面之间，并在半导体基板的深度方向上具有3个以上的掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高的浓度峰，3个以上的浓度峰包含：最浅峰，其最接近半导体基板的下表面；高浓度峰，其配置于比最浅峰更远离半导体基板的下表面的位置；以及低浓度峰，其配置于比高浓度峰更远离半导体基板的下表面的位置，且掺杂浓度为高浓度峰的掺杂浓度的1/5以下。
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