公开(公告)号：CN118563409A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410645015.7

申请日：2024-05-23

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 芮阳 ,  伊冉 ,  王忠保 ,  王黎光 ,  蔡瑞 ,  杨少林 ,  马成 ,  赵延祥 ,  刘洁 ,  刘彦鹏

IPC: C30B15/00 ,  C30B15/14 ,  C30B27/02 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供一种改善终端产品电性均匀性的热场及拉晶方法，涉及重掺单晶硅拉晶技术领域，通过在所述降温上部断热材的下部设置空心层，所述降温热屏部位于所述石英坩埚的上方，所述降温上部断热材位于所述断热材部的上方，所述降温热屏部的上端与所述降温上部断热材的上方搭接，所述降温上部断热材与所述断热材部组装，以改善热场温度梯度，以使温度梯度增大，进而在拉晶过程中，晶棒在800℃‑1100℃的停留时间缩短，缺陷生长周期减短，避免已均质成核和异质成核借着过饱和析出而聚结形成的微缺陷，从而降低微缺陷密度，使得终端产品性能均匀性提高。

公开(公告)号：CN115821366A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211585988.3

申请日：2022-12-09

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 虎永慧 ,  芮阳 ,  熊欢 ,  徐慶晧 ,  王黎光 ,  曹启刚 ,  张昆 ,  刘进 ,  蔡瑞 ,  王忠保

IPC: C30B15/04 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06

Abstract: 一种硼和轻掺磷的补掺方法，包括以下步骤，根据A段晶棒电阻率计算首次投掺量，并以相同的方式计算B段晶棒需求的补掺量；首次投掺量在投料时熔于坩埚，补掺量留做备用，用于在补掺时使用；在完成A晶棒拉制后，手动引晶一定直径及长度，在向下给定一定拉速进行放肩；在放肩至一定直径后，以一定拉速引上至副室冷却一定时间后取出；通过副室操作取出，并把所需的补掺量放至肩上，再放入炉内与肩部一起熔化于坩埚内。本发明通过上述方法在晶棒合并拉制及转晶向拉制时，对硼和轻掺磷进行补掺，可保证拉制出的晶棒电阻率匹配、合格，从而降低产品不良率。本发明还提供一种晶棒合并拉制方法及一种转晶向拉制方法。