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公开(公告)号：CN103069485A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201180039194.0
申请日：2011-02-23
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: G11B5/72 , C23C16/26 , G11B5/725 , Y10T428/265
Abstract: 本发明涉及保护性膜、具有该保护性膜的磁性记录介质、以及保护性膜的制备方法。本发明在降低保护性膜的膜厚度的同时改善保护性膜的持久性和耐腐蚀性，并提升保护性膜表面与润滑膜的粘结强度。本发明还提供具有保护性膜和优异电磁转换特性的磁性记录介质。用于磁性记录介质的保护性膜的特征在于含氟和氮。还提供了一种制备用于磁性记录介质的保护性膜的方法，该方法包括以下步骤：在含有基片和形成于基片顶面上的金属膜层的堆叠体顶面上形成保护性膜，以及在含氟气体和含氮气体中对所述保护性膜进行等离子体处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103069485B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201180039194.0
申请日：2011-02-23
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: G11B5/72 , C23C16/26 , G11B5/725 , Y10T428/265
Abstract: 本发明涉及保护性膜、具有该保护性膜的磁性记录介质、以及保护性膜的制备方法。本发明在降低保护性膜的膜厚度的同时改善保护性膜的持久性和耐腐蚀性，并提升保护性膜表面与润滑膜的粘结强度。本发明还提供具有保护性膜和优异电磁转换特性的磁性记录介质。用于磁性记录介质的保护性膜的特征在于含氟和氮。还提供了一种制备用于磁性记录介质的保护性膜的方法，该方法包括以下步骤：在含有基片和形成于基片顶面上的金属膜层的堆叠体顶面上形成保护性膜，以及在含氟气体和含氮气体中对所述保护性膜进行等离子体处理。
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公开(公告)号：CN116569307A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202280007629.1
申请日：2022-06-16
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第一导电型的缓冲区，其设置于比漂移区更靠半导体基板的背面侧，并具有掺杂浓度的第一峰以及设置于比该第一峰更靠所述半导体基板的正面侧的位置的第二峰；以及第一寿命控制区，其在半导体基板的深度方向上，设置于第一峰与第二峰之间。在半导体基板的深度方向上，从漂移区的上端起到第二峰为止的积分浓度在临界积分浓度以上。
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公开(公告)号：CN110383489B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201880014453.6
申请日：2018-08-03
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/3205 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/12
Abstract: 碳化硅半导体装置具备：设置于第1导电型的半导体基板(1)的正面的第1导电型的第1半导体层(2)、第2导电型的第2半导体层(3)、第1导电型的第1半导体区(7)、隔着栅极绝缘膜(9)设置的条纹形状的栅极(10)。另外，还具备设置于第2半导体层(3)和第1半导体区(7)的表面的第1电极(13)、选择性地设置于第1电极(13)上的镀膜(16)和将提取外部信号的针状电极(19)粘着于镀膜(16)上的焊料(17)。栅极(10)在与设置有焊料(17)和镀膜(16)的第1电极(13)对置的区域中具有沿着与条纹形状相交的方向延伸的凸部分，栅极(10)彼此连接。
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公开(公告)号：CN115443543A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202180030596.8
申请日：2021-11-15
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/265 , H01L21/322 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8249 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置具备：半导体基板，其具有第一导电型的漂移区；以及第一导电型的缓冲区，其设置在漂移区与半导体基板的下表面之间，并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高，缓冲区具有配置在半导体基板的深度方向上的不同位置的两个以上的氦化学浓度峰。各个氦化学浓度峰的半峰全宽可以为1μm以下。各个氦化学浓度峰可以注入4He而形成。
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公开(公告)号：CN110383489A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880014453.6
申请日：2018-08-03
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/3205 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/12
Abstract: 碳化硅半导体装置具备：设置于第1导电型的半导体基板(1)的正面的第1导电型的第1半导体层(2)、第2导电型的第2半导体层(3)、第1导电型的第1半导体区(7)、隔着栅极绝缘膜(9)设置的条纹形状的栅极(10)。另外，还具备设置于第2半导体层(3)和第1半导体区(7)的表面的第1电极(13)、选择性地设置于第1电极(13)上的镀膜(16)和将提取外部信号的针状电极(19)粘着于镀膜(16)上的焊料(17)。栅极(10)在与设置有焊料(17)和镀膜(16)的第1电极(13)对置的区域中具有沿着与条纹形状相交的方向延伸的凸部分，栅极(10)彼此连接。
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